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科目： 來源：gzwl 題型：

元素X是Y的同位素，都具有放射性，分別進行以下的衰變過程：
魔方格
，則下列說法正確的是（　�。�
A．Q與S不再是同位素
B．x和R的原子序數(shù)可能相同
C．X和R的質(zhì)量數(shù)可能相同
D．R的質(zhì)子數(shù)大于上述所有任何元素

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科目： 來源：gzwl 題型：

若某種實際氣體分子之間的作用力表現(xiàn)為引力，則一定質(zhì)量的該氣體內(nèi)能的大小與氣體體積和溫度的關系是（　�。�
A．如果保持其體積不變，溫度升高，內(nèi)能增加
B．如果保持其體積不變，溫度升高，內(nèi)能減小
C．如果保持其溫度不變，體積增加，內(nèi)能增大
D．如果保持其溫度不變，體積增加，內(nèi)能減小

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科目： 來源：gzwl 題型：

在點電荷形成的電場中，電勢相等的地方，其電場強度的大小也相等．如圖所示為某一點電荷電場中電場線的局部分布情況．現(xiàn)有一帶電粒子（重力不計）自A向B運動，則下列判斷中正確的是（　�。�
A．粒子做勻變速直線運動
B．粒子做非勻變速直線運動
C．粒子的電勢能一定減小
D．粒子動能的變化一定跟它所帶的電量成正比
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

劈尖干涉是一種薄膜干涉，其裝置如圖1所示，將一塊平板玻璃放置在另一平板玻璃之上，在一端夾入兩張紙片，從而在兩玻璃表面之間形成一個劈形空氣薄膜．當光垂直入射后，從上往下看到的干涉條紋如圖2所示．干涉條紋有如下特點：
（1）任意一條明條紋或暗條紋所在位置下面的薄膜厚度相等；
（2）任意相鄰明條紋和暗條紋所對應的薄膜厚度差恒定．現(xiàn)若在圖1裝置中抽去一張紙片，則當光垂直入射到新的劈形空氣薄膜后，從上往下觀察到的干涉條紋（　�。�
A．變疏B．變密C．不變D．消失
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

關于機械波，下列說法正確的是（　　）
A．在傳播過程中能傳遞能量
B．頻率由波源決定
C．能產(chǎn)生干涉，衍射現(xiàn)象
D．能在真空中傳播

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科目： 來源：gzwl 題型：

如圖，a和b都是厚度均勻的平玻璃板，它們之間的夾角為φ．一細光束以入射角θ從P點射入，θ＞φ．已知此光束由紅光和藍光組成．則當光束透過b板后（　�。�
A．傳播方向相對于入射光方向向左偏轉φ角
B．傳播方向相對于入射光方向向右偏轉φ角
C．紅光在藍光的左邊
D．紅光在藍光的右邊
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

朝鮮的“核危機”引起了全世界的矚目，其焦點問題就是朝鮮核電站采用的是輕水堆還是重水 堆．因為重水堆核電站在發(fā)電的同時還可以產(chǎn)出供研制核武器的钚239（
 23994
Pu），這種
 23994
Pu可由鈾239（
 23992
Pu）經(jīng)過衰變而產(chǎn)生，則下列判斷中正確的是（　�。�
A．
 23994
Pu與
 23992
Pu的核內(nèi)具有相同的中子數(shù)
B．
 23994
Pu與
 23992
Pu的核內(nèi)具有相同的核子數(shù)
C．
 23992
Pu經(jīng)過1次α衰變產(chǎn)生
 23994
Pu
D．
 23992
Pu經(jīng)過2次β衰變產(chǎn)生
 23994
Pu

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科目： 來源：gzwl 題型：

兩根相互平行的金屬導軌水平放置于如圖所示的勻強磁場中，與導軌接觸良好的導體棒AB和  CD可以在導軌上自由滑動，當AB在外力F作用下向右運動時，下列說法正確的是（　�。�
A．導體棒CD內(nèi)有電流通過，方向是D→C
B．導體棒CD內(nèi)有電流通過，方向是C→D
C．磁場對導體棒CD的作用力向左
D．磁場對導體棒CD的作用力向右
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

如圖所示，在一根粗糙的水平直桿上，套有兩個質(zhì)量均為m的鐵環(huán)，兩鐵環(huán)上系著兩根等長線共同拴住質(zhì)量為M的小球，兩鐵環(huán)與小球都處于靜止狀態(tài)．現(xiàn)想辦法使得兩鐵環(huán)間距離AB增大一些而同時仍能保持系統(tǒng)平衡，則OA繩和OB繩的拉力變化情況是（　�。�
A．拉力增大B．拉力減小C．拉力不變D．不能確定
魔方格

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科目： 來源：gzwl 題型：

一定質(zhì)量的理想氣體經(jīng)過一系列變化過程，如圖所示．下列說法中正確的是（　�。�
A．b→c過程中，氣體壓強不變，體積增大
B．a(chǎn)→b過程中，氣體體積增大，壓強減小
C．c→a過程中，氣體壓強增大，體積變小
D．c→a過程中，氣體內(nèi)能增大，體積變小
魔方格

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