A. | 膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為5×105V/m | |
B. | 膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為2×105V/m | |
C. | 每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為6.4×10 -20J | |
D. | 每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為1.6×10 -19J |
分析 勻強(qiáng)電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度與電勢(shì)差的關(guān)系為E=$\frac{U}n19j7jx$,由此式可求E,根據(jù)電場(chǎng)力做功與電勢(shì)差的關(guān)系公式W=qU可求每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功.
解答 解:AB、由題意得,膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度為:E=$\frac{U}jjvpjjj$=$\frac{0.4}{800×1{0}^{-9}}$V/m=5×105V/m,故A正確,B錯(cuò)誤;
CD、每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功為:W=qU=1.6×10-19×0.4J=6.4×10-20J,故C正確,D錯(cuò)誤.
故選:AC
點(diǎn)評(píng) 本題的關(guān)鍵要?jiǎng)驈?qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度與電勢(shì)差的關(guān)系、電場(chǎng)力做功與電勢(shì)差的關(guān)系,要注意U=Ed中d為沿電場(chǎng)線方向上的距離,同時(shí)在利用W=Uq求功時(shí)應(yīng)代入符號(hào).
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | b點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)一定為零 | |
B. | Q2帶負(fù)電且電荷量小于Q1 | |
C. | a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高 | |
D. | 粒子在a點(diǎn)的電勢(shì)能比b點(diǎn)的電勢(shì)能小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | E=2πkσ($\frac{{R}_{1}}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$-$\frac{{R}_{2}}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$)x | B. | E=2πkσ($\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$-$\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$)x | ||
C. | E=2πkσ($\frac{{R}_{1}}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$+$\frac{{R}_{2}}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$)x | D. | E=2πkσ($\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$+$\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$)x |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
點(diǎn)跡 | s/cm | △v 2/m2•s-2 |
O | / | / |
1 | 1.60 | 0.04 |
2 | 3.60 | 0.09 |
3 | 6.00 | 0.15 |
4 | 7.00 | 0.18 |
5 | 9.20 | 0.23 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{qBl}{2m}$ | B. | $\frac{\sqrt{3}qBl}{6m}$ | C. | $\frac{\sqrt{3}qBl}{4m}$ | D. | $\frac{qBl}{6m}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | a粒子帶正電,b粒子帶負(fù)電 | B. | 兩粒子的軌道半徑之比Ra:Rb=1:$\sqrt{3}$ | ||
C. | 兩粒子的質(zhì)量之比ma:mb=1:2 | D. | 兩粒子的速度之比Va:Vb=2:$\sqrt{3}$ |
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