A.燈少時(shí)各燈較亮,燈多時(shí)各燈較暗
B.各燈兩端的電壓在燈多時(shí)較低
C.通過(guò)電池的電流在燈多時(shí)較大
D.燈多時(shí)電池輸出功率較大
6.如圖所示,用兩節(jié)干電池點(diǎn)亮幾個(gè)小燈泡,當(dāng)逐一閉合電鍵,接入燈泡增多時(shí),以下說(shuō)法正確的是 ( )
5.有關(guān)氣體壓強(qiáng),下列說(shuō)法正確的是
A.氣體分子的平均速率增大,則氣體的壓強(qiáng)一定增大
B.氣體的分子密度增大,則氣體的壓強(qiáng)一定增大
C.氣體分子的平均動(dòng)能增大,則氣體的壓強(qiáng)一定增大
D.氣體分子的平均動(dòng)能增大,氣體的壓強(qiáng)有可能減小
只有一個(gè)選項(xiàng)正確,有的小題有多個(gè)選項(xiàng)正確,全部選對(duì)的得4分,選不全的得
2分,有選錯(cuò)或不答的得0分。
③F+He→Ne+H ④He+H→He+H
上述核反應(yīng)依次屬于
A.衰變、人工轉(zhuǎn)變、人工轉(zhuǎn)變、聚變 B.裂變、裂變、聚變、聚變
C.衰變、衰變、聚變、聚變 D.衰變、裂變、人工轉(zhuǎn)變、聚變
①Na→Mg+e ②U+n→Ba+Kr+3n
4.有下列4個(gè)核反應(yīng)方程
3.如圖所示,一平面鏡放在半徑為r的圓上P點(diǎn)處,并繞P點(diǎn)以角速度ω沿逆時(shí)針?lè)较騽蛩傩D(zhuǎn)。某時(shí)刻點(diǎn)光源S沿半徑SO方向發(fā)出一束細(xì)光束剛好垂直射到平面鏡P點(diǎn)處,當(dāng)平面鏡轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),反射光線射到圓上形成的光點(diǎn)在圓上移動(dòng),在鏡轉(zhuǎn)過(guò)的過(guò)程中,此光點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)情況是
A.變速圓周運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)速率越來(lái)越大.
B.勻速圓周運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)速率為2ωr.
C.勻速圓周運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)速率為4ωr.
D.變速圓周運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)速率越來(lái)越小
2.用輕質(zhì)細(xì)線把兩個(gè)質(zhì)量未知的小球懸掛起來(lái),如右圖所示。今對(duì)小球a持續(xù)施加一個(gè)向左偏下30°大小為F的恒力,并對(duì)小球b持續(xù)施加一個(gè)向右偏上30°的大小為
1.如圖所示,在光滑的水平面上,有豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng),分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域里,F(xiàn)有一邊長(zhǎng)為a(a<L的正方形閉合線圈剛好能穿過(guò)磁場(chǎng),則線圈在滑進(jìn)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的熱量Q2之比為 ( )
A.1:1 B.2:
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com