5.以硫酸銅溶液作電解液.對(duì)含有雜質(zhì)Fe.Zn.Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉.下列敘述正確的是① 粗銅與直流電源負(fù)極相連w.w.w.k.s.5 u.c.o.m② 陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2+ + 2e- = Cu 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

以硫酸銅溶液作電解液,對(duì)含有雜質(zhì)Fe、Zn、Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉.下列敘述正確的是( 。
①粗銅與直流電源負(fù)極相連      
②陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2++2e-═Cu
③電路中每通過3.01×1023個(gè)電子,得到的精銅質(zhì)量為16g
④雜質(zhì)Ag以Ag2SO4的形式沉入電解槽形成陽(yáng)極泥.

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以硫酸銅溶液作電解液,對(duì)含有雜質(zhì)Fe、Zn、Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉。下列敘述正確的是(   )
①粗銅與直流電源負(fù)極相連
②陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2++2e-=Cu
③電路中每通過3.0l×1023個(gè)電子,得到的精銅質(zhì)量為16g
④雜質(zhì)Ag以Ag2SO4的形式沉入電解槽形成“陽(yáng)極泥”

A.②③B.②④C.③④D.①③

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以硫酸銅溶液作電解液,對(duì)含有雜質(zhì)Fe、Zn、Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉。下列敘述正確的是(    )

①粗銅與直流電源負(fù)極相連

②陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2++2e-=Cu

③電路中每通過3.0l×1023個(gè)電子,得到的精銅質(zhì)量為16g

④雜質(zhì)Ag以Ag2SO4的形式沉入電解槽形成“陽(yáng)極泥”

A.②③           B.②④              C.③④            D.①③

 

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以硫酸銅溶液作電解液,對(duì)含有雜質(zhì)Fe、Zn、Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉。下列敘述正確的是

① 粗銅與直流電源負(fù)極相連

② 陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2+ + 2e = Cu

③ 電路中每通過3.01×1023個(gè)電子,得到的精銅質(zhì)量為16 g

④ 雜質(zhì)Ag以Ag2SO4的形式沉入電解槽形成“陽(yáng)極泥”k

A.②③          B.②④              C. ③④           D.①③

 

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以硫酸銅溶液作電解液,對(duì)含有雜質(zhì)Fe、Zn、Ag的粗銅進(jìn)行電解精煉。下列敘述正確的是

① 粗銅與直流電源負(fù)極相連       ② 陰極發(fā)生的反應(yīng)為Cu2+ + 2e = Cu

③ 電路中每通過3.01×1023個(gè)電子,得到的精銅質(zhì)量為16 g

④ 雜質(zhì)Ag以Ag2SO4的形式沉入電解槽形成“陽(yáng)極泥”

A.②③         B.②④         C. ③④       D.①③

 

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一、選擇題(本題包括9小題,每小題3分,共27分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。)

題號(hào)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

答案

C

B

D

A

D

A

D

C

B

二、選擇題(本題包括9小題,每小題4分,共36分。每小題有一個(gè)或兩個(gè)選項(xiàng)符合題意。若正確答案包括兩個(gè)選項(xiàng),只選一個(gè)且正確的給2分,但只要選錯(cuò)一個(gè),該小題就為0分。)

題號(hào)

10

11

12

13

14

15

16

17

18

答案

B

D

BC

A

AD

C

BC

AC

AD

 

三、(本題包括3小題,共34分)

19.(12分)

(1)Fe2 (1分)

(2)4FeCO3+O2*2Fe2O3+4CO2  (2分)     坩堝、坩堝鉗 (2分)

(3)K2SO4  (1分)       蒸發(fā)結(jié)晶、趁熱過濾、洗滌、干燥(3分)

(4)滴加過量Ba(NO3)2溶液,過濾后向?yàn)V液滴加AgNO3溶液。(3分)  

20.(12分)

實(shí)驗(yàn)操作

預(yù)期現(xiàn)象和結(jié)論

步驟1:取少量浸取液于試管A中,逐滴滴加0.1 mol?L1

NaOH溶液,充分振蕩,邊滴加邊用pH 試紙檢測(cè)溶液直至pH在4~9,靜置。(3分)

有紅褐色沉淀產(chǎn)生,說(shuō)明浸取液中含 Fe3+。(1分)

步驟2:用滴管將試管A中上層清液轉(zhuǎn)移至試管B,向試管B中滴加過量6 mol?L1NaOH溶液,充分振蕩,靜置。(2分)

有白色沉淀產(chǎn)生,說(shuō)明浸取液中含Mg2+。(1分)

步驟3:另取少量浸取液于試管C中,滴加過量6 mol?L1

NaOH溶液,充分振蕩,靜置。(2分)

有沉淀產(chǎn)生。

步驟4:用滴管將試管C中上層清液轉(zhuǎn)移至試管D,向試管D中逐滴滴加0.1 mol?L1HCl至足量,邊滴邊振蕩。(2分)

有白色沉淀產(chǎn)生然后沉淀又溶解,說(shuō)明浸取液中含 Al3+。(1分)

21.(10分)

(1)(NH4)2B4O+ 2HCl + 5H2O = 4 H3BO3 + 2NH4Cl   (2分)

(2)圓底燒瓶  (1分)    

安全管(或:防止裝置中壓力過大而發(fā)生危險(xiǎn);防止冷卻時(shí)發(fā)生倒吸)(2分)

(3)消除其他試劑、實(shí)驗(yàn)操作等因素引起的誤差   (2分)

(4)32.00 (1分)    4.480   (2分)

四、(本題包括3小題,共34分)

22.(12分)

(1)32(1分)

(2)2Fe3+ + Cu = 2Fe2+ + Cu2+ (2分)      鐵粉、稀硫酸(2分)

(3)酸性廢水抑制Fe3+的水解,使其不能生成有吸附作用的Fe(OH)3膠體(2分)

(4)B (2分)

e

e

 

 

 

電解質(zhì)溶液

電解質(zhì)溶液

 

23.(10分)

(1)

CO(g)    +   H2O (g) * CO2(g)   +   H2(g)

     起始物質(zhì)的量(mol):  2.0            3.0            0            0

     物質(zhì)的量變化(mol):2.0×60%=1.2    1.2            1.2           1.2

     平衡物質(zhì)的量(mol):  0.8            1.8            1.2           1.2  

平衡濃度(mol/L):    0.4            0.9            0.6           0.6

∴平衡時(shí)H2O的物質(zhì)的量為1.8 mol。(3分)

T1℃時(shí)平衡常數(shù)K==1  (3分)

 

(2)

 

 

 

 

                                                             (4分)

24.(12分)

(1)四 (1分)   ⅥB (1分)

(2)①  Cr2O72 + 6Fe2+ + 14H+ = 3Cr3+ + 6Fe3+ + 7H2O   (2分)

②  Cr3+ + 4OH = CrO2 + 2H2O   (2分)

     ③  8~10   (1分)

④  ABCD  (2分)

(3)① 符合  (1分)

② (以下任意2條即可)(2分)

其它條件相同時(shí),含鉻廢渣摻入的比例越大,Cr元素浸出的濃度越高;

酸性環(huán)境對(duì)Cr元素浸出有抑制作用;

凍融對(duì)Cr元素浸出影響不明顯;

曝曬對(duì)Cr元素浸出影響不明顯;

……

五、(本題包括1小題,共9分)

25.(9分)

(1)石油(1分)  裂化和裂解(回答其一即可)(1分)

(2)水(1分)

(3)     CH2=CH-COOH +CH3OH    CH2=CH-COOCH3+H2O  (2分)

nCH2=CH-COOCH3                                (2分)   

(4)A、C、E、F  (2分)   、

六、選做題(本題包括2小題,每小題10分。考生只能選做一題)

26.(10分)

 

(1)              (2分)

 

(2) C(1分)     濃硫酸有吸水性,減小水的濃度有利于平衡向右移動(dòng)。(2分)

(3)

 

 

 

 

 

(反應(yīng)物、生成物各1分,共5分)w.w.w.k.s.5 u.c.o.m

27.(10分)

(1)1s2 2s2 2p6 3s2 3p(2分)

(2)109°28′  (1分)

(3)

 

 

 

(4)① SiO2是原子晶體,微粒間作用力為共價(jià)鍵。SiCl4是分子晶體,微粒間作用力為范德華力。故SiO2熔點(diǎn)高于SiCl4  (2分)

② SiCl4和SiF4均為分子晶體,微粒間作用力為范德華力,結(jié)構(gòu)相似時(shí)相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大。故SiCl4熔點(diǎn)高于SiF4  (2分)


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