如圖所示，質(zhì)量為m、電荷量為e的質(zhì)子以某一初速度從坐標(biāo)原點(diǎn)O沿x軸正方向進(jìn)入場區(qū)，若場區(qū)僅存在平行于y軸向上的勻強(qiáng)電場時，質(zhì)子通過P（d ，d）點(diǎn)時的動能為；若場區(qū)僅存在垂直于xoy平面的勻強(qiáng)磁場時，質(zhì)子也能通過P點(diǎn)。不計質(zhì)子的重力。設(shè)上述勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度大小為、勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，則下列說法中正確的是

A.    B.     C.    D.

如圖甲所示，傾角為30°的足夠長的光滑斜面上，有一質(zhì)量m=0.8kg的物體受到平行斜面向上的力F作用，其大小F隨時間t變化的規(guī)律如圖乙所示，t = 0時刻物體速度為零，重力加速度。下列說法中正確的是

A．0～1s時間內(nèi)物體的加速度最大

B．第2s末物體的速度不為零

C．2～3s時間內(nèi)物體做向下勻加速直線運(yùn)動

D．第3s末物體回到了原來的出發(fā)點(diǎn)

 

關(guān)于物理學(xué)家和他們的貢獻(xiàn)，下列說法中正確的是

A. 奧斯特發(fā)現(xiàn)了電流的磁效應(yīng)，并提出了電磁感應(yīng)定律

B. 庫侖提出了庫侖定律，并最早實(shí)驗(yàn)測得元電荷e的數(shù)值

C. 伽利略發(fā)現(xiàn)了行星運(yùn)動的規(guī)律，并通過實(shí)驗(yàn)測出了引力常量

D. 法拉第不僅提出了場的概念，而且發(fā)明了人類歷史上的第一臺發(fā)電機(jī)

如圖所示，以O為原點(diǎn)建立平面直角坐標(biāo)系Oxy,沿y軸放置一平面熒光屏，在y＞0，0＜x＜0.5m的區(qū)域有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=0.5T。在原點(diǎn)O放一個開有小孔粒子源，粒子源能同時放出比荷為q/m =4.0×10⁶kg/C的不同速率的正離子束，沿與x軸成30^o角從小孔射入磁場，最后打在熒光屏上，使熒光屏發(fā)亮。入射正離子束的速率在0到最大值v_m=2.0×10⁶m/s的范圍內(nèi)，不計離子之間的相互作用，也不計離子的重力。

（1）求離子打到熒光屏上的范圍。

（2）若在某時刻(設(shè)為t=0時刻)沿與x軸成30^o角方向射入各種速率的正離子，求經(jīng)過s時這些離子所在位置構(gòu)成的曲線方程。

（3）實(shí)際上，從O點(diǎn)射入的正離子束有一定的寬度，設(shè)正離子將在與x軸成30^o～60^o角內(nèi)進(jìn)入磁場。則某時刻(設(shè)為t=0時刻)在這一寬度內(nèi)向各個方向射入各種速率的離子，求經(jīng)過s時這些離子可能出現(xiàn)的區(qū)域面積。

…

如圖甲所示，一個絕緣傾斜直軌道固定在豎直面內(nèi)，軌道的AB部分粗糙，BF部分光滑。整個空間存在著豎直方向的周期性變化的勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度隨時間的變化規(guī)律如圖乙所示，t=0時電場方向豎直向下。在虛線的右側(cè)存在著垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為�，F(xiàn)有一個質(zhì)量為m，電量為q的帶正電的物體（可以視為質(zhì)點(diǎn)），在t=0時從A點(diǎn)靜止釋放，物體與軌道間的動摩擦因數(shù)為，t=2s時刻，物體滑動到B點(diǎn)。在B點(diǎn)以后的運(yùn)動過程中，物體沒有離開磁場區(qū)域，物體在軌道上BC段的運(yùn)動時間為1s，在軌道上CD段的運(yùn)動時間也為1s。（物體所受到的洛倫茲力小于）

（1）由于軌道傾角未知，一位同學(xué)拿到了量角器，將其測出，記為。在AB階段，由此可以計算出物塊滑動到B時的速度，請你幫他完成此次計算，并定性說明物體在AB階段做何種運(yùn)動？

（2）另一位同學(xué)并未使用量角器，而是用直尺測出了BC以及CD的長度，記為，同樣可以得到軌道傾角，請你幫他完成此次計算。（計算出的三角函數(shù)值即可）

（3）觀察物體在D點(diǎn)以后的運(yùn)動過程中，發(fā)現(xiàn)它并未沿著斜面運(yùn)動，而且物塊剛好水平打在H點(diǎn)處的擋板（高度可以忽略）上停下，斜面傾角已知，求F點(diǎn)與H點(diǎn)的間距L，并在圖乙中畫出物體全程的運(yùn)動軌跡。

 

相距L＝1.5m的足夠長金屬導(dǎo)軌豎直放置，質(zhì)量為m₁＝1kg的金屬棒ab和質(zhì)量為m₂＝0.27kg的金屬棒cd均通過棒兩端的套環(huán)水平地套在金屬導(dǎo)軌上，如圖（a）所示，虛線上方磁場方向垂直紙面向里，虛線下方磁場方向豎直向下，兩處磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相同。ab棒光滑，cd棒與導(dǎo)軌間動摩擦因數(shù)為μ＝0.75，兩棒總電阻為1.8Ω，導(dǎo)軌電阻不計。ab棒在方向豎直向上，大小按圖（b）所示規(guī)律變化的外力F作用下，從靜止開始，沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動，同時cd棒也由靜止釋放。(g=10m/S²)

（1）求出磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和ab棒加速度大��；

（2）已知在2s內(nèi)外力F做功40J，求這一過程中兩金屬棒產(chǎn)生的總焦耳熱；

（3）求出cd棒達(dá)到最大速度所需的時間t₀，并在圖（c）中定性畫出cd棒所受摩擦力f_cd隨時間變化的

如圖，箱子A連同固定在箱子底部的豎直桿的總質(zhì)量為M＝10kg。箱子內(nèi)部高度H＝3.75m，桿長h＝2.5m，另有一質(zhì)量為m＝2kg的小鐵環(huán)B套在桿上，從桿的底部以v₀＝10m/s的初速度開始向上運(yùn)動，鐵環(huán)B剛好能到達(dá)箱頂，不計空氣阻力，g取10m/s²。求：

（1）在鐵環(huán)沿著桿向上滑的過程中，所受到的摩擦力大小為多少？

（2）在給定的坐標(biāo)中，畫出鐵環(huán)從箱底開始上升到第一次返回到箱底的過程中箱子對地面的壓力隨時間變化的圖象（可寫出簡要推算步驟）

（3）若鐵環(huán)與箱底每次碰撞都沒有能量損失，求小環(huán)從開始運(yùn)動到最終停止在箱底，所走過的總路程是多少？

(選修3-5)

(1)2011年3月11日，日本發(fā)生9.0級大地震，導(dǎo)致核電站安全殼破損，使全球遭受核污染.世界絕大多數(shù)地方都從大氣中檢測到了的碘(I)一131，就是核原料一鈾钚混合氧化物裂變的主要產(chǎn)物之一.碘一131的原子核內(nèi)有78個中子，具有放射性。它發(fā)生衰變時，發(fā)射出β、γ射線，生成氙（Xe) — 131，若所發(fā)射的β、γ射線的能量分別為0. 6065MeV和0.3640MeV，下列說法中正確的是

A．戴口罩可以防止碘一131的輻射

B.。鈾钚混合氧化物中，鈾與钚的半衰期都發(fā)生了變化

C．碘一131發(fā)生衰變時，核反應(yīng)方程是

D．碘一131發(fā)生衰變時，有1.745×l0^-30kg的質(zhì)量轉(zhuǎn)化為能量

(2) 用不同頻率的光照射某金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)，測量金屬的遏止電壓U_c與入射光頻率．得到圖象如圖．根據(jù)圖像求出該金屬的截止頻率γ_c=        ，普朗克恒量h=             J·s。(已知電子電量)

(3) 1919年，盧瑟福用α粒子轟擊氮核發(fā)現(xiàn)質(zhì)子．科學(xué)研究表明其核反應(yīng)過程是：α粒子轟擊靜止的氮核后形成了不穩(wěn)定的復(fù)核，復(fù)核發(fā)生衰變放出質(zhì)子，變成氧核．設(shè)α粒子質(zhì)量為m₁，初速度為v₀，氮核質(zhì)量為m₂，質(zhì)子質(zhì)量為m₀, 氧核的質(zhì)量為m₃，不考慮相對論效應(yīng)．①α粒子轟擊氮核形成不穩(wěn)定復(fù)核的瞬間，復(fù)核的速度為多大？

②求此過程中釋放的核能．

(選修3-4)

⑴下列說法中正確的是(      )

A．若用頻率更高的單色光照射時，同級牛頓環(huán)半徑將會變小

B．太陽能真空玻璃管采用鍍膜技術(shù)增加透射光，這是利用了光的衍射原理

C．相對論認(rèn)為真空中的光速在不同慣性參照系中是不相同的

D．紅光由空氣進(jìn)入水中，波長變長、顏色不變

⑵有一列簡諧橫波在彈性介質(zhì)中沿x軸正方向以速率v=10m/s傳播，某時刻的波形如圖所示，該波的周期T=          s，把此時刻作為零時刻，質(zhì)點(diǎn)A的振動方程為y=                        m。

（3）被稱為“光纖之父”的華裔物理學(xué)家高錕，由于在光纖傳輸信息研究方面做出了巨大貢獻(xiàn)，與兩位美國科學(xué)家共獲2009年諾貝爾物理學(xué)獎．光纖由內(nèi)芯和外套兩層組成．某光纖內(nèi)芯的折射率為n₁，外套的折射率為n₂，其剖面如圖所示．在該光纖內(nèi)芯和外套分界面上發(fā)生全反射的臨界角為60⁰，為保證從該光纖一端入射的光信號都不會通過外套“泄漏”出去，求內(nèi)芯的折射率n₁的最小值．

某同學(xué)利用如圖所示的電路來測量兩個有刻度但無刻度值的電壓表的內(nèi)阻，實(shí)驗(yàn)分兩個過程，先用替代法測出電壓表V₁的內(nèi)阻，然后用半偏法測出電壓表V₂的內(nèi)阻。供選用的器材如下：

A．待測電壓表V₁，量程約為2V，   內(nèi)阻20k~30k

B．待測電壓表V₂，量程約為3V，   內(nèi)阻30k~40k

C．電阻箱，阻值范圍0—99999.9

D．滑動變阻器，阻值范圍0—1000，   額定電流0.5A

E．滑動變阻器，阻值0—20，額定電流2A

F．電池組，電動勢為6V，內(nèi)電阻為0.5

G．單刀單擲開關(guān)、單刀雙擲開關(guān)各一個及導(dǎo)線若干

（1）實(shí)驗(yàn)器材選擇除A、B、C、F、G外，滑動變阻器R′應(yīng)選用：        （用器材前的字母表示）

（2）請根據(jù)電路圖將器材連接成實(shí)驗(yàn)電路。

（3）下面是主要的實(shí)驗(yàn)操作步驟，將所缺的內(nèi)容補(bǔ)充完整；

①用代替法測待測電壓表V₁的內(nèi)阻

a．根據(jù)電路圖連成實(shí)驗(yàn)電路，并將滑動變阻器R′的滑動觸頭置于           端（填“左”或“右”）；

b．將單刀雙擲開關(guān)S₂置于觸點(diǎn)2，調(diào)節(jié)滑動變阻器R′，使電壓表V₂的指針指在刻度盤第N格，然后將單刀雙擲開關(guān)S₂置于觸點(diǎn)1，調(diào)節(jié)電阻箱R使電壓表V₂的指針指在           ，記下此時電阻箱R的阻值R_A。

②用半偏法測待測電壓表V₂的內(nèi)阻

a．將單刀雙擲開關(guān)S₂置于觸點(diǎn)1，電阻箱的阻值調(diào)為零，閉合開關(guān)S₁，調(diào)節(jié)           使電壓表V₂的指針滿偏。

b．保持滑動變阻器R′的滑動觸頭位置不變，調(diào)節(jié)電阻箱R，使電壓表V₂的指針指在           ，記下電阻箱R的阻值R_B。

（4）由此測出的電壓表V₁的內(nèi)阻為           ，電壓表V_­2的內(nèi)阻為           。

（5）上述兩種方法測出的內(nèi)阻，___________（填“替代法”或“半偏法”）測量結(jié)果誤差小�！鞍肫�法”測出的內(nèi)阻值_____________真實(shí)值（填“大于”、 “等于”或“小于”）