科目: 來源: 題型:多選題
A. | a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)高 | |
B. | 電子從a點(diǎn)到b點(diǎn)動(dòng)能減小,電勢(shì)能增加 | |
C. | 電子從a點(diǎn)到b點(diǎn)做勻變速曲線運(yùn)動(dòng) | |
D. | 電子在a點(diǎn)的動(dòng)能和電勢(shì)能之和大于電子在b點(diǎn)動(dòng)能和電勢(shì)能之和 |
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A. | 0.45T | B. | 0.5T | C. | 0.9T | D. | 1T |
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A. | a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn) | B. | ab棒兩端電壓為$\frac{Bdv}{4}$ | ||
C. | ab棒受安培力為$\frac{{B}^{2}umbdgur^{2}{v}^{2}}{r}$ | D. | 外力對(duì)ab棒的功率為$\frac{{B}^{2}p9yreip^{2}{v}^{2}}{2r}$ |
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A. | 在甲圖中將做勻加速直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 在乙圖中將做往復(fù)運(yùn)動(dòng) | |
C. | 在乙圖中向O1點(diǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí),加速度一定減小 | |
D. | 在乙圖中到達(dá)O2點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最小,電勢(shì)能最大 |
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A. | d點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為Ed=$\frac{2kQ}{{l}^{2}}$,方向由d指向O | |
B. | O點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小是d點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍 | |
C. | bd連線為一等勢(shì)線 | |
D. | 引入一個(gè)電量為+q的點(diǎn)電荷,依次置于O點(diǎn)和d點(diǎn),則在d點(diǎn)所具有的電勢(shì)能大于在O點(diǎn)所具有的電勢(shì)能 |
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A. | 電流表的示數(shù)變小,電壓表示數(shù)變大 | |
B. | 定值電阻R0上消耗的功率變小 | |
C. | 滑動(dòng)變阻器消耗的功率變小 | |
D. | 電源的效率增大 |
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A. | 密立根測(cè)出了元電荷e的數(shù)值 | |
B. | 法拉第提出了電場(chǎng)線和磁感線的概念 | |
C. | 奧斯特發(fā)現(xiàn)了磁生電 | |
D. | 安培提出了分子電流假說 |
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A. | s=3m時(shí)速度大小為3$\sqrt{2}$m/s | B. | s=9m時(shí)速度大小為3$\sqrt{2}$m/s | ||
C. | OA段加速度大小為3 m/s2 | D. | AB段加速度大小為3m/s2 |
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