如圖，平行金屬板傾斜放置，AB長(zhǎng)度為L，金屬板與水平方向的夾角為θ，一電荷量為-q、質(zhì)量為m的帶電小球以水平速度v₀進(jìn)入電場(chǎng)，且做直線運(yùn)動(dòng)，到達(dá)B點(diǎn)。離開電場(chǎng)后，進(jìn)入如下圖所示的電磁場(chǎng)（圖中電場(chǎng)沒有畫出）區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，并豎直向下穿出電磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。試求：

（1）帶電小球進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)的速度v。

（2）帶電小球在電磁場(chǎng)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

（3）重力在電磁場(chǎng)區(qū)域?qū)π∏蛩�做的功�?/p>

如下圖，在xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)有互相正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)E與勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，E的大小為1.0×10³V/m，方向未知，B的大小為1.0T，方向垂直紙面向里；第二象限的某個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，有方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B′。一質(zhì)量m=1×10^-14kg、電荷量q=1×10^-10C的帶正電微粒以某一速度v沿與x軸負(fù)方向60°角從A點(diǎn)沿直線進(jìn)入第一象限運(yùn)動(dòng)，經(jīng)B點(diǎn)即進(jìn)入處于第二象限內(nèi)的磁場(chǎng)B′區(qū)域，一段時(shí)間后，微粒經(jīng)過x軸上的C點(diǎn)并與x軸負(fù)方向成60°角的方向飛出。已知A點(diǎn)的坐標(biāo)為（10，0），C點(diǎn)的坐標(biāo)為（-30，0），不計(jì)粒子重力，g取10m/s²。

（1）請(qǐng)分析判斷勻強(qiáng)電場(chǎng)E的方向并求出微粒的運(yùn)動(dòng)速度v；

（2）勻強(qiáng)磁場(chǎng)B′的大小為多大？

（3）B′磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積為多少？

中國(guó)電磁炮研制方面與歐美西方國(guó)家在同一起跑線上，限于技術(shù)和人才原因中國(guó)電磁炮研制會(huì)稍比西方國(guó)家慢幾年，但在某些技術(shù)上將會(huì)比美國(guó)電磁炮更精進(jìn)。電磁炮是利用磁場(chǎng)對(duì)電流的作用力把電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，使炮彈發(fā)射出去的。如下圖所示，把兩根長(zhǎng)為s，互相平行的銅制軌道放在磁場(chǎng)中，軌道之間放有質(zhì)量為m的炮彈，炮彈架在長(zhǎng)為L、質(zhì)量為M的金屬架上，已知金屬架與炮彈在運(yùn)動(dòng)過程中所受的總阻力與速度平方成正比，當(dāng)有恒定的大電流I₁通過軌道和炮彈時(shí)，炮彈與金屬架在磁場(chǎng)力的作用下，獲得速度v₁時(shí)加速度為a，當(dāng)有恒定的大電流I₂通過軌道和炮彈時(shí)，炮彈最終以最大速度v₂脫離金屬架并離開軌道，則垂直于軌道平面的磁感強(qiáng)度為多少？

如右圖所示，一束粒子（不計(jì)重力，初速度可忽略）緩慢通過小孔O₁進(jìn)入極板間電壓為U的水平加速電場(chǎng)區(qū)域I，再通過小孔O₂射入相互正交的恒定勻強(qiáng)電場(chǎng)、磁場(chǎng)區(qū)域Ⅱ，其中磁場(chǎng)的方向如圖所示，收集室的小孔O₃與O₁、O₂在同一條水平線上。則  （     ）

A．該裝置可篩選出具有特定質(zhì)量的粒子

B．該裝置可篩選出具有特定電量的粒子

C．該裝置可篩選出具有特定速度的粒子

D．該裝置可篩選出具有特定動(dòng)能的粒子

如右圖所示，距水平地面高度為3h處有一豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，從距地面4h高處的A點(diǎn)以初速度v₀水平拋出一帶電小球（可視作質(zhì)點(diǎn)），帶電小球電量為q，質(zhì)量為m，若q、m、h、B滿足關(guān)系式，則小球落點(diǎn)與拋出點(diǎn)A的水平位移S是                                                        

（     ）

_A．                                        B．

C．                                      D．

如右圖所示，帶有正電荷的A粒子和B粒子同時(shí)以同樣大小的速度從寬度為d的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的邊界上的O點(diǎn)分別以30°和60°（與邊界的交角）射入磁場(chǎng)，又恰好不從另一邊界飛出，則下列說(shuō)法中正確的是          

（     ）

A．A、B兩粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑之比是

B．A、B兩粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑之比是

C．A、B兩粒子的之比是

D．A、B兩粒子的之比是

2011年“3·15”到來(lái)之際，平板電視終于納入“三包”當(dāng)中，顯示屏等關(guān)鍵零部件包修3年。如右圖所示，電視機(jī)的顯像管中，電子束的偏轉(zhuǎn)是用磁偏轉(zhuǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。電子束經(jīng)過加速電場(chǎng)后，進(jìn)入一圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)方向垂直于圓面。不加磁場(chǎng)時(shí)，電子束將通過磁場(chǎng)中心O點(diǎn)而打到屏幕上的中心M，加磁場(chǎng)后電子束偏轉(zhuǎn)到P點(diǎn)外側(cè)�，F(xiàn)要使電子束偏轉(zhuǎn)回到P點(diǎn)，可行的辦法是                                                 

（     ）

A．增大加速電壓

B．增加偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度

C．將圓形磁場(chǎng)區(qū)域向屏幕靠近些

D．將圓形磁場(chǎng)的半徑增大些

如右圖，勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一個(gè)帶電量為q的離子自a點(diǎn)沿箭頭方向運(yùn)動(dòng)。當(dāng)它運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)，突然吸收了附近的若干個(gè)電子，接著沿另一圓軌道運(yùn)動(dòng)到與a、b在一條直線上的c點(diǎn)。已知，電子電量為e，電子質(zhì)量不計(jì)。由此可知，離子吸收的電子個(gè)數(shù)為                                                              

（     ）

A．                                                     B．

C．                                                     D．

2010年，上海成功舉辦盛大的世界博覽會(huì)�；仨�一下歷屆世博會(huì)，很多科技成果從世博會(huì)上走向世界。例如：1873年奧地利維也納世博會(huì)上，線路意外搭錯(cuò)造就“偶然發(fā)明”，導(dǎo)致發(fā)電機(jī)變成了電動(dòng)機(jī)。如右圖所示，是著名的電磁旋轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)，這一裝置實(shí)際上就是最早的電動(dòng)機(jī)。圖中A是可動(dòng)磁鐵，B是固定導(dǎo)線，C是可動(dòng)導(dǎo)線，D是固定磁鐵。圖中黑色部分表示汞（磁鐵和導(dǎo)線的下半部分都浸沒在汞中），下部接在電源上。請(qǐng)你判斷這時(shí)自上向下看，A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)?                                                                          

（     ）

A．可動(dòng)磁鐵A轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)槟鏁r(shí)針

B．A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向均為逆時(shí)針

C．可動(dòng)導(dǎo)線C轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)轫槙r(shí)針

D．A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向均為順時(shí)針

如右圖所示，豎直光滑的墻面上有一閉合導(dǎo)線框a，在導(dǎo)線框a的下方有一面積比導(dǎo)線框a稍小的磁場(chǎng)區(qū)域b。導(dǎo)線框a從圖示位置自由下落，在其整個(gè)下落過程中，下列說(shuō)法正確的是                            

（     ）

A．導(dǎo)線框做自由落體運(yùn)動(dòng)

B．導(dǎo)線框通過磁場(chǎng)區(qū)域后做曲線運(yùn)動(dòng)

C．導(dǎo)線框通過磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)機(jī)械能會(huì)減少

D．導(dǎo)線框在穿過磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)，上下兩個(gè)導(dǎo)線受到的安培力方向都向上