如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場。已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°。(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處。求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。
解:(1)正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設(shè)為V1,設(shè)對正離子,應(yīng)用動(dòng)能定理有
eU0mV12
正離子垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,作類平拋運(yùn)動(dòng)
受到電場力F=qE0、產(chǎn)生的加速度為a=,即a=
垂直電場方向勻速運(yùn)動(dòng),有2d=V1t
沿場強(qiáng)方向:Y=at2
聯(lián)立解得E0
又tanφ=
解得φ=45°
(2) 正離子進(jìn)入磁場時(shí)的速度大小為V2,正離子在勻強(qiáng)磁場中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,qV2B=
解得離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R=2
(3)根據(jù)R=2可知
質(zhì)量為4m的離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)打在S1,運(yùn)動(dòng)半徑為R1=2
質(zhì)量為16m的離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)打在S2,運(yùn)動(dòng)半徑為R2=2
又ON=R2-R1
由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離ΔS=-R1
聯(lián)立解得ΔS=4(-)
由R′2=(2R1)2+(R′-R1)2,解得R′=R1
再根據(jù)R1<R<R1,解得m<mx<25m
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?重慶)如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年山西省臨汾一中忻州一中長治二中高三第三次四校聯(lián)考(理綜)物理部 題型:計(jì)算題

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來源:2012年四川省遂寧市射洪中學(xué)高考物理模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強(qiáng)E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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