(2011?惠州一模)有一平行板電容器,內(nèi)部為真空,兩個(gè)電極板的間距為d,每一個(gè)正方形電極板的長均為L,電容器內(nèi)有一均勻電場,U為兩個(gè)電極板間的電壓,如圖甲所示.電子從電容器左端的正中央以初速v0射入,其方向平行于電極板之一邊,并打在圖上的D點(diǎn).電子的電荷以-e表示,質(zhì)量以m表示,重力可不計(jì).回答下面各問題(用已知物理的字母表示)
(1)求電子打到D點(diǎn)瞬間的動(dòng)能;
(2)電子的初速v0至少必須大于何值,電子才能避開電極板,逸出電容器外?
(3)若電容器內(nèi)沒有電場,只有垂直進(jìn)入紙面的均勻磁場,其磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,電子從電容器左端的正中央以平行于電極板一邊的初速v0射入,如圖乙所示,則電子的初速v0為何值,電子才能避開電極板,逸出電容器外?
分析:(1)甲圖中,電子電場中偏轉(zhuǎn)過程中,電場力做功e?
U
2
,根據(jù)動(dòng)能定理求解電子打到D點(diǎn)瞬間的動(dòng)能;
(2)電子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向作初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng).當(dāng)電子剛好打到極板邊緣時(shí),水平位移等于板長L,豎直位移等于
d
2
,根據(jù)運(yùn)動(dòng)的分解法,由牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合可求此時(shí)電子的初速v0,即為電子能避開電極板,逸出電容器外的最小速度.
(3)若電容器內(nèi)沒有電場,只有垂直進(jìn)入紙面的均勻磁場,電子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),當(dāng)電子剛好從下右邊緣飛出磁場時(shí)速度最大,當(dāng)電子從下板左邊緣飛出磁場時(shí)速度最小,由幾何知識(shí)求出電子軌跡的半徑,由牛頓第二定律求出速度,得到速度的范圍.
解答:解:(1)甲圖中,根據(jù)動(dòng)能定理得
    e?
U
2
=Ek-
1
2
m
v
2
0

解得,Ek=
1
2
(eU+m
v
2
0
)

(2)設(shè)電子剛好打到極板邊緣時(shí)的速度為v,則
   豎直方向:
d
2
=
1
2
at2

   水平方向:L=vt
又加速度a=
eU
md

聯(lián)立解得,v=
L
d
Ue
m

故電子要逸出電容器外必有v0
L
d
Ue
m

(3)有兩種情況
①電子剛好從下板左邊緣飛出磁場時(shí),做半圓周運(yùn)動(dòng)其半徑R1=
d
4

ev1B=m
v
2
1
R1
得,v1=
eBd
4m

電子避開電極板的條件是v1
eBd
4m

②電子剛好從下右邊緣飛出磁場時(shí),由幾何知識(shí)得
  
R
2
2
=L2+(R2-
d
2
)2

解得,R2=
4L2+d2
4d

則  v2=
eBR2
m
=
(4L2+d2)eB
4dm

電子避開電極板的條件是v2
(4L2+d2)eB
4dm

答:
(1)電子打到D點(diǎn)瞬間的動(dòng)能是
1
2
(eU+m
v
2
0
)

(2)電子的初速v0至少必須大于
L
d
Ue
m
,電子才能避開電極板,逸出電容器外.
(3)電子避開電極板的條件是v1
eBd
4m
或v2
(4L2+d2)eB
4dm
點(diǎn)評:本題是電場與磁場兩種偏轉(zhuǎn)研究方法的對比,電場中運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解法,而磁場中根據(jù)幾何知識(shí)求解軌跡半徑,由牛頓第二定律求解,注意挖掘隱含的臨界條件.
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