(2011?山西模擬)如圖所示,在一底邊長(zhǎng)為2a,θ=30°的等腰三角形區(qū)域內(nèi)(D在底邊中點(diǎn)),有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng).現(xiàn)有一質(zhì)量為m,電量為q的帶正電粒子從靜止開(kāi)始經(jīng)過(guò)電勢(shì)差為U的電場(chǎng)加速后,從D點(diǎn)垂直于EF進(jìn)入磁場(chǎng),不計(jì)重力和與空氣阻力的影響.
(1)若粒子恰好垂直于EC邊射出磁場(chǎng),求磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為多少?
(2)改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,粒子進(jìn)入磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后能打到ED板,求粒子從進(jìn)入磁場(chǎng)到第一次打到ED板的最長(zhǎng)時(shí)間是多少?
(3)改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,可以再延長(zhǎng)粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間,求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的極限時(shí)間.(不計(jì)粒子與ED板碰撞的作用時(shí)間.設(shè)粒子與ED板碰撞前后,電量保持不變并以相同的速率反彈)
分析:(1)由動(dòng)能定理求粒子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)的速度,畫(huà)出粒子的軌跡運(yùn)動(dòng)圖,由幾何知識(shí)求半徑;
(2)從進(jìn)入磁場(chǎng)到第一次打到ED板的圓周軌跡到EC邊相切時(shí),路程最長(zhǎng),運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng);
(3)當(dāng)r越小,后一次打到ED板的點(diǎn)越靠近E端點(diǎn),在磁場(chǎng)中圓周運(yùn)動(dòng)累積路程越大,時(shí)間越長(zhǎng).當(dāng)r為無(wú)窮小,經(jīng)過(guò)n個(gè)半圓運(yùn)動(dòng),最后一次打到E點(diǎn).
解答:解:(1)依題意,粒子經(jīng)電場(chǎng)加速射入磁場(chǎng)時(shí)的速度為v
由qU=
1
2
mv2得:

v=
2qU
m
 ①
粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)其圓心在E點(diǎn),如圖所示,半徑r1=a ②
由洛侖茲力提供向心力:qvB=m
v2
r1
 ③
由①②③式得:B=
1
a
2mU
q
                   
(2)粒子速率恒定,從進(jìn)入磁場(chǎng)到第一次打到ED板的圓周軌跡到EC邊相切時(shí),路程最長(zhǎng),運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng).如圖,設(shè)圓周半徑為r2
由圖中幾何關(guān)系:r2+
r2
sinθ
=a     
得:r2=
1
3
a  …④
最長(zhǎng)時(shí)間t=
πr2
v
  …⑤
由①④⑤式得:t=
πa
3
m
2qU
   
(3)設(shè)粒子運(yùn)動(dòng)圓周半徑為r,r=
mv
qB
,當(dāng)r越小,后一次打到ED板的點(diǎn)越靠近E端點(diǎn),在磁場(chǎng)中圓周運(yùn)動(dòng)累積路程越大,時(shí)間越長(zhǎng).當(dāng)r為無(wú)窮小,經(jīng)過(guò)n個(gè)半圓運(yùn)動(dòng),最后一次打到E點(diǎn).
有:n=
a
2r
   …⑥
圓周運(yùn)動(dòng)周期:T=
2πr
v
   …⑦
最長(zhǎng)的極限時(shí)間:tm=n
T
2
   …⑧
由⑥⑦⑧式得:tm=
πa
2v
=
πa
2
m
2qU
 
答:(1)若粒子恰好垂直于EC邊射出磁場(chǎng),磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為
1
a
2mU
q
;
(2)粒子從進(jìn)入磁場(chǎng)到第一次打到ED板的最長(zhǎng)時(shí)間是
πa
3
m
2qU
;
(3)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的極限時(shí)間為
πa
2
m
2qU
點(diǎn)評(píng):做好此類題目的關(guān)鍵是準(zhǔn)確的畫(huà)出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡圖,利用幾何知識(shí)求出粒子運(yùn)動(dòng)的半徑,再結(jié)合半徑公式和周期公式去分析.
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