A. | a、c兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小關(guān)系為Ea>Ec | |
B. | a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)關(guān)系為φa<φb | |
C. | 一負(fù)點(diǎn)電荷在a點(diǎn)處的電勢(shì)能大于它在b點(diǎn)處的電勢(shì)能 | |
D. | 若將某正點(diǎn)電荷由a點(diǎn)移到c點(diǎn),電場(chǎng)力做負(fù)功 |
分析 電場(chǎng)線密的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度大,電場(chǎng)線疏的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度小,電場(chǎng)力做正功,電勢(shì)能減小,電場(chǎng)力做負(fù)功,電勢(shì)能增加.
解答 解:A、電場(chǎng)線密的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度大,電場(chǎng)線疏的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度小,則a、c兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小關(guān)系為Ea>Ec,故A正確.
B、沿電場(chǎng)方向電勢(shì)降低,所以a點(diǎn)電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高,即φa<φb,故B錯(cuò)誤.
C、由圖可知,負(fù)點(diǎn)電荷子從a到b過程中,電場(chǎng)力做負(fù)功,電勢(shì)能增加,即在a點(diǎn)處的電勢(shì)能小于它在b點(diǎn)處的電勢(shì)能,故C錯(cuò)誤.
D、由圖可判斷,正點(diǎn)電荷由電勢(shì)高的a點(diǎn)移到電勢(shì)低的c點(diǎn),電場(chǎng)力做正功,故D錯(cuò)誤.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),掌握住電場(chǎng)線的特點(diǎn),注意沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)降低,并掌握電場(chǎng)力做功與電勢(shì)能的變化,同時(shí)理解電勢(shì)能的高低還與電荷的電性有關(guān).
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 第2s末小球的速度為10m/s | B. | 前2s內(nèi)小球的位移為20m | ||
C. | 第2s內(nèi)小球的位移為10m | D. | 前2s內(nèi)小球的平均速度為20m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在不同的慣性參考系中,一切物理規(guī)律都是相同的 | |
B. | 真空中的光速在不同的慣性參考系中都是相同的 | |
C. | 根據(jù)狹義相對(duì)論可知,同時(shí)是絕對(duì)的 | |
D. | 根據(jù)狹義相對(duì)論可知,物體的長度、時(shí)間間隔和物體的質(zhì)量都是相對(duì)的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 晶體的分子(或原子、離子)排列是有規(guī)則的 | |
B. | 金剛石、食鹽、玻璃和水晶都是晶體 | |
C. | 單晶體和多晶體有畫定的熔點(diǎn),非晶體沒有固定的熔點(diǎn) | |
D. | 單晶體和多晶體的物理性質(zhì)是.各向異性的,非晶體是各向同性的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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