如圖所示,A、B為不同金屬制成的正方形線框,導線截面積相同,A的邊長是B的二倍,A的密度是B的
1
2
,A的電阻是B的4倍,當它們的下邊在同一高度豎直下落,垂直進入如圖所示的磁場中,A框恰能勻速下落,那么( 。
A.B框一定勻速下落
B.進入磁場后,A、B中感應(yīng)電流強度之比是2:1
C.二框全部進入磁場的過程中,通過截面的電量相等
D.二框全部進入磁場的過程中,消耗的電能之比為1:1
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A、設(shè)線框下落的高度是h,線框做自由落體運動,線框進入磁場時的速度v2=2gh,v=
2gh
,兩線框進入磁場時的速度相等,
線框進入磁場時受到的安培力F=BIL=B
BLv
R
L=
B2L2v
R
,A進入磁場時做勻速直線運動,則
B2L2v
R
=mg,A的邊長是B的二倍,A的電阻是B的4倍,
兩線框的速度相等,由
B2L2v
R
可知,B受到的安培力等于A受到的安培力;導線截面積相同,A的邊長是B的二倍,A的密度是B的
1
2
,則A與B的質(zhì)量相等,
B受到的重力與A的重力相等,所在B進入磁場時,受到的拿破侖等于重力,B受到的合力為零,B做勻速直線運動,故A正確;
B、線框進入磁場時的感應(yīng)電流I=
E
R
=
BLv
R
,A的邊長是B的二倍,A的電阻是B的4倍,進入磁場后,A、B中感應(yīng)電流強度之比是1:2,故B錯誤;
C、感應(yīng)電荷量Q=It=
BLv
R
×
L
v
=
BL2
R
,A的邊長是B的二倍,A的電阻是B的4倍,二框全部進入磁場的過程中,通過截面的電量相等,故C正確;
D、消耗的電能W=I2Rt=(
BLv
R
2×R×
L
v
=
B2L3v
R
,v與B相同,A的邊長是B的二倍,A的電阻是B的4倍,二框全部進入磁場的過程中,消耗的電能之比為2:1,故D錯誤;
故選AC.
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如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,(A板接地,圖中未畫出)間距為d=0.4m,構(gòu)成的電容器電容為C=0.01F.質(zhì)量為m=0.2kg、電量為q=0.1C的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h=0.6m處以v0=1m/s初速射向B板.液滴到達B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達B板上的液滴數(shù)目最多不能超過多少?不考慮液滴間相互作用.

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如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,間距為d,構(gòu)成的電容器電容為C.質(zhì)量為m、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h處以v0初速射向B板.液滴到達B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達B板上的液滴數(shù)目最多不能超過多少?
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