已知：A、B、C、D、E、F六種元素核電荷數(shù)依次增大，屬周期表中前四周期的元素。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子；化合物B₂E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中最高；F能形成紅色(或磚紅色)的F₂O和黑色的FO兩種氧化物。
回答下列問題：
（1）F的原子的M層電子排布式為                           。
（2）B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                   。(用元素符號(hào)表示)
（3）A的簡(jiǎn)單氫化物分子極易溶于水,其主要原因是                                 .
（4）E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是                。其中心原子的雜化方式為          。
（5）F的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子,配位數(shù)為       。
（6）A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則其化學(xué)式為             ；（黑色球表示F原子）,已知緊鄰的白球與黑球之間的距離為a cm, 該晶胞的密度為             g/cm³。

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）。目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。

試回答：
⑴鎵的基態(tài)原子的電子排布式是                 。
⑵砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為           ，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為              。
⑶N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是        。 （用氫化物分子式表示）
⑷砷化鎵可由(CH₃)₃Ga和AsH₃在700℃時(shí)制得。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為           。
⑸比較二者的第一電離能：As______Ga（填“<”、“>”或“=”）。
⑹下列說法正確的是             （填字母）。
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負(fù)性：As>Ga            D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

I．氫能的存儲(chǔ)是氫能應(yīng)用的主要瓶頸，配位氫化物、富氫載體化合韌是目前所采用的主要儲(chǔ)氫材料。
（1）Ti（BH₄）₂是一種過渡元素硼氫化物儲(chǔ)氫材料。在基態(tài)Ti²⁺中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為     ；
（2）液氨是富氫物質(zhì)，是氫能的理想載體，利用實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)氫和輸氫。下列說法正確的是        ；
a．NH₃分子中氮原子的軌道雜化方式為sp²雜化
b．NH⁺₄與PH⁺₄、CH₄、BH^-₄、ClO^—₄互為等電子體
c．相同壓強(qiáng)時(shí)，NH₃的沸點(diǎn)比PH₃的沸點(diǎn)高
d．[Cu（NH₃）₄]²⁺離子中，N原子是配位原子
（3）已知NF₃與NH₃的空間構(gòu)型相同，但NF₃不易與Cu²⁺形成配離子，其原因是        ；
II．氯化鈉是生活中的常用調(diào)味品，也是結(jié)構(gòu)化學(xué)中研究離子晶體時(shí)常用的代表物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

（1）設(shè)氯化鈉晶體中Na⁺與跟它最近鄰的Cl^—之間的距離為r，則該Na⁺與跟它次近鄰的C1^—個(gè)數(shù)為      ，該Na⁺與跟它次近鄰的Cl^—之間的距離為     ；
（2）已知在氯化鈉晶體中Na⁺的半徑為以a pm，Cl^—的半徑為b pm，它們?cè)诰?br />體中是緊密接觸的，則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為     ；（用含a、b的式子袁示）
（3）納米材料的表面原子占總原子數(shù)的比例很大，這是它有許多特殊性質(zhì)的原因。假設(shè)某氯化鈉顆粒形狀為立方體，邊長(zhǎng)為氯化鈉晶胞的10倍，則該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為                。

依據(jù)物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，可以推斷物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。下列利用物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)作出的相應(yīng)推斷不合理的是

A．依據(jù)元素的原子序數(shù)，推斷該元素原子的核外電子數(shù)

B．依據(jù)原子最外層電子數(shù)的多少，推斷元素金屬性、非金屬性的強(qiáng)弱

C．依據(jù)氣體的摩爾質(zhì)量，推斷相同狀態(tài)下不同氣體密度的大小

D．依據(jù)液體物質(zhì)的沸點(diǎn)，推斷將兩種互溶液態(tài)混合物用蒸餾法分離的可行性

下列說法正確的是

A．原子最外層電子數(shù)為2的元素一定處于周期表的第IIA族

B．構(gòu)成單質(zhì)的分子中一定含有共價(jià)鍵

C．同主族元素形成的氧化物的晶體類型均相同

D．金屬與非金屬元素形成的化合物可能是離子化合物

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；
（3）Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；
（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為______平面三角形，SO₃^2－離子的立體構(gòu)型為______三角錐形；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                   ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：______；
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為____________(列式并計(jì)算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

材料是人類賴以生存的重要物質(zhì)基礎(chǔ)。銅、鎳等金屬材料在現(xiàn)代社會(huì)中有著重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問題：
（1）銅在元素周期表中的位置為                          ，鎳的基態(tài)電子排布式為                      。
（2）在配離子[Ni(NH₃)₄]²⁺中，配體中N元素與它相鄰的C和O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ，這三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>            ；配體NH₃中N原子的雜化方式為          。
（3）據(jù)報(bào)道，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素，從而引起廣泛關(guān)注。該晶體的結(jié)構(gòu)可看作由鎂原子和鎳原子在一起進(jìn)行面心立方最密堆積，如圖，晶體中每個(gè)鎂原子周圍距離最近的鎳原子有     個(gè)，若已知晶胞的邊長(zhǎng)為a pm，阿伏伽德羅常數(shù)為N_A，則該晶體的密度的數(shù)學(xué)表達(dá)式為          g?cm^-3（用a和N_A表示，只列式，可不用化簡(jiǎn)）。

原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D、E、F六種元素。其中A的基態(tài)原子有3個(gè)不同的能級(jí)，各能級(jí)中的電子數(shù)相等；C的基態(tài)原子2p能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)與A原子的相同；D為它所在周期中原子半徑最大的主族元素；E和C位于同一主族，F(xiàn)的原子序數(shù)為24。
（1）F原子基態(tài)的核外電子排布式為   。
（2）在A、B、C三種元素中，第一電離能由大到小的順序是   （用元素符號(hào)回答）。
（3）元素B的簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于元素A的簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)，其主要原因是   。
（4）由A、B、C形成的離子CAB^－與AC₂互為等電子體，則CAB^－的結(jié)構(gòu)式為   。
（5）在元素A與E所形成的常見化合物中，A原子軌道的雜化類型為   。
（6）由B、C、D三種元素形成的化合物晶體的晶胞如圖所示，則該化合物的化學(xué)式為        。

A、B是短周期VIIA族的兩種元素，A的非金屬性比B強(qiáng)。下列關(guān)于A、B的說法正確的是
A．A元素的單質(zhì)可以把B元素的單質(zhì)從NaB溶液中置換出來
B．NaA、NaB的晶體都是離子晶體，且NaA晶體的熔點(diǎn)比NaB高
C．HA的沸點(diǎn)比HB高，是因?yàn)?mol HA分子中H-A鍵斷裂時(shí)吸附的能量比1mol
HB分子中H-B鍵斷裂時(shí)吸收的能量多
D．常溫下,溶液的pH均大于7

同一周期（短周期）各元素形成單質(zhì)的沸點(diǎn)變化如下圖所示（按原子序數(shù)連續(xù)遞增順序排列）。該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表。

（1）A原子核外共有________種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子、_______種不同能級(jí)的電子；
（2）元素C的原子核外電子排布式______________________；
（3）解釋上表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：__________________________；
（4）在E、G、H三種元素形成的氫化物中，熱穩(wěn)定性最大的是________（填化學(xué)式）。A、B、C三種原子形成的簡(jiǎn)單離子的半徑由大到小的順序?yàn)開__________（填離子符號(hào)）。