同一周期(短周期)各元素形成單質的沸點變化如下圖所示(按原子序數(shù)連續(xù)遞增順序排列)。該周期部分元素氟化物的熔點見下表。

(1)A原子核外共有________種不同運動狀態(tài)的電子、_______種不同能級的電子;
(2)元素C的原子核外電子排布式______________________;
(3)解釋上表中氟化物熔點差異的原因:__________________________;
(4)在E、G、H三種元素形成的氫化物中,熱穩(wěn)定性最大的是________(填化學式)。A、B、C三種原子形成的簡單離子的半徑由大到小的順序為___________(填離子符號)。
(1)11;  4 (各1分,共2分)
(2)1s22s22p63s23p1(2分)
(3)NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;(1分)Mg2+的半徑比Na+的半徑小,且所帶電荷多,故所帶電荷多,故MgF2的熔點比NaF高。(1分)
(4)HCl;Na> Mg2+ > Al3+ (各1分,共2分)

試題分析:圖中曲線表示8種元素的原子序數(shù)(按遞增順序連續(xù)排列)和單質沸點的關系,H、I的沸點低于0℃,根據(jù)氣體的沸點都低于0℃,可推斷H、I為氣體,含兩種氣體單質的周期為第三周期,則A為Na,B為Mg,C為Al,D為Si,E為P、G為S,H為Cl,I為Ar。
(1)A為Na元素,原子核外電子數(shù)為11,故共有11種同運動狀態(tài)的電子,原子核外電子排布式為1s22s22p63s1,有4種不同能級的電子。
(2)C為Al元素,原子核外電子數(shù)為13,原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p1
(3)首先判斷各物質的晶體類型,相同類型的晶體再比較微粒間作用力的強弱,NaF與 MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小,故MgF2的熔點比NaF高。
(4)同周期自左而右非金屬性增強,非金屬性Cl>S>P,非金屬性越強氫化物越穩(wěn)定,故HCl最穩(wěn)定性;Na+、Mg2+、Al3+電子層結構相同,電子層結構相同核電荷數(shù)越大離子半徑越小,故離子半徑Na+>Mg2+>Al3+。
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

化學中的某些元素是與生命活動密不可分的元素。請回答下列問題:
(1)NH4NO3是一種重要的化學肥料,其中N原子的雜化方式分別是________,NO3的空間構型為____________。
(2)A、B、C三元素的原子序數(shù)依次增大,它們原子的最外層電子排布均為4s1。
①B元素基態(tài)原子電子排布式為___________________________________________。
②A元素單質的晶體堆積模型為________(填字母),其空間利用率為__________。

③氫元素與C元素可形成一種紅色化合物,其晶體結構單元如下圖。則該化合物的化學式為__________(小白球表示H,小黑球表示C)。

(3)已知氮化硼(BN)的一種晶體結構與金剛石相似,則B—N—B之間的夾角是________,氮化硼的密度為3.52 g·cm3,則B—N鍵的鍵長是________pm(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

第4周期元素由于受3d能級電子的影響,性質的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同。
Ⅰ.第4周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大,總趨勢是逐漸增大的。鎵(31Ga)的基態(tài)原子的電子排布式是           ;31Ga的第一電離能卻明顯低于30Zn的,原因是                                                   
                                                     。 
Ⅱ.第4周期過渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物。
(1)CO和NH3可以和很多過渡金屬形成配合物。CO與N2互為等電子體,CO分子中C原子上有一對孤電子對,C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結構,則CO的結構式可表示為    。NH3分子中N原子的雜化方式為    雜化,NH3分子的空間立體構型是    。 
(2)如圖甲所示為二維平面晶體示意圖,所表示的化學式為AX3的是    。 

(3)圖乙為一個銅晶胞,此晶胞立方體的邊長為a cm,Cu的相對原子質量為64,金屬銅的密度為ρ g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為    mol-1(用含a、ρ的代數(shù)式表示)。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

決定物質性質的重要因素是物質結構。請回答下列問題。
(1)紫外光的光子所具有的能量約為399 kJ·mol-1。根據(jù)下表有關蛋白質分子中重要化學鍵的信息,說明人體長時間照射紫外光后皮膚易受傷害的原因: 。 
組成蛋白質的最簡單的氨基酸中的碳原子雜化類型是    。 
共價鍵
C—C
C—N
C—S
鍵能/(kJ·mol-1)
347
305
259
 
(2)C、—CH3(甲基)、C都是重要的有機反應中間體,有關它們的說法中正確的是(  )
A.它們均由甲烷去掉一個氫原子所得
B.它們互為等電子體,碳原子均采取sp2雜化
C.C與NH3、H3O+互為等電子體,幾何構型均為三角錐形
D.C中的碳原子采取sp2雜化,所有原子均共面
E.兩個—CH3(甲基)或一個C和一個C結合均可得到CH3CH3
(3)金屬陽離子含未成對電子越多,則磁性越強,磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中,適合作錄音帶磁粉原料的是    。 
(4)某配合物的分子結構如下圖所示,其分子內不含有    (填序號)。 
A.離子鍵 B.極性鍵 C.金屬鍵 D.配位鍵 E.氫鍵 F.非極性鍵

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

有a、b、c、d、f五種前四周期元素,原子序數(shù)依次增大,a、b、c三種元素的基態(tài)原子具有相同的能層和能級,第一電離能I1(a)<I1(c)<I1(b)且其中基態(tài)b原子的2p軌道處半充滿狀態(tài),已知bc2+與ac2互為等電子體,d為周期表前四周期中電負性最小的元素,f的原子序數(shù)為29。請回答下列問題。(如需表示具體元素請用相應的元素符號)
(1)寫出bc2+的電子式__________,基態(tài)f原子的核外電子排布式為___________。
(2)b的簡單氫化物極易溶于c的簡單氫化物,其主要原因是                 。

(3)化合物甲由c、d兩種元素組成,其晶胞如甲圖,甲的化學式___________。
(4)化合物乙的部分結構如乙圖,乙由a、b兩元素組成,硬度超過金剛石。①乙的晶體類型為________________________,其硬度超過金剛石的原因是_________________________。
②乙的晶體中a、b兩種元素原子的雜化方式均為___________________。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列說法正確的是
A.原子最外層電子數(shù)為2的元素一定處于周期表的第IIA族
B.構成單質的分子中一定含有共價鍵
C.同主族元素形成的氧化物的晶體類型均相同
D.金屬與非金屬元素形成的化合物可能是離子化合物

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個能級,且每個能級所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個運動狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負性最小的元素;E的最高價氧化物的水化物酸性最強;F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個周期。
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是_______用元素符號表示)。
(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為_______。
(3)F原子的外圍電子排布式為________________________________________,F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是下圖中的_______(填寫“甲”、“乙”或“丙”)。

(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是______________________。
(5)已知DE晶體的晶胞如下圖所示:若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個“小立方體”中心各放置一個A原子,且這4個“小立方體”相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A — A鍵的鍵長acm, NA表示阿伏加德羅常數(shù)),則該晶胞中含有個   A原子,該晶體的密度是_____g/cm3。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F、G、H八種前四周期元素,原子序數(shù)依次增大,化合物甲由A、D、E三種元素組成,常溫下0.1mol/L甲溶液的pH=13;B、F同主族,F(xiàn)是重要的半導體材料。G為前四周期單電子數(shù)最多的元素,H最外層電子數(shù)與G相同。
(1)G的元素符號是_________原子的價電子排布圖為______________
(2)短周期元素I與F性質相似,晶體類型相同,基本單元如圖所示,可表示為I12,則其基本結構中含有正三角形的個數(shù)為____________

(3)C與其同族相鄰元素J所形成的簡單氣態(tài)氫化物鍵角大小關系_______________(用 化學式表示)原因_____________________________
(4)B與D兩元素組成的常見無機粒子中,其空間構型可能是          (填寫序號)。
a.直線型       b.平面三角形         c.三角錐形        d.正四面體
(5)H原子晶體堆積模型為________________,若其密度為ρg/cm3 阿伏伽德羅常數(shù)為NA,求最近兩個H原子間的距離為_________________pm(列出計算式)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

常見元素A、B、C、D,其原子結構的相關信息如下表:
元素
相關信息
A
A原子的核外電子總數(shù)等于其基態(tài)電子層數(shù)
B
B原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍
C
C的基態(tài)原子L電子層中有3個未成對電子
D
D的外圍電子層排布為(n+1)d3n(n+2)sn
 
請回答下列問題:
(1)A的原子結構示意圖是_______;D元素位于周期表第______周期 ______族。
(2)在由B和A形成的眾多分子中,只要B原子的成鍵軌道滿足______(填字母序號),分子中所有的原子就有可能在同一個平面內。
A.sp3或sp2雜化軌道
B.sp3或sp雜化軌道
C.sp或sp2雜化軌道
(3)如圖,在B晶體的一個晶胞中含有______個B原子。

(4)制備C2A4的方法是用次氯酸鈉(NaClO)溶液氧化過量的CA3。
①CA3分子是______(填“極性”或“非極性”)分子。
②寫出制備C2A4的總反應方程式____________
(5)DC13晶體溶于水溶液呈酸性,其原因是(用離子方程式表示):______________________________

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