A. | 第ⅠA 族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而升高 | |
B. | 鹵族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而升高 | |
C. | 第ⅤA族元素的氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而升高 | |
D. | 第三周期元素形成的簡單離子半徑隨著原子序數(shù)遞增而增大 |
分析 A.ⅠA 族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而減;
B.鹵素單質(zhì)的熔點(diǎn)與相對分子質(zhì)量有關(guān);
C.第ⅤA族元素的氣態(tài)氫化物中,氨氣分子間含氫鍵,沸點(diǎn)最大;
D.電子層越多,離子半徑越大,具有相同原子序數(shù)的離子中原子序數(shù)大的離子半徑最小.
解答 解:A.金屬的熔點(diǎn)與金屬鍵有關(guān),由原子半徑可知,ⅠA 族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而減小,故A錯誤;
B.鹵素單質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越大,則鹵族元素單質(zhì)的熔點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而升高,故B正確;
C.第ⅤA族元素的氣態(tài)氫化物中,氨氣分子間含氫鍵,沸點(diǎn)最大,其它氫化物中沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)遞增而升高,故C錯誤;
D.電子層越多,離子半徑越大,具有相同原子序數(shù)的離子中原子序數(shù)大的離子半徑最小,則第三周期中陰離子半徑大于陽離子半徑,且鋁離子半徑最小,故D錯誤;
故選B.
點(diǎn)評 本題考查周期表和周期律的綜合應(yīng)用,為高頻考點(diǎn),把握元素的位置、元素的性質(zhì)為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,注意元素化合物知識及周期律的應(yīng)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 在正極上發(fā)生氧化反應(yīng) | B. | 化學(xué)性質(zhì)較活潑的金屬為負(fù)極 | ||
C. | 在外電路,電子流出正極 | D. | 是由電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能的裝置 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | SO2的漂白原理與次氯酸相同 | B. | 硫在足量空氣中燃燒生成大量SO3 | ||
C. | 濃硫酸可以干燥H2、H2S、CO2等氣體 | D. | 可用鋁槽儲運(yùn)濃硫酸 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑:Br>Se | |
B. | 還原性:H2Se>HBr | |
C. | Se在元素周期表中位于第四周期第六族 | |
D. | 在Se2Br2分子中只含有極性鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | CH4、CCl4、C60都是含有極性鍵的非極性分子 | |
B. | 非金屬氫化物的穩(wěn)定性順序:H2O>H2S>H2Se,HCl<H2S<PH3 | |
C. | 弱電解質(zhì)水溶液導(dǎo)電能力不一定比強(qiáng)電解質(zhì)水溶液導(dǎo)電能力弱 | |
D. | 空間利用率:簡單立方堆積<體心立方堆積<六方最密堆積<面心立方最密堆積 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 含1molNa2CO3的溶液中CO32-的微粒數(shù)目 | |
B. | 常溫常壓下,22.4 L N2的原子數(shù)目 | |
C. | 46gNO2和N2O4的混合氣體中的原子數(shù) | |
D. | 28g鐵在反應(yīng)中作還原劑時,失去電子的數(shù)目 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 硫原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖: | |
B. | NH4Cl的電子式: | |
C. | 原子核內(nèi)有10個中子的氧原子:${\;}_{8}^{18}$O | |
D. | 用電子式表示氯化氫分子的形成過程: |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 0.1mol/L的該溶液中含有0.2NA個SO42- | |
B. | 該溶液中Cu2+、H+、NO3-可以大量共存 | |
C. | 滴入Ba(OH)2溶液恰好使SO42-完全沉淀的離子方程式為:2Ba2++Al3++2SO42-+4OH-═AlO2-+2BaSO4↓+2H2O | |
D. | 該溶液加熱蒸干后得到Al2O3固體 |
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