【題目】201875日《科學》雜志在線報道:合成一種新的具有超高熱導率半導體材料——砷化硼(BAs)。通過反應(yīng)4BI3(g) + As4(g)4BAs(s,晶體) + 6I2(g)可制備BAs晶體。下列說法錯誤的是()

圖(a 圖(b 圖(c

A. 圖(a)表示As4結(jié)構(gòu),As4分子中成鍵電子對與孤電子對數(shù)目之比為3:1

B. 圖(b)表示晶態(tài)單質(zhì)硼的B12基本結(jié)構(gòu)單元,該基本單元為正20面體

C. 圖(b)所示晶態(tài)單質(zhì)硼的熔點為2180℃,它屬于原子晶體

D. 圖(c)表示BAs晶胞結(jié)構(gòu),As原子的配位數(shù)為4

【答案】A

【解析】

A. 圖(a)表示As4結(jié)構(gòu),每個As原子最外層有5個電子,形成3個σ鍵,還有1對孤電子對,As4分子中成鍵電子對與孤電子對數(shù)目之比為6:4,即3:2,故A錯誤;

B. 圖(b)表示晶態(tài)單質(zhì)硼的B12基本結(jié)構(gòu)單元,每個面都是由3個B原子形成的正三角形,每個B原子被5個正三角形共用,一共20個面,所以該基本單元為正20面體,故B正確;

C. 單質(zhì)硼的熔點為2180℃,熔點較高,且原子間通過共價鍵結(jié)合,屬于原子晶體,故C正確;

D. BAs晶胞中,較大的原子為As原子,在其周圍最近的B原子數(shù)目為4,所以As原子的配位數(shù)為4,故D正確;

故選A。

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B.圖中c點所示條件下,v(正)>v(逆)

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