A. | 晶體硅沒有固定的熔沸點(diǎn) | |
B. | 形成晶體硅的速率越快越好 | |
C. | 可用于X-射線衍射實(shí)驗(yàn)來鑒別晶體硅和玻璃 | |
D. | 晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān),形成的晶體無各向異性 |
分析 A.晶體和非晶體的區(qū)別:晶體有固定的熔點(diǎn),非晶體沒有固定的熔點(diǎn);
B.結(jié)晶速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降;
C.X射線衍射實(shí)驗(yàn)?zāi)軌驕y出物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),根據(jù)微粒是否有規(guī)則的排列就能區(qū)分出晶體與非晶體;
D.晶體具有各向異性;
解答 解:A.晶體有固定的熔點(diǎn),非晶體沒有固定的熔點(diǎn),故A錯(cuò)誤;
B.晶體的形成都要有一定的形成條件,如溫度、壓強(qiáng)、結(jié)晶速率等,但并不是說結(jié)晶速率越快越好,速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降,故B錯(cuò)誤;
C.晶體與非晶體最本質(zhì)的區(qū)別是組成物質(zhì)的粒子在微觀空間是否有序排列,x射線衍射可以看到微觀結(jié)構(gòu),所以區(qū)別晶體與非晶體最可靠的科學(xué)方法是對固體進(jìn)行x-射線衍射實(shí)驗(yàn),故C正確;
D.晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān),形成的晶體有各向異性,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評 本題考查了晶體與非晶體的區(qū)別,題目比較簡單,注意晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和物理性質(zhì).
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 在Y、N的最高價(jià)氧化物中,Y、N與氧原子之間均為雙鍵 | |
B. | 一定條件下,Y單質(zhì)能置換出N單質(zhì),M能置換出X單質(zhì) | |
C. | N元素位于元素周期表中第3周期I V族 | |
D. | 四種元素的原子半徑:X<Y<M<N |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | CH3CH(OH)CH3 | B. | CH3CH2CH2CH2OH | C. | CH3CH2CH2OH | D. | CH3CH2OCH2CH3 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 可以確定該微粒為Ne | |
B. | 對應(yīng)元素的單質(zhì)可能是強(qiáng)還原劑 | |
C. | 對應(yīng)元素可能是電負(fù)性最大的元素 | |
D. | 對應(yīng)元素可能位于元素周期表中第13列 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | σ鍵的特征是軸對稱,π鍵的特征是鏡面對稱 | |
B. | 氣體單質(zhì)中一定有σ鍵,可能有π鍵 | |
C. | 乙烯與氫氣發(fā)生加成反應(yīng)時(shí),乙烯分子中有π鍵斷裂 | |
D. | 當(dāng)原子形成分子時(shí),首先形成σ鍵,可能形成π鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
鹵族元素 | 氟 | 氯 | 溴 | 碘 |
第一電離能(kJ•mol-1) | 1681 | 1251 | 1140 | 1008 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 電流方向從B極沿導(dǎo)線經(jīng)小燈泡流向A極 | |
B. | A極的電極反應(yīng)式為 | |
C. | 當(dāng)外電路中有0.2mole-轉(zhuǎn)移時(shí),通過質(zhì)子交換膜的H+的個(gè)數(shù)為0.2NA | |
D. | B極為電池的正極,發(fā)生還原反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 100mL容量瓶 | B. | 100mL集氣瓶 | C. | 100mL燒瓶 | D. | 100mL滴瓶 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 加水,SO3-濃度增大 | |
B. | 通入少量Cl2氣體,溶液pH增大 | |
C. | 加少量CaSO3粉末,HSO3-濃度基本不變 | |
D. | 通入少量HCl氣體,溶液中HSO3-濃度減小 |
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