分析 X、Q、R、Z、T、U分別代表原子序數(shù)依次增大的元素.X是原子半徑最小的元素,則X為H元素;R和T屬同族,T的原子序數(shù)是R的兩倍,則R為O元素、T為S元素;短周期中Q原子含有的未成對(duì)電子數(shù)最多,處于VA族,原子序數(shù)小于氧,故Q為N元素;Z的單質(zhì)的同周期中熔點(diǎn)最高,原子序數(shù)大于氧、小于硫,故Z為Si;U5+的核外電子排布和氬元素相同,原子核外電子數(shù)為18+5=23,故U為V元素.
解答 解:X、Q、R、Z、T、U分別代表原子序數(shù)依次增大的元素.X是原子半徑最小的元素,則X為H元素;R和T屬同族,T的原子序數(shù)是R的兩倍,則R為O元素、T為S元素;短周期中Q原子含有的未成對(duì)電子數(shù)最多,處于VA族,原子序數(shù)小于氧,故Q為N元素;Z的單質(zhì)的同周期中熔點(diǎn)最高,原子序數(shù)大于氧、小于硫,故Z為Si;U5+的核外電子排布和氬元素相同,原子核外電子數(shù)為18+5=23,故U為V元素.
(1)U基態(tài)原子核外電子數(shù)為23,原子結(jié)構(gòu)示意圖為:,
故答案為:;
(2)在(NH4)2SO4中銨根離子與硫酸根離子之間形成離子鍵,銨根離子中含有共價(jià)鍵、配位鍵,硫酸根離子中也含有共價(jià)鍵,沒有金屬鍵,
故選:abc;
(3)同主族自上而下第一電離能減小,氮元素2p軌道為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素的,故第一電離能由大到小的順序是:N>O>S,
故答案為:N>O>S;
(4)SO2分子中S原子沒有全部成鍵,屬于極性分子,
SiO2晶體中Si原子與掌握的4個(gè)O原子形成4個(gè)Si-O鍵,6g SiO2的物質(zhì)的量為$\frac{6g}{60g/mol}$=0.1mol,所含Si-O鍵的數(shù)目為0.4mol,
故答案為:極性;0.4mol;
(5)晶胞中V原子數(shù)目為1+8×$\frac{1}{8}$=2,O原子數(shù)目為2+4×$\frac{1}{2}$=4,該化合物的化學(xué)式為VO2,
故答案為:VO2.
點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等,掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 干冰與二氧化硅晶體熔化時(shí),所克服的微粒間相互作用不相同 | |
B. | 白磷(P4)分子是正四面體結(jié)構(gòu),故分子中的鍵角為1090281 | |
C. | CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的Cl-和每個(gè)Cl-周圍緊鄰的Cs+個(gè)數(shù)相等 | |
D. | 晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 離子半徑:S2->Na+ | B. | 熱穩(wěn)定性:HCl>HF | ||
C. | 酸性:H3BO3>H2CO3 | D. | 堿性:Al(OH)3>Ca(OH)2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 除④⑦外 | B. | 除③⑥外 | C. | ①②⑤ | D. | 除④外 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
反應(yīng)物 | 催化劑 | 溫度 | |
A | 10mL20% H2O2溶液 | 無 | 40℃ |
B | 10mL20% H2O2溶液 | 無 | 25℃ |
C | 10mL20% H2O2溶液 | 1mL0.1mol•L-1FeCl3溶液 | 40℃ |
D | 10mL10% H2O2溶液 | 無 | 25℃ |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 加熱金屬鋁使之熔化 | B. | 液態(tài)SO3受熱蒸發(fā) | ||
C. | 加熱HI氣體使之分解 | D. | 加熱石英晶體使之熔化 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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