Question

5．下面是改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的工藝流程．

（1）用惰性電極電解飽和食鹽水，寫(xiě)出常溫下X與Z反應(yīng)的化學(xué)方程式Cl₂+2NaOH=NaCl+NaClO+H₂O．
（2）在合成SiHCl₃的過(guò)程中，還會(huì)有生成副產(chǎn)物SiCl₄．已知兩物質(zhì)的沸點(diǎn)分別為57.6℃和31.8℃，則提純SiHCl₃的方法是蒸餾．
（3）SiHCl₃提純后用H₂還原：SiHCl₃（g）+H₂（g）?Si（s）+3HCl（g）．不同溫度及不同$\frac{n（{H}_{2}）}{n（SiHC{l}_{3}）}$時(shí)，反應(yīng)物X的平衡轉(zhuǎn)化率關(guān)系如圖圖1所示．

①X是SiHCl₃（填“H₂”或“SiHCl₃”）．
②上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K（1150℃）＞K（950℃）（填“＞”、“＜”或“=”）．
（4）SiH₄（硅烷）法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法．用粗硅作原料，熔融鹽電解法制取硅烷原理如圖2所示，電解時(shí)陽(yáng)極的電極反應(yīng)式為Si+4H^--4e^-=SiH₄↑．

Answer 1

分析 （1）用惰性電極電解飽和食鹽水生成氫氧化鈉、氫氣和氯氣，又Y與Z點(diǎn)燃反應(yīng)，則X為氫氧化鈉，Z為氯氣，據(jù)此書(shū)寫(xiě)；
（2）根據(jù)沸點(diǎn)不同分離的方法為蒸餾；
（3）①根據(jù)圖象可知：橫坐標(biāo)表示氫氣的量增多；
②溫度越高，SiHCl₃的轉(zhuǎn)化率高，即反應(yīng)進(jìn)行的程度大；
（4）電解池中的陽(yáng)極上發(fā)生失電子的氧化反應(yīng)，單質(zhì)硅失電子后和H^-結(jié)合生成SiH₄；

解答 解：（1）用惰性電極電解飽和食鹽水生成氫氧化鈉、氫氣和氯氣，又Y與Z點(diǎn)燃反應(yīng)，則X為氫氧化鈉，所以常溫下X與Z反應(yīng)的化學(xué)方程式Cl₂+2NaOH=NaCl+NaClO+H₂O，故答案為：Cl₂+2NaOH=NaCl+NaClO+H₂O；
（2）因?yàn)閮晌镔|(zhì)的沸點(diǎn)分別為57.6℃和31.8℃，所以提純SiHCl₃的方法是蒸餾，故答案為：蒸餾；
（3）①兩種反應(yīng)物，增加其中一種，另一種物質(zhì)的轉(zhuǎn)化率增大，自身的轉(zhuǎn)化率反而減小，橫坐標(biāo)表示氫氣的量增多，所以縱坐標(biāo)表示的轉(zhuǎn)化率提高應(yīng)為SiHCl₃，故答案為：SiHCl₃；   
②當(dāng)$\frac{n（H{\;}_{2}）}{n（SiHCl{\;}_{3}）}$一定時(shí)，溫度越高，SiHCl₃的轉(zhuǎn)化率高，即反應(yīng)進(jìn)行的程度大，所以高溫時(shí)的化學(xué)平衡常數(shù)大，則該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大，即K（1150℃）＞K（950℃）；
故答案為：＞；
（4）從圖示知，H^-移向陽(yáng)極生成SiH₄，電極反應(yīng)式為Si+4H^--4e^-=SiH₄↑，故答案為：Si+4H^--4e^-=SiH₄↑．

點(diǎn)評(píng) 本題考查硅及其化合物的性質(zhì)，讀懂圖象、理順平衡常數(shù)與轉(zhuǎn)化率間的關(guān)系、注意電化學(xué)電極反應(yīng)式的書(shū)寫(xiě)是解題的關(guān)鍵，題目難度中等．