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科目: 來源:gzwl 題型:

A、B兩個物體從同一地點在同一直線上做勻變速直線運動,它們的速度圖象如圖所示,則( 。
A.A、B兩物體運動方向相反
B.t=4s時,A、B兩物體相遇
C.在相遇前,t=4s時A、B兩物體相距最遠
D.在相遇前,A、B兩物體最遠距離20m
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

一種新型雙門電冰箱安裝了控制裝置:只要有一扇門沒有關緊,報警器就鳴響.若“門沒關緊”為高電勢,報警器接地,則能正確表示該控制裝置工作原理的邏輯門是( 。
A.與門B.或門C.非門D.與非門

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科目: 來源:gzwl 題型:

兩物體甲和乙在同一直線上運動,它們在0~0.4s時間內(nèi)的v-t圖象如圖所示.若僅在兩物體之間存在相互作用,則物體甲與乙的質(zhì)量之比和圖中時間t1分別為( 。
A.
1
3
和0.30s
B.3和0.30sC.
1
3
和0.28s
D.3和0.28s
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

如圖所示,質(zhì)量不計的彈簧豎直固定在水平面上,t=0時刻,將一金屬小球從彈簧正上方某一高度處由靜止釋放,小球接觸彈簧并將彈簧壓縮至最低點(形變在彈性限度內(nèi)),然后又被彈起離開彈簧,上升到一定高度后又下落,如此反復.通過安裝在彈簧下端的壓力傳感器,測出該過程中彈簧彈力F隨時間t變化的圖象如圖所示,則( 。
A.運動過程中小球的機械能守恒
B.t2時刻小球的加速度為零
C.t1~t2這段時間內(nèi),小球的動能在逐漸減小
D.t2~t3這段時間內(nèi),小球的動能與重力勢能之和在增加
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

“神舟”八號經(jīng)過變軌后,最終在距離地球表面約343公里的圓軌道上正常飛行,約90分鐘繞地球一圈.則下列說法錯誤的是( 。
A.“神舟”八號繞地球正常飛行時宇航員的加速度小于9.8m/s2
B.“神舟”八號繞地球正常飛行的速率可能大于8km/s
C.“神舟”八號飛船在軌道上正常飛行時,宇航員會處于完全失重狀態(tài)而懸浮
D.“神舟”八號運行的周期比地球近地衛(wèi)星的周期大
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

一列簡諧橫波沿x軸正方向傳播,t時刻與(t+0.6)時刻的波形圖正好重合,如圖所示.則下列說法中正確的是( 。
A.質(zhì)點振動周期可能為1.2s
B.該波的波速可能為10m/s
C.在(t+0.4)時刻,x=-1m處的質(zhì)點位移可能為零
D.從(t+0.3)時刻開始計時,x=0.5m處的質(zhì)點可能比x=-0.5m處的質(zhì)點先到達波峰位置
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

如圖所示,在O≤x≤L和2L≤x≤3L的區(qū)域內(nèi)存在著勻強磁場,磁場的方向垂直于xOy平面(紙面)向里,具有一定電阻的正方形線框abcd邊長為2L,位于xOy平面內(nèi),線框的ab邊與y軸重合.令線框從t=0時刻由靜止開始沿x軸正方向做勻加速直線運動,則線框中的感應電流i(取逆時針方向的電流為正)隨時間t的函數(shù)圖象大致是下列圖中的(  )
A.
魔方格
B.
魔方格
C.
魔方格
D.
魔方格
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

下列說法正確的是 ( 。
A.在波的傳播過程中,質(zhì)點的振動頻率等于波源的振動頻率,振動速度等于波的傳播速度
B.愛因斯坦狹義相對論指出,真空中的光速在不同的慣性參考系中都是相同的
C.在光的雙縫干涉實驗中,若僅將入射光由紅光改為綠光,根據(jù)λ=
d
L
△x
,則可確定干涉條紋間距變窄
D.水中的氣泡看起來特別明亮,是因為光從水射向氣泡時,一部分光在界面上發(fā)生了全反射的緣故
E.光纖通信、全息照相、數(shù)碼相機及醫(yī)用纖維式內(nèi)窺鏡都是利用了光的全反射原理

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科目: 來源:gzwl 題型:

A、B、C、D分別是一個菱形的四個頂點,∠ABC=120°.現(xiàn)將三個等量的正點電荷+Q固定在A、B、C三個頂點上,將一個電量為-q的點電荷依次放在菱形中心點O點和另一個頂點D點處,兩點相比(  )
A.D點的電場強度大于O點的電場強度
B.D點的電勢高于O點的電勢
C.-q在D點所具有的電勢能較大
D.-q在D點所受的電場力較小
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

半導體指紋傳感器:在一塊半導體基板上陣列了10萬金屬顆粒,傳感器陣列的每一點是一個金屬電極,充當電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導體電容感應顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對電容感應顆粒預先充電到某一參考電壓,然后對每個電容的放電電流進行測量,設備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則(  )
A.指紋的嵴處與半導體基板上對應的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導體基板上對應的金屬顆粒距離遠,電容小
C.對每個電容感應顆粒都充電至某一參考電壓時,在手指靠近時,各金屬電極電量減小
D.對每個電容感應顆粒都充電至某一參考電壓時,在手指遠離時,各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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