如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連.一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng).用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U并用計(jì)算機(jī)繪制出U-t圖象.若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是( 。
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源:豐臺(tái)區(qū)二模 題型:單選題

如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連.一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng).用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U并用計(jì)算機(jī)繪制出U-t圖象.若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是(  )
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科目:高中物理 來(lái)源:2011年北京市豐臺(tái)區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連.一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng).用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U并用計(jì)算機(jī)繪制出U-t圖象.若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是( )

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科目:高中物理 來(lái)源:2011年北京大學(xué)附中高考物理適應(yīng)性訓(xùn)練(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連.一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng).用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U并用計(jì)算機(jī)繪制出U-t圖象.若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是( )

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科目:高中物理 來(lái)源:北京模擬題 題型:單選題

如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連。一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng)。用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U,并用計(jì)算機(jī)繪制出U---t圖象。若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是
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科目:高中物理 來(lái)源:四中大考卷-高二物理(下冊(cè))、單元測(cè)試6電磁感應(yīng)(三) 題型:013

如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有水平放置的兩條平行金屬導(dǎo)軌,垂直于導(dǎo)軌放置的兩根金屬棒PQ與MN正以速度v向右運(yùn)動(dòng).從t=0時(shí)刻開(kāi)始,MN作勻加速運(yùn)動(dòng),PQ仍勻速運(yùn)動(dòng),若只考慮兩個(gè)金屬棒的電阻,導(dǎo)軌電阻不計(jì),則回路中的電流與時(shí)間的正確關(guān)系是

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?豐臺(tái)區(qū)二模)如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩條水平放置的電阻可忽略的光滑平行金屬軌道,軌道左端接一個(gè)阻值為R的電阻,R兩端與電壓傳感器相連.一根導(dǎo)體棒(電阻為r)垂直軌道放置,從t=0時(shí)刻起對(duì)其施加一向右的水平恒力F,使其由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng).用電壓傳感器瞬時(shí)采集電阻R兩端的電壓U并用計(jì)算機(jī)繪制出U-t圖象.若施加在導(dǎo)體棒上的水平恒力持續(xù)作用一段時(shí)間后撤去,那么計(jì)算機(jī)繪制的圖象可能是(  )

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,兩條足夠長(zhǎng)的互相平行的光滑金屬導(dǎo)軌位于水平面內(nèi),距離為L(zhǎng)=0.5m.在導(dǎo)軌的一端分別接有阻值均為0.6Ω的電阻R1、R2,在x≥0處有一與水平面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1T.一質(zhì)量m=0.2kg的金屬桿垂直放置在導(dǎo)軌上,金屬直桿的電阻是r=0.2Ω,其他電阻忽略不計(jì),金屬直桿以一定的初速度v0=4m/s進(jìn)入磁場(chǎng),同時(shí)受到沿x軸正方向的恒力F=3.5N的作用,在x=2m處速度達(dá)到穩(wěn)定.求:
(1)金屬直桿達(dá)到的穩(wěn)定速度v1是多大?
(2)從金屬桿進(jìn)入磁場(chǎng)到金屬直桿達(dá)到穩(wěn)定速度的過(guò)程中,電阻R1上產(chǎn)生的熱量是多大?通過(guò)R1的電量是多大?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,在以O(shè)為圓心,R為半徑的圓形區(qū)域內(nèi),有一個(gè)水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向外,豎直平行放置的極板A、K相距為d,AK之間的電壓可以調(diào)節(jié),S1、S2為A、K極板上的兩個(gè)小孔,且S1、S2和O三點(diǎn)在垂直極板的同一直線上,OS2=R,O點(diǎn)跟收集器D之間的距離為H,H>R,質(zhì)量為m、電量為q的正離子經(jīng)S1進(jìn)入電場(chǎng)后,自S2向中心射去,不計(jì)離子進(jìn)入電場(chǎng)時(shí)的初速度和重力,問(wèn):
(1)為使正離子經(jīng)S2進(jìn)入磁場(chǎng)做圓周運(yùn)動(dòng)后,以跟進(jìn)入時(shí)的速度相垂直的方向離開(kāi)磁場(chǎng),A、K之間的電壓應(yīng)為多大?
(2)在滿足(1)的條件下,離子自S1到收集器D總共需要多少時(shí)間?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一豎直放置的平行金屬板M和N,兩板間距離為L(zhǎng),在MN板中央各有一個(gè)小孔O2、O3、O1、O2、O3在同一水平直線上,與平行金屬板相接的是兩條豎直放置間距為L(zhǎng)的足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)軌接觸良好,與阻值為R的電陰形成閉合回路(導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì)),該回路處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,整個(gè)裝置處在真空室中,有一束電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子流(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出.現(xiàn)釋放導(dǎo)體棒PQ,其下滑h后開(kāi)始勻速運(yùn)動(dòng),此后粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出.求:
(1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′.
(2)導(dǎo)體棒的質(zhì)量M.
(3)棒下落h的整個(gè)過(guò)程中,電阻上產(chǎn)生的電熱.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,有兩條平行的水平軸線x1、x2相距為d,在上方有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅰ,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為2B,在x2下方有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅱ,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B;在x1和x2之間有豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E.一質(zhì)量為m,帶正電荷量為q的微粒從x1軸上的O點(diǎn)以速度v0,豎直向上射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅰ中,其后該微粒將多次穿越x1和x2軸,若微粒的重力不計(jì),電場(chǎng)強(qiáng)度E 滿足:E=
3m
v
2
0
2qd
,求:
(1)從O點(diǎn)射入后,微粒第2次經(jīng)過(guò)x1軸時(shí)與O點(diǎn)的距離;
(2)微粒從O點(diǎn)射入后到第4次通過(guò)x1軸線所用的時(shí)間.

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