題目列表(包括答案和解析)
擺長l/m | 0.5 | 0.6 | 0.8 | 1.1 |
周期T2/s2 | 2.0 | 2.4 | 3.2 | 4.8 |
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是 ( )
A.可以求出金屬框的邊長
B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)
C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等
A.可以求出金屬框的邊長 |
B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1) |
C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同 |
D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等 |
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是 ( )
A.可以求出金屬框的邊長
B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)
C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是 ( )
A.可以求出金屬框的邊長 |
B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1) |
C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同 |
D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等 |
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