如圖所示，實(shí)線是一列簡諧波在某一時(shí)刻的波形圖線，虛線是0．2s后它的波形圖線。求這列波的傳播速度

a、b兩種單色光以相同的入射角從某種介質(zhì)射向真空，光路如圖所示，則以下敘述正確的是：

      A．a(chǎn)光的全反射臨界角小于b光的全反射臨界角。

      B．通過同一雙縫干涉裝置，a光的干涉條紋間距比b光的寬。

      C．在該介質(zhì)中a光的傳播速度小于b光的傳播速度。

      D．在該介質(zhì)中a光的波長大于b光的波長。

如圖所示，一定質(zhì)量的理想氣體被活塞封閉在可導(dǎo)熱的氣缸內(nèi)，活塞相對于底部的高度為h，可沿氣缸無摩擦地滑動(dòng)．取質(zhì)量為m的沙子緩慢地倒在活塞的上表面上。沙子倒完時(shí)，活塞下降了h/4，再取一定質(zhì)量的沙子緩慢地倒在活塞的上表面。外界大氣的壓強(qiáng)和溫度始終保持不變，此次沙子倒完時(shí)活塞距氣缸底部的高度力h／2．求第二次倒在活塞上的沙子的質(zhì)量。

下列說法正確的是    。

       A．氣體的內(nèi)能是分子熱運(yùn)動(dòng)的動(dòng)能和分子間的勢能之和：

       B．氣體的溫度變化時(shí)，其分子平均動(dòng)能和分子間勢能也隨之改變；

       C．功可以全部轉(zhuǎn)化為熱，但熱量不能全部轉(zhuǎn)化為功；

       D．一定量的氣體，在體積不變時(shí)，分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減�。�

在水平光滑的絕緣桌面內(nèi)建立如圖所示的直角坐標(biāo)系xOy，將第1、II象限稱為區(qū)域一，第Ⅲ、Ⅳ象限稱為區(qū)域二，其中一個(gè)區(qū)域內(nèi)有勻強(qiáng)電場，另一個(gè)區(qū)域內(nèi)有大小為2×10^-2T、方向垂直桌面的勻強(qiáng)磁場，把一個(gè)比荷為 C／kg的正電荷從坐標(biāo)為（0，-1）的A點(diǎn)處由靜止釋放，電荷以一定的速度從坐標(biāo)為（1，0）的C點(diǎn)第一次經(jīng)x軸進(jìn)入?yún)^(qū)域一，經(jīng)過一段時(shí)間，從坐標(biāo)原點(diǎn)O再次回到區(qū)域二．

   （1）指出哪個(gè)區(qū)域存在電場、哪個(gè)區(qū)域存在磁場，以及電場和磁場的方向．

   （2）求電場強(qiáng)度的大小．

   （3）求電荷第三次經(jīng)過x軸的位置．

一物體在某一時(shí)刻以一定的初速度v₀開始作勻變速直線運(yùn)動(dòng)，已知物體在第3s內(nèi)的位移是7．5m，在第6、第7兩秒內(nèi)的位移是8m，求物體運(yùn)動(dòng)的初速度v₀及加速度a?

一電流表的內(nèi)電阻R_g約在1～2kΩ，現(xiàn)要測量它的內(nèi)電阻，提供的器材有：

      A．待測電流表（量程200μA）               B．電阻箱R（0～9999Ω）

      C．滑動(dòng)變阻器R₁（0～20Ω1A）                  D．滑動(dòng)變阻器R₂（O～lkΩ0.5A）

      E．電源E（4V，內(nèi)阻不計(jì)）                         F．開關(guān)S

      G．導(dǎo)線若干條

   （1）請你在答題卡線框內(nèi)畫出測量電流表內(nèi)電阻的電路設(shè)計(jì)圖。

   （2）電路中滑動(dòng)變阻器應(yīng)選用        （填選項(xiàng)前字母）

   （3）電路接好并檢查無誤后，如何調(diào)節(jié)電阻箱和滑動(dòng)變阻器，測電流表的內(nèi)電阻，要求寫出具體步驟，并寫明要記錄的物理量（用字母表示） 寫出計(jì)算這個(gè)內(nèi)電阻的表達(dá)式Rg=                   。

如圖所示的裝置由氣墊導(dǎo)軌、兩個(gè)光電門、滑塊和沙桶等組成。光電門可以測出滑塊分別通過兩個(gè)光電門的瞬時(shí)速度，導(dǎo)軌標(biāo)尺可以測出兩個(gè)光電門間的距離，另用天平測出滑塊和沙桶的質(zhì)量分別為M和m。下面說法正確的是      （選填字母代號(hào)）

      A．用該裝置可以測出滑塊的加速度

      B．用該裝置驗(yàn)證牛頓第二定律時(shí)，要保證拉力近似等于沙桶的重力，必須滿足M>>m

      C．可以用該裝置驗(yàn)證機(jī)械能守恒定律，但必須滿足M>>m

      D．不能用該裝置驗(yàn)證動(dòng)能定理。

在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方0點(diǎn)固定一電荷量為+Q的點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的檢驗(yàn)電荷，該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v，圖中θ=60°。則在+Q形成的電場中（規(guī)定P點(diǎn)的電勢為零）

       A．N點(diǎn)電勢低于P點(diǎn)電勢

       B．N點(diǎn)電勢為

       C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍

       D．檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為

如圖所示，一光滑平行金屬軌道平面與水平面成θ角，兩導(dǎo)軌上端用一電阻R相連，該裝置處于勻強(qiáng)磁場中，磁場方向垂直軌道平面向上。質(zhì)量為m的金屬桿ab，以初速度v₀從軌道底端向上滑行，滑行到某一高度h后又返回到底端。若運(yùn)動(dòng)過程中，金屬桿保持與導(dǎo)軌垂直且接觸良好，并不計(jì)金屬桿ab的電阻及運(yùn)動(dòng)時(shí)所受空氣阻力，則

     A．上滑過程的時(shí)間比下滑過程長

     B．回到出發(fā)點(diǎn)的速度v的大小等于初速度v₀的大小

     C．上滑過程通過電阻R的電量比下滑過程多

     D．上滑過程通過電阻R產(chǎn)生的熱量比下滑過程多