在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方0點(diǎn)固定一電荷量為+Q的點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過(guò)P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°。則在+Q形成的電場(chǎng)中(規(guī)定P點(diǎn)的電勢(shì)為零)
A.N點(diǎn)電勢(shì)低于P點(diǎn)電勢(shì)
B.N點(diǎn)電勢(shì)為
C.P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D.檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能為
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