17．如圖所示，質(zhì)量為M的導(dǎo)體棒ab，垂直放在相距為l的平行光滑金屬軌道上．導(dǎo)軌平面與水平面的夾角為θ，并處于磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于導(dǎo)軌平面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中．左側(cè)是水平放置、間距為d的平行金屬板．R和R_x分別表示定值電阻和滑動(dòng)變阻器的阻值，不計(jì)其他電阻．
（1）調(diào)節(jié)R_x=R，釋放導(dǎo)體棒，當(dāng)棒沿導(dǎo)軌勻速下滑時(shí)，求通過棒的電流I及棒的速率v；
（2）改變R_x，待棒沿導(dǎo)軌再次勻速下滑后，將質(zhì)量為m、帶電量為q的微粒水平射入金屬板間，若它能勻速通過，求此時(shí)的R_x．

16．如圖所示，兩條平行的金屬導(dǎo)軌相距L=lm，金屬導(dǎo)軌的傾斜部分與水平方向的夾角為37°，整個(gè)裝置處在豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中．金屬棒MN和PQ的質(zhì)量均為m=0.2kg，電阻分別為R_MN=1Ω和R_PQ=2Ω．MN置于水平導(dǎo)軌上，與水平導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5，PQ置于光滑的傾斜導(dǎo)軌上，兩根金屬棒均與導(dǎo)軌垂直且接觸良好．從t=0時(shí)刻起，MN棒在水平外力F₁的作用下由靜止開始以a=1m/s²的加速度向右做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，PQ則在平行于斜面方向的力F₂作用下保持靜止?fàn)顟B(tài)．t=3s時(shí)，PQ棒消耗的電功率為8W，不計(jì)導(dǎo)軌的電阻，水平導(dǎo)軌足夠長，MN始終在水平導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)．求：
（1）磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小；
（2）t=0～3s時(shí)間內(nèi)通過MN棒的電荷量；
（3）求t=6s時(shí)F₂的大小和方向；
（4）若改變F₁的作用規(guī)律，使MN棒的運(yùn)動(dòng)速度v與位移s滿足關(guān)系：v=0.4s，PQ棒仍然靜止在傾斜軌道上．求MN棒從靜止開始到s=5m的過程中，系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量．

15．如圖所示，邊長為L的正方形導(dǎo)線框abcd固定在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，一金屬棒PQ架在導(dǎo)線框上并以恒定速度v從ad滑向bc；已知導(dǎo)線框和金屬棒由單位長度電阻為R₀的均勻電阻絲組成，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向里，PQ滑動(dòng)過程中始終垂直導(dǎo)線框的ab、dc邊，且與導(dǎo)線框接觸良好，不計(jì)一切摩擦，則（　�。�

	A．	PQ中的電流方向由P到Q，大小先變大后變小
	B．	PQ中的電流方向由Q到P，大小先變小后變大
	C．	通過PQ的電流的最大值為Imax=$\frac{Bv}{2{R}_{0}}$
	D．	通過PQ的電流的最小值為Imin=$\frac{Bv}{2{R}_{0}}$

14．如圖甲所示，光滑平行的金屬導(dǎo)軌MN和PQ，間距L=1m，與水平面之間的夾角α=30°，勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1T，垂直于導(dǎo)軌平面向上，MP間接有阻值R=0.4Ω的電阻，電路中其它電阻不計(jì)，質(zhì)量m=2kg的金屬桿ab垂直導(dǎo)軌放置，用恒力F沿導(dǎo)軌平面向上拉金屬桿ab，由靜止開始運(yùn)動(dòng)，并最終達(dá)到勻速狀態(tài)，其v-t圖象如圖乙所示，g取10m/s²，導(dǎo)軌足夠長．則下列說法正確的是（　�。�

	A．	據(jù)圖可以算出恒力F的大小為10N
	B．	據(jù)圖可以估算出任意時(shí)間內(nèi)電阻R上產(chǎn)生的熱量
	C．	金屬桿運(yùn)動(dòng)速度v=2.0m/s時(shí)的加速度a=4m/s2
	D．	金屬桿運(yùn)動(dòng)速度v=2.0m/s時(shí)的加速度a=2.5m/s2

13．如圖所示，相距為d的兩條水平虛線L₁、L₂之間是方向水平向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，正方形線圈abcd邊長為L（d=2L），質(zhì)量為m，電阻為R，將線圈在磁場(chǎng)上方高h(yuǎn)處靜止釋放，cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為v₀，cd邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)速度也為v₀，則線圈從開始下落到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中，則以下說法中正確的是（　�。�

	A．	線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中做加速運(yùn)動(dòng)
	B．	線圈克服感應(yīng)電流所做的功為mgd
	C．	線圈進(jìn)入磁場(chǎng)的時(shí)間和穿出磁場(chǎng)的時(shí)間相同
	D．	線圈離開磁場(chǎng)的速度滿足關(guān)系式v0=$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$

12．如圖所示，在傾角為θ的斜面上固定兩根足夠長的光滑平行金屬導(dǎo)軌PQ、MN，相距為L，導(dǎo)軌處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直導(dǎo)軌平面向下．有三根質(zhì)量均為m的金屬棒a、b、c，先將a棒垂直導(dǎo)軌放置，用跨過光滑定滑輪的細(xì)線與物塊連接，連接a棒的細(xì)線平行于導(dǎo)軌，由靜止釋放物塊，物塊開始加速下落．此后某時(shí)刻將b、c也垂直導(dǎo)軌放置，a與物塊此刻起做勻速運(yùn)動(dòng)，b、c棒剛好能靜止在導(dǎo)軌上．a(chǎn)棒在運(yùn)動(dòng)過程中始終與導(dǎo)軌垂直，棒與導(dǎo)軌接觸良好，金屬棒a、b、c的電阻均為R，導(dǎo)軌電阻不計(jì)．求：
（1）物塊的質(zhì)量；
（2）b、c棒放上導(dǎo)軌后，物塊的速度；
（3）b、c棒放上導(dǎo)軌后，物塊下落高度h的過程中棒b中產(chǎn)生的焦耳熱．

11．如圖所示，水平面上放置兩同心圓形金屬導(dǎo)軌，它們的半徑分別為l、2l；兩導(dǎo)軌之間接一個(gè)阻值為R的電阻．在兩導(dǎo)軌間加垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感強(qiáng)度為B．a(chǎn)b是一根比l稍長的金屬桿，正繞導(dǎo)軌的圓心O以角速度ω勻速轉(zhuǎn)動(dòng)．已知ab的阻值也為R，其余電阻不計(jì)．則（　�。�

	A．	流過電阻的電流方向是從c到d		B．	a點(diǎn)電勢(shì)比b點(diǎn)電勢(shì)高
	C．	ab間的電壓為Bl2ω		D．	流過R的電流為$\frac{3B{t}^{2}ω}{4R}$

10．空間某區(qū)域內(nèi)存在水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在磁場(chǎng)區(qū)域內(nèi)有兩根相距l(xiāng)₁=0.8m的平行金屬導(dǎo)軌PQ、MN，固定在豎直平面內(nèi)，如圖所示．PM間連接有阻值為R₀=1Ω的電阻；QN間連接著兩塊水平放置的平行金屬板a、b，兩板相距l(xiāng)₂=0.2m．一根電阻為r=3Ω的細(xì)導(dǎo)體棒AB，導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌接觸良好，不計(jì)導(dǎo)軌和連接導(dǎo)線的電阻．若導(dǎo)體棒AB以速率v向右勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，在平行金屬板a、b之間有一個(gè)帶電液滴恰好在豎直平面內(nèi)以速率v做勻速圓周運(yùn)動(dòng)．重力加速度為g，求：
（1）液滴帶什么電？為什么？
（2）若帶電液滴在平行金屬板間做勻速圓周運(yùn)動(dòng)且不與極板相碰，導(dǎo)體棒AB運(yùn)動(dòng)的速率v的取值范圍（g取10m/s²）；
（3）對(duì)于給定的速率v，帶電液滴做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，從某點(diǎn)開始發(fā)生的位移大小等于圓周運(yùn)動(dòng)的直徑時(shí)，所需的時(shí)間．

9．如圖所示，兩根電阻不計(jì)、相距L且足夠長的平行光滑導(dǎo)軌與水平面成 θ 角，導(dǎo)軌處在磁感應(yīng)強(qiáng)度B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直導(dǎo)軌平面斜向上，導(dǎo)軌下端連接阻值為R的電阻．現(xiàn)讓一質(zhì)量為m，電阻也為R、與導(dǎo)軌接觸良好的水平金屬棒ab從靜止開始下滑，ab下滑距離s后開始勻速運(yùn)動(dòng)，重力加速度為g．求：
（1）ab棒中感應(yīng)電流的方向和所受安培力的方向
（2）ab棒勻速下滑時(shí)速度v的大�。�
（3）ab棒從靜止至開始勻速下滑的過程中，ab棒上產(chǎn)生的熱量．

8．如圖所示，在光滑絕緣的水平面上方，有兩個(gè)方向相反的水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，PQ為兩磁場(chǎng)的邊界，磁場(chǎng)范圍足夠大，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小分別為B₁=B，B₂=3B，一個(gè)豎直放置的邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方向金屬線框，以初速度v垂直磁場(chǎng)方向從圖中實(shí)線位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到在每個(gè)磁場(chǎng)中各有一半的面積時(shí)，線框的速度為$\frac{v}{3}$，則下列判斷正確的是（　�。�

	A．	此時(shí)線框的加速度為$\frac{16{B}^{2}{a}^{2}v}{3mR}$
	B．	此過程中克服安培力做的功為$\frac{4}{9}$mv2
	C．	此過程中通過線框截面的電量為$\frac{B{a}^{3}}{R}$
	D．	此時(shí)線框中的電功率為$\frac{3{B}^{2}{a}^{2}{v}^{2}}{4R}$