如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場，一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O'點（圖中未標(biāo)出）穿出，若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O點射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b

在如圖所示的空間中，存在場強為E的勻強電場，同時存在沿x軸負方向、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。一質(zhì)子（電荷量為e）在該空間恰沿y軸正方向以速度v勻速運動。據(jù)此可以判斷出

如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強的偏轉(zhuǎn)電場。一束同位素離子流從狹縫S₁射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S₂射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進入場強大小為E的偏轉(zhuǎn)電場，最后打在照相底片D上。已知同位素離子的電荷量為q(q>0)，速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強大小為E₀的勻強電場和磁感應(yīng)強度大小為B₀的勻強磁場，照相底片D與狹縫S₁、S₂的連線平行且距離為L，忽略重力的影響。
(1)求從狹縫S₂射出的離子速度v₀的大�。�
(2)若打在照相底片上的離子在偏轉(zhuǎn)電場中沿速度v₀方向飛行的距離為x，求出x與離子質(zhì)量m之間的關(guān)系式（用E₀、B₀、E、q、m、L表示）。

如圖所示，在xOy平面的第一象限有一勻強電場，電場的方向平行于y軸向下；在x軸和第四象限的射線OC之間有一勻強磁場，磁感應(yīng)強度的大小為B，方向垂直于紙面向外。有一質(zhì)量為m，帶有電荷量+q的質(zhì)點由電場左側(cè)平行于x軸射入電場．質(zhì)點到達x軸上A點時，速度方向與x軸的夾角為φ，A點與原點O的距離為d。接著，質(zhì)點進入磁場，并垂直于OC飛離磁場。不計重力影響，若OC與x軸的夾角也為φ，求
(1)粒子在磁場中運動速度的大��；
(2)勻強電場的場強大小。

如圖所示，平行板電容器的兩板與電源相連，板間同時有電場和垂直紙面向里的勻強磁場B，一個帶電荷量為+q的粒子以v₀為初速度從兩板中間沿垂直電磁場方向進入，穿出時粒子的動能減小了，若想使這個帶電粒子以v₀沿原方向勻速直線運動穿過電磁場，可采用的辦法是

如圖為電磁流量計的示意圖，直徑為d的由非磁性材料制成的圓形導(dǎo)管內(nèi)，有導(dǎo)電液體流動，磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場垂直于導(dǎo)電液體流動方向而穿過一段圓形管道。若測得管壁內(nèi)a、b兩點間的電勢差為U，則管中導(dǎo)電液體的流量Q=____m³/s。

如圖所示，空間中有場強為E的勻強電場和磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場，y軸為兩種場的分界面，圖中虛線為磁場區(qū)的右邊界�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為-q的帶電粒子，從電場中的P點以初速度v₀沿x軸正方向開始運動，已知P點的坐標(biāo)為（-L，Q），且，試求：
(1)帶電粒子運動到y(tǒng)軸上時的速度；
(2)要使帶電粒子能穿越磁場區(qū)域而不再返回到電場中，磁場的寬度最大為多少？（不計帶電粒子的重力）

如圖甲所示，在空間存一個變化的電場和一個電變化的磁場，電場的方向水平向右（圖甲中由B到C），電場強度的大小隨時間變化情況如圖乙所示；磁感應(yīng)強度方向垂直于紙面，磁感應(yīng)強度的大小隨時間變化情況如圖丙所示。在t=1 s時，從A沿AB方向（垂直于BC）以初速度v₀射出第一個粒子，并在此之后，每隔2 s有一相同的粒子沿AB方向均以初速度v₀射出，射出的粒子均能擊中C點。若AB=BC=l，且粒子由A運動到C的時間均小于1 s，不計空氣阻力及電磁場變化不定產(chǎn)生的影響，則以下說法正確的是

如圖所示的平行板器件中，存在相互垂直的勻強磁場和勻強電場，磁場的磁感應(yīng)強度B₁=0.40T，方向垂直紙面向里，電場強度E=2.0×10⁵V/m，PQ為板間中線。緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有垂直紙面向外的勻強磁場，磁感應(yīng)強度B₂=0.25T，磁場邊界AO和y軸的夾角角AOy=45°，一束帶電量q=8.0×10^-19C的正離子從P點射入平行板間，沿中線PQ做直線運動，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.2m）的Q點垂直y軸射入磁場區(qū)，離子通過x軸時的速度方向與x軸正方向夾角在45°-90°之間，則：
（1）離子運動的速度為多大？
（2）離子的質(zhì)量應(yīng)在什么范圍內(nèi)？
（3）現(xiàn)只改變AOy區(qū)域內(nèi)磁場的磁感應(yīng)強度大小，使離子都不能打到x軸上，磁感應(yīng)強度大小B₂'應(yīng)滿足什么條件？

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xOy內(nèi)，第Ⅰ象限存在沿y軸負方向的勻強電場，第Ⅳ象限以O(shè)N為直徑的半圓形區(qū)域內(nèi)，存在垂直于坐標(biāo)平面向外的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B。一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的粒子，從y軸上y＝h處的M點，以速度v₀垂直于y軸射入電場，經(jīng)x軸上x＝2h處的P點進入磁場，最后以垂直于y軸的方向射出磁場。不計粒子重力。求：
（1）在原圖上畫出粒子在電場和磁場中運動軌跡示意圖；
（2）電場強度大小E ；
（3）粒子在磁場中運動的軌道半徑r；
（4）粒子從進入電場到離開磁場經(jīng)歷的總時間t。