科目: 來源:不詳 題型:單選題
A. | B. | C. | D. |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.如果是P型半導體,有φM>φN |
B.如果是N型半導體,有φM<φN |
C.如果是P型半導體,有φM<φN |
D.如果是金屬導體,有φM<φN |
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科目: 來源:惠州三模 題型:單選題
A.速率一定越小 |
B.速率一定越大 |
C.在磁場中通過的路程越長 |
D.在磁場中的周期一定越大 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.直導線如圖所示位置放置,電流從A流向B |
B.直導線如圖所示位置放置,電流從B流向A |
C.直導線垂直于紙面放置,電流流向紙內(nèi) |
D.直導線垂直于紙面放置,電流流向紙外 |
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科目: 來源:不詳 題型:多選題
A.v1>v2 | B.t1>t2 | C.T1>T2 | D.ω1=ω2 |
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科目: 來源: 題型:
如圖所示,一質(zhì)量為m、邊長為a的正方體與地面之間的動摩擦因數(shù)μ=0.1.為使它水平移動距離為a,可以采用將它翻倒或向前勻速平推兩種方法,則( ).【2.5】
(A)將它翻倒比平推前進做的功少
(B)將它翻倒比平推前進做的功多
(C)兩種情況做功一樣多
(D)兩種情況做功多少無法比較
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科目: 來源:西鄉(xiāng)縣模擬 題型:單選題
A.垂直射入同一勻強磁場,軌道半徑大的是質(zhì)子 |
B.垂直射入同一勻強磁場,軌道半徑大的是α粒子 |
C.垂直射入出一勻強電場,偏轉(zhuǎn)角度大的是質(zhì)子 |
D.垂直射入出一勻強電場,偏轉(zhuǎn)角度大的是α粒子 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.沿路徑a運動,軌跡是圓 |
B.沿路徑a運動,軌跡半徑越來越大 |
C.沿路徑a運動,軌跡半徑越來越小 |
D.沿路徑b運動,軌跡半徑越來越小 |
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科目: 來源:宿遷三模 題型:多選題
A.A、B束離子都帶正電 | ||
B.A、B束離子質(zhì)量一定不同 | ||
C.速度選擇器中的磁場方向垂直紙面向外 | ||
D.A束離子的比荷(
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