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科目:高中物理 來源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:單選題
如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示,則
A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m
線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb
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科目:高中物理 來源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:多選題
如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示,則
A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m
C.線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中物理 來源:2009年上海市虹口區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:填空題
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