如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場并開始計時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場。此過程中v-t圖象如圖b所示,則
A. t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時刻線框的速度為v0-2F t0/m
線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb
BD
解析考點:導(dǎo)體切割磁感線時的感應(yīng)電動勢;共點力平衡的條件及其應(yīng)用;閉合電路的歐姆定律;安培力.
分析:(1)圖乙為速度-時間圖象,斜率表示加速度,根據(jù)圖象分析線框的運(yùn)動情況:在0~t0時間內(nèi)速度在減小,加速度也在減小,對應(yīng)甲圖中的進(jìn)入磁場的過程,在t0~3t0時間內(nèi)做勻加速直線運(yùn)動,對應(yīng)甲圖中的完全在磁場中運(yùn)動過程.
(2)當(dāng)通過閉合回路的磁通量發(fā)生變化時,閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,所以只有在進(jìn)入和離開磁場的過程中才有感應(yīng)電流產(chǎn)生,根據(jù)安培定則可知,在此過程中才受到安培力.
(3)從1位置到2位置的過程中,外力做的功可以根據(jù)動能定理去求解.t因為t=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同,故在位置3時的速度與t0時刻的速度相等,進(jìn)入磁場克服安培力做的功和離開磁場克服安培力做的功一樣多.
解:A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為外電壓,總的感應(yīng)電動勢為:E=Bav0,外電壓U外=E=Bav0,故A錯誤;
B.根據(jù)圖象可知在t0~3t0時間內(nèi),線框做勻加速直線運(yùn)動,合力等于F,則在t0時刻線框的速度為v=v0-a?2t0=v0-.故B正確.
C.線框離開磁場的過程,做減速運(yùn)動,位置3速度不一定比t0時刻線框的速度大,故C錯誤.
D.因為t=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同,故在位置3時的速度與t0時刻的速度相等,進(jìn)入磁場克服安培力做的功和離開磁場克服安培力做的功一樣多.線框在位置1和位置3時的速度相等,根據(jù)動能定理,外力做的功等于克服安培力做的功,即有Fb=Q,所以線框穿過磁場的整個過程中,產(chǎn)生的電熱為2Fb,故D正確.
故選BD.
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:多選題
如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場并開始計時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場。此過程中v-t圖象如圖b所示,則
A. t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時刻線框的速度為v0-2F t0/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中物理 來源:2009年上海市虹口區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:填空題
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