位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導線框abdc,ab長L1=1.0m,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距離為H,H>L2,磁場的磁感應強度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落,已知在線框的dc邊進入磁場以后,ab邊到達邊界PP′之前的某一時刻線框的速度已達到這一階段的最大值.試求:
(1)線框在ab邊到達PP′之前的最大速度
(2)從線框開始下落到dc邊剛剛到達磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于
線框的安培力做的總功(取g=10m/s2
精英家教網(wǎng)
(1)設線框進入磁場的過程中最大速度為v0,達到最大速度時:
   mg=BIL1=
B2
L21
v0
R

v0=
mgR
B2
L21
=4m/s
(2)從達到最大速度到線框的ab到達磁場的上邊界PP′,線框的速度保持v0不變,故從線框自由下落至ab邊進入磁場的過程中,由動能定理得:
   mg(h+L2)+W=
1
2
m
v20

所以,W=
1
2
m
v20
-mg(h+L2)=-0.8J
ab邊進入磁場后,直到dc邊到達磁場下邊界QQ′的過程中,線框只在重力作用下做勻加速運動,磁通量不變,沒有感應電流產(chǎn)生,整個線框的安培力為零,安培力做功也為零,故從開始下落到dc邊剛到達磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,安培力做的總功即為線框自由下落至ab邊進入磁場的過程中安培力所做的功即:W=-0.8J
答:
(1)線框在ab邊到達PP′之前的最大速度為4m/s.
(2)從線框開始下落到dc邊剛剛到達磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于線框的安培力做的總功為-0.8J.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導線框abdc,ab長L1=1.0m,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距離為H,H>L2,磁場的磁感應強度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落,已知在線框的dc邊進入磁場以后,ab邊到達邊界PP′之前的某一時刻線框的速度已達到這一階段的最大值.試求:
(1)線框在ab邊到達PP′之前的最大速度
(2)從線框開始下落到dc邊剛剛到達磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于
線框的安培力做的總功(取g=10m/s2

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?海淀區(qū)二模)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導線框abcd,其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP′水平,并與線框的ab邊平行,磁場方向與線框平面垂直.已知磁場的磁感應強度為B,線框ab邊長為L1,ad邊長為L2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開始下落,線框剛好勻速進入磁場區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進入磁場的過程中,通過線框?qū)Ь橫截面的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開始下落,當線框的一半進入磁場時,線框剛好開始勻速下落,求線框進入磁場過程中,安培力做的總功W.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形單匝導線框abcd,其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP?水平且與ab邊平行,方向與線框平面垂直.已知磁場的磁感應強度為B,線框邊長ab=L1,ad=L2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從距磁場區(qū)域邊界PP?的高度h處由靜止開始下落,線框剛好勻速進入磁場區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進入磁場的過程中,通過線框?qū)Ь橫截面積的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊距磁場區(qū)域邊界PP?的高度H處由靜止開始下落,當線框的一半進入磁場時,線框剛好開始勻速下落,求線框進入磁場的過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導線框abdc,ab長L1=1.0m,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一較大勻強磁場區(qū)域,磁場的磁感應強度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場區(qū)域上邊界的距離為h=0.7m處自由下落.已知線框的dc邊進入磁場以后,ab邊到達邊界之前的某一時刻線框的速度已達到這一階段的最大值.從線框開始下落,到ab邊完全進入磁場的過程中(g取10m/s2),求
(1)線框的最大加速度;   
(2)線框的最大速度;
(3)電路中產(chǎn)生的熱量Q.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導線框abcd,ab長L1=1.0m,是水平的,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω,其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距為H,H>L,磁場的磁感應強度B=1.0T,方向與線框平面垂直,令線框的dc邊從離磁場上邊界的距離為h=0.7 m處自由下落,已知線框的dc邊進入磁場后,ab邊到達PP′之前的某一時刻線框的速度已達到這一階段的最大值,問從線框開始下落到dc邊剛剛到達磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于線框的安培力做的總功是多少?

查看答案和解析>>

同步練習冊答案