位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長L1=1.0m,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距離為H,H>L2,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落,已知在線框的dc邊進(jìn)入磁場以后,ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.試求:
(1)線框在ab邊到達(dá)PP′之前的最大速度
(2)從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于
線框的安培力做的總功(取g=10m/s2
分析:(1)進(jìn)入磁場后先做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng),后做勻速運(yùn)動(dòng),速度達(dá)到最大,根據(jù)重力與安培力平衡,求出最大速度.
(2)線框從達(dá)到最大速度到ab到達(dá)磁場的上邊界PP′,線框的速度保持v0不變,根據(jù)動(dòng)能定理研究從線框自由下落至ab邊進(jìn)入磁場的過程中安培力做功,即可求出安培力做的總功.
解答:解:(1)設(shè)線框進(jìn)入磁場的過程中最大速度為v0,達(dá)到最大速度時(shí):
   mg=BIL1=
B2
L
2
1
v0
R

v0=
mgR
B2
L
2
1
=4m/s
(2)從達(dá)到最大速度到線框的ab到達(dá)磁場的上邊界PP′,線框的速度保持v0不變,故從線框自由下落至ab邊進(jìn)入磁場的過程中,由動(dòng)能定理得:
   mg(h+L2)+W=
1
2
m
v
2
0

所以,W=
1
2
m
v
2
0
-mg(h+L2)=-0.8J
ab邊進(jìn)入磁場后,直到dc邊到達(dá)磁場下邊界QQ′的過程中,線框只在重力作用下做勻加速運(yùn)動(dòng),磁通量不變,沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生,整個(gè)線框的安培力為零,安培力做功也為零,故從開始下落到dc邊剛到達(dá)磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,安培力做的總功即為線框自由下落至ab邊進(jìn)入磁場的過程中安培力所做的功即:W=-0.8J
答:
(1)線框在ab邊到達(dá)PP′之前的最大速度為4m/s.
(2)從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于線框的安培力做的總功為-0.8J.
點(diǎn)評(píng):本題線框進(jìn)入磁場的過程與汽車恒定功率起動(dòng)類似,要會(huì)進(jìn)行動(dòng)態(tài)過程分析,并能熟練應(yīng)用安培力的經(jīng)驗(yàn)公式F=
B2
L
2
1
v0
R
求解最大速度.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?海淀區(qū)二模)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導(dǎo)線框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP′水平,并與線框的ab邊平行,磁場方向與線框平面垂直.已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框ab邊長為L1,ad邊長為L2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開始下落,線框剛好勻速進(jìn)入磁場區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進(jìn)入磁場的過程中,通過線框?qū)Ь橫截面的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開始下落,當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場時(shí),線框剛好開始勻速下落,求線框進(jìn)入磁場過程中,安培力做的總功W.

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精英家教網(wǎng)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形單匝導(dǎo)線框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP?水平且與ab邊平行,方向與線框平面垂直.已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框邊長ab=L1,ad=L2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從距磁場區(qū)域邊界PP?的高度h處由靜止開始下落,線框剛好勻速進(jìn)入磁場區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進(jìn)入磁場的過程中,通過線框?qū)Ь橫截面積的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊距磁場區(qū)域邊界PP?的高度H處由靜止開始下落,當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場時(shí),線框剛好開始勻速下落,求線框進(jìn)入磁場的過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長L1=1.0m,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一較大勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場區(qū)域上邊界的距離為h=0.7m處自由下落.已知線框的dc邊進(jìn)入磁場以后,ab邊到達(dá)邊界之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.從線框開始下落,到ab邊完全進(jìn)入磁場的過程中(g取10m/s2),求
(1)線框的最大加速度;   
(2)線框的最大速度;
(3)電路中產(chǎn)生的熱量Q.

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科目:高中物理 來源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長L1=1.0m,是水平的,bd長L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω,其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距為H,H>L,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直,令線框的dc邊從離磁場上邊界的距離為h=0.7 m處自由下落,已知線框的dc邊進(jìn)入磁場后,ab邊到達(dá)PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值,問從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場作用于線框的安培力做的總功是多少?

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