A. | 當(dāng)溫度升高時(shí),物體內(nèi)每一個(gè)分子熱運(yùn)動(dòng)的速率都增大 | |
B. | 當(dāng)溫度升高時(shí),分子中速率小的分子所占的比例減小 | |
C. | 當(dāng)溫度升高時(shí),物體內(nèi)分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能必定增大 | |
D. | 只要溫度相同,任何物體的分子速率的平均值都相同 |
分析 溫度是分子熱運(yùn)動(dòng)平均動(dòng)能的標(biāo)志,分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能與熱力學(xué)溫度成正比;分子運(yùn)動(dòng)是無(wú)規(guī)則的,分子速率統(tǒng)計(jì)規(guī)律表現(xiàn)為“中間多兩頭少”,溫度增加時(shí),速率小的分子數(shù)減。
解答 解:A、C、當(dāng)溫度升高時(shí),分子熱運(yùn)動(dòng)平均動(dòng)能增加,故平均速度也增加,但不是每個(gè)分子的速度都增加,故A錯(cuò)誤,C正確;
B、溫度是分子的平均動(dòng)能的標(biāo)志,當(dāng)溫度升高時(shí),分子熱運(yùn)動(dòng)平均動(dòng)能增加,分子中速率小的分子所占的比例減。蔅正確;
D、某一溫度下,速率都在某一數(shù)值附近,離開(kāi)這個(gè)數(shù)值越遠(yuǎn),分子越少,故D錯(cuò)誤;
故選:BC.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是明確溫度的微觀意義,能夠區(qū)分分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能和每個(gè)分子動(dòng)能的關(guān)系,熟悉氣體分子速率分布規(guī)律.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 放射性元素發(fā)生β衰變時(shí)所釋放的電子是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的 | |
B. | 湯姆生發(fā)現(xiàn)電子,表明原子具有核式結(jié)構(gòu) | |
C. | 不僅光具有波粒二象性,微觀粒子也具有波粒二象性 | |
D. | 金屬逸出功與入射光頻率有關(guān) | |
E. | 根據(jù)玻爾理論可知,氫原子輻射出一個(gè)光子后,氫原子的電勢(shì)能減小,核外電子的動(dòng)能增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | c點(diǎn) | B. | b與c之間的某一點(diǎn) | ||
C. | d點(diǎn) | D. | c與d之間的某一點(diǎn) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 用此交變電流作打點(diǎn)計(jì)時(shí)器的電源時(shí),打點(diǎn)周期為0.02 s | |
B. | 把耐壓值為6 V的電容器接在此電源上會(huì)被擊穿 | |
C. | 此電壓最大值為6$\sqrt{2}$ V | |
D. | t=$\frac{1}{300}$ s時(shí),交流電壓的瞬時(shí)值為3 V |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\sqrt{2}$s | B. | $\frac{\sqrt{2}}{2}$s | C. | $\frac{1}{2}$s | D. | 2s |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 最容易發(fā)生衍射現(xiàn)象的光是由n=2能級(jí)躍遷到n=1能級(jí)產(chǎn)生的 | |
B. | 所有光子的能量不可能大于E | |
C. | 頻率最小的光是由n=2能級(jí)躍遷到n=1能級(jí)產(chǎn)生的 | |
D. | 在真空中波長(zhǎng)最大的光,波長(zhǎng)是$\frac{ch}{E}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 加速氚核的交流電源的周期較大,氚核獲得的最大動(dòng)能也較大 | |
B. | 加速氚核的勻強(qiáng)電場(chǎng)的電勢(shì)差較大,氚核獲得的最大動(dòng)能較大 | |
C. | 勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度較大,氚核獲得的最大動(dòng)能也較大 | |
D. | D形金屬盒的半徑較大,氚核獲得的最大動(dòng)能較大 |
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