8.如圖甲所示的A、B是真空中兩平行的金屬板,加上電壓后,它們之間的電場(chǎng)可視為勻強(qiáng)電場(chǎng).圖乙是一周期性交變電壓U隨時(shí)間t變化的圖象.其中U0和T0已知.在t=0時(shí),將這個(gè)交變電壓接在A、B板上.此時(shí)在B板處有一初速為零的電子在電場(chǎng)力作用下開始運(yùn)動(dòng).已知電子的質(zhì)量為m,電量為e.

(1)若電子在t=$\frac{3}{2}$T0時(shí)到達(dá)A板,求此時(shí)電子的速度;
(2)要使電子到達(dá)A板時(shí)具有最大的動(dòng)能,求A、B兩板間距離所滿足的條件.

分析 (1)根據(jù)力與運(yùn)動(dòng)的關(guān)系,可知電子做的是周期性的運(yùn)動(dòng):先做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),接著做勻減速直線運(yùn)動(dòng)到速度為零,然后重復(fù)前面的運(yùn)動(dòng),是單項(xiàng)的直線運(yùn)動(dòng),所以電子在t=$\frac{3}{2}$T0時(shí)到達(dá)A板時(shí),所經(jīng)歷的三段運(yùn)動(dòng)的位移相同,根據(jù)勻強(qiáng)電場(chǎng)的特點(diǎn),由動(dòng)能定理可求出.
(2)要使電子到達(dá)A板時(shí)具有最大的動(dòng)能,滿足在半個(gè)周期的整數(shù)倍到達(dá)即可,求電子在這段時(shí)間內(nèi)能運(yùn)動(dòng)的位移即AB兩個(gè)板的距離.

解答 解:(1)0~$\frac{T}{2}$做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),接著$\frac{T}{2}~T$做勻減速直線運(yùn)動(dòng)到速度為零,由于加速和減速的加速度的大小相等,所以加速和減速的位移也相等,然后重復(fù)前面的運(yùn)動(dòng),是單項(xiàng)的直線運(yùn)動(dòng),AB之間的距離為d,電子在AB之間運(yùn)動(dòng)經(jīng)歷了三個(gè)過程:加速、減速、再加速.每段過程的位移均相等即為$\frac6xsdpq5{3}$,對(duì)于最后一段勻加速直線運(yùn)動(dòng),由動(dòng)能定理得:$e\frac{{U}_{0}}l9rkwxv×\frac7hpsekr{3}=\frac{1}{2}m{v}^{2}$
解得:v=$\sqrt{\frac{2e{U}_{0}}{3m}}$
(2)先做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),接著做勻減速直線運(yùn)動(dòng)到速度為零(是前一個(gè)運(yùn)動(dòng)的逆向過程),然后重復(fù)前面的運(yùn)動(dòng),是單項(xiàng)的直線運(yùn)動(dòng),所以要使電子到達(dá)A板時(shí)具有最大的動(dòng)能,滿足在半個(gè)周期的奇數(shù)倍到達(dá)即可,電子在這段時(shí)間內(nèi)能運(yùn)動(dòng)的位移即AB兩個(gè)板的距離:$x=\frac{v}{2}×\frac{{T}_{0}}{2}×(2n-1)=\frac{(2n-1){T}_{0}}{2}\sqrt{\frac{e{U}_{0}}{6m}}$(n=1、2、3…)
答:(1)若電子在t=$\frac{3}{2}$T0時(shí)到達(dá)A板,此時(shí)電子的速度為$\sqrt{\frac{2e{U}_{0}}{3m}}$;
(2)要使電子到達(dá)A板時(shí)具有最大的動(dòng)能,A、B兩板間距離所滿足的條件為$\frac{(2n-1){T}_{0}}{2}\sqrt{\frac{e{U}_{0}}{6m}}$(n=1、2、3…).

點(diǎn)評(píng) 考查周期性的運(yùn)動(dòng):單項(xiàng)的直線運(yùn)動(dòng)和往復(fù)運(yùn)動(dòng).根據(jù)力與運(yùn)動(dòng)的關(guān)系:牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,或者動(dòng)能定理,分析運(yùn)動(dòng)過程,對(duì)于這樣的周期性運(yùn)動(dòng),也可借助于圖象分析.要能靈活的運(yùn)用物理的定理定律分析問題.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

7.完全相同的兩金屬小球,相距為d(d遠(yuǎn)大于小球的直徑),分別帶有q和3q的電荷量,其相互作用的引力為F,現(xiàn)將兩小球接觸,然后分開,放回原處,則它們相互作用的庫倫力為( 。
A.$\frac{F}{3}$,引力B.$\frac{F}{3}$,斥力C.$\frac{4F}{3}$,引力D.$\frac{4F}{3}$,斥力

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

8.如圖所示半圓軌道直徑BC=0.8m,水平軌道上AB=1.6m.m1,m2均為0.1kg的彈性球.若m1由高h(yuǎn)處開始下滑與靜止在A處的球m2發(fā)生正碰,碰后m2運(yùn)動(dòng)經(jīng)C點(diǎn)拋出后又與m1相碰,求:
(1)m2運(yùn)動(dòng)至C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力;
(2)m1開始下滑的高度(g取10m/s2).

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16.如圖所示,一導(dǎo)線彎成半徑為a的半圓形閉合回路,虛線MN右側(cè)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右勻速進(jìn)入磁場(chǎng),直徑CD始終與MN垂直.從D點(diǎn)到達(dá)邊界開始到C點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)為止,下列結(jié)論正確的是( 。
A.感應(yīng)電流方向不變B.CD段直線始終不受安培力
C.感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)最大值Em=BavD.感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)平均值$\overline{E}$=$\frac{1}{4}$Bav

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

3.如圖所示,固定于水平面上的金屬框cdef處在豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,金屬棒ab擱在框架上,與ed構(gòu)成一個(gè)邊長為l的正方形,金屬棒電阻為r,其余電阻不計(jì),開始時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0,金屬棒靜止.若以t=0時(shí)起,磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增加,每秒增加量為k,則( 。
A.金屬棒中的感應(yīng)電流的方向?yàn)閎→a
B.金屬棒中的感應(yīng)電流的大小為$\frac{{k{l^{\;}}}}{r}$
C.金屬棒消耗的電功率為$\frac{{k}^{2}{l}^{4}}{r}$
D.若t=t1時(shí)金屬棒仍然靜止,金屬棒受到的最大靜摩擦力不能小于(B0+kt1)$\frac{{k{l^3}}}{r}$

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科目:高中物理 來源: 題型:填空題

13.如圖所示A、B、C是平行紙面的勻強(qiáng)電場(chǎng)中的三點(diǎn),它們之間的距離均為L=2cm,電荷量為q=-1.0×10-5 C的電荷由A移動(dòng)到C電場(chǎng)力做功W1=4.0×10-5 J,該電荷由C移動(dòng)到B電場(chǎng)力做功W2=-2.0×10-5 J,若B點(diǎn)電勢(shì)為零,由以上條件可知:A點(diǎn)的電勢(shì)為-2V,場(chǎng)強(qiáng)的大小為200V/m,場(chǎng)強(qiáng)的方向?yàn)镃指向A.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

20.某空間區(qū)域的豎直平面內(nèi)存在電場(chǎng),其中豎直的一條電場(chǎng)線如圖1中虛線所示.一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電小球,在電場(chǎng)中從O點(diǎn)由靜止開始沿電場(chǎng)線豎直向下運(yùn)動(dòng).以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn),取豎直向下為x軸的正方向,小球的機(jī)械能E與位移x的關(guān)系如圖2所示,不計(jì)空氣阻力.則(  )
A.從O到x1的過程中,小球的速率越來越大,加速度越來越大
B.電場(chǎng)強(qiáng)度大小恒定,方向沿x軸負(fù)方向
C.從O到x1的過程中,相等的位移內(nèi),小球克服電場(chǎng)力做的功相等
D.到達(dá)x1位置時(shí),小球速度的大小為$\sqrt{\frac{2({E}_{1}-{E}_{0}+mg{x}_{1})}{m}}$

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

17.如圖所示,平行金屬導(dǎo)軌與水平面成θ角,導(dǎo)軌與固定電阻R1和R2相連,勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直穿過導(dǎo)軌平面.有一導(dǎo)體棒ab,質(zhì)量為m,導(dǎo)體棒的電阻與固定電阻R1和R2的阻值均相等,與導(dǎo)軌之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,導(dǎo)體棒ab沿導(dǎo)軌向上滑動(dòng),當(dāng)上滑的速度為v時(shí),受到安培力的大小為F.此時(shí)( 。
A.整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ
B.整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v
C.電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$
D.電阻 R2消耗的熱功率為 $\frac{Fv}{4}$

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

18.如圖所示,半徑為R的半圓形玻璃磚水平放置,豎直的光屏緊挨玻璃磚.一束紅光沿半徑方向射向玻璃磚的圓心O,當(dāng)紅光在玻璃磚平面O點(diǎn)的入射角θ=30°時(shí),光屏上會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)紅色光斑,當(dāng)入射角θ=45°時(shí),光屏上恰好只剩一個(gè)紅色光斑,不考慮光的多次反射.求:
(1)玻璃磚的折射率;
(2)當(dāng)入射角θ=30°時(shí)兩光斑間的距離.

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