分析 (1)由于導(dǎo)軌的寬度發(fā)生變化,因此導(dǎo)體棒所受安培力將發(fā)生變化,分別寫(xiě)出表達(dá)式,即可求出比值;
(2)導(dǎo)體棒勻速運(yùn)動(dòng),根據(jù)安培力等于力F求出導(dǎo)體棒進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的初速度,然后根據(jù)功能關(guān)系即可求出整個(gè)過(guò)程中回路產(chǎn)生的熱量.
解答 解:(1)當(dāng)金屬桿在ab、cd左側(cè)時(shí),安培力:${F_{A1}}=\frac{{{B^2}{{(2L)}^2}v}}{R+r}$=$\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{3R}$
當(dāng)金屬桿在ab、cd右側(cè)時(shí),安培力:${F_{A2}}=\frac{{{B^2}{L^2}v}}{{R+\frac{r}{2}}}$=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{2R}$
所以:$\frac{{F}_{A1}}{{F}_{A2}}=\frac{8}{3}$.
(2)當(dāng)金屬桿在ab、cd左側(cè)勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),${F}_{{A}_{1}}=\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{3R}$;當(dāng)金屬桿在ab、cd右側(cè)時(shí),${F}_{A2}=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{2R}$
根據(jù)功能關(guān)系可知,拉力做的功轉(zhuǎn)化為電能,并轉(zhuǎn)化為焦耳熱,所以:
Q=FA1•s+FA2•s
解得:Q=$\frac{11{B}^{2}{L}^{2}vs}{6R}$.
答:(1)金屬桿在ab、cd兩段軌道左右兩側(cè)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)拉力F之比是$\frac{8}{3}$.
(2)通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中,整個(gè)回路放出的總熱量是$\frac{11{B}^{2}{L}^{2}vs}{6R}$.
點(diǎn)評(píng) 本題的難點(diǎn)在于正確分析安培力的變化,根據(jù)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)列出方程,同時(shí)注意克服安培力所做功等于整個(gè)回路中產(chǎn)生的熱量.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 物體的質(zhì)量 | B. | 物體的速度 | ||
C. | 物體和參考平面之間的高度差 | D. | 物體的大小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在t0時(shí)刻線(xiàn)框的速度為v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$ | |
B. | 當(dāng)線(xiàn)框右側(cè)邊MN剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),MN兩端的電壓為Bav0 | |
C. | 線(xiàn)框完全離開(kāi)磁場(chǎng)瞬間的速度可能比t0時(shí)刻的速度大 | |
D. | 線(xiàn)框穿過(guò)磁場(chǎng)的整個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ef向右滑動(dòng)時(shí),左側(cè)面積增大l△d,右側(cè)面積減少l△d,則?=2Bl$\frac{△d}{△t}$ | |
B. | ef向右滑動(dòng)時(shí),左側(cè)面積增大l△d.右側(cè)面積減少l△d,相抵消,則ε=0 | |
C. | 在公式?=$\frac{△φ}{△t}$中,在切割情況下,△φ=B△S,△S應(yīng)是導(dǎo)線(xiàn)切割掃過(guò)的面積,因此?=Bl$\frac{△d}{△t}$ | |
D. | 在切割情況下只能用e=Blv計(jì)算,不能用?=$\frac{△φ}{△t}$計(jì)算 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | a光的光子能量大于b光的光子能量 | |
B. | 處在n=1能級(jí)時(shí)核外電子離原子核最近 | |
C. | 在真空中傳播時(shí),b光的波長(zhǎng)較短 | |
D. | 處于能級(jí)n=4的電子的動(dòng)能小于能級(jí)n=2的動(dòng)能 |
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