下列說法中正確的是（　　）

A．回復(fù)力就是振動(dòng)物體受到的合外力

B．振動(dòng)物體回到平衡位置的過程中，回復(fù)力做正功,離開平衡位置的過程，回復(fù)力做負(fù)功

C．有機(jī)械振動(dòng)必有機(jī)械波

D．波源振動(dòng)時(shí)的運(yùn)動(dòng)速度和波的傳播速度始終相同

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，四個(gè)小球在離地面不同高度處，同時(shí)由靜止釋放，不計(jì)空氣阻力，從某一時(shí)刻起，每隔相等的時(shí)間間隔小球依次碰到地面。則剛開始運(yùn)動(dòng)時(shí)各小球相對(duì)地面的位置可能是(   )

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，光滑的平行水平金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L，在M點(diǎn)和P點(diǎn)間連接一個(gè)阻值為R的電阻，在兩導(dǎo)軌間cdfe矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面豎直向上、寬為d的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、電阻為r、長(zhǎng)度也剛好為L的導(dǎo)體棒ab垂直擱在導(dǎo)軌上，與磁場(chǎng)左邊界相距d0�，F(xiàn)用一個(gè)水平向右的力F拉棒ab，使它由靜止開始運(yùn)動(dòng)，棒ab離開磁場(chǎng)前已做勻速直線運(yùn)動(dòng)，棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好接觸，導(dǎo)軌電阻不計(jì)，F隨ab與初始位置的距離x變化的情況如圖，F0已知。求：

（1）棒ab離開磁場(chǎng)右邊界時(shí)的速度。

（2）棒ab通過磁場(chǎng)區(qū)域的過程中整個(gè)回路產(chǎn)生的焦耳熱。

（3）試證明：棒ab通過磁場(chǎng)區(qū)域的過程中，通過電阻R的電量與拉力F的大小無關(guān)。

 


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科目：高中物理 來源： 題型：


對(duì)平拋運(yùn)動(dòng)的物體，若g已知，要確定其初速度的大小，還應(yīng)已知（ ）

A.落地時(shí)的水平位移 B.下落的高度

C.落地時(shí)速度的大小和方向 D.落地時(shí)的水平位移和下落的高度

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科目：高中物理 來源： 題型：


飛機(jī)在離地面720m的高度，以70m/s的速度水平飛行，為了使飛機(jī)上投下的炸彈落在指定的轟炸目標(biāo)上，應(yīng)該在離轟炸目標(biāo)的水平距離多遠(yuǎn)的地方投彈？（不計(jì)空氣阻力，g=10m/s2）

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如圖5所示是一條光導(dǎo)纖維的一段，光纖總長(zhǎng)為L，它的玻璃芯的折射率為n1，外層材料的折射率為n2。若光在真空中傳播速度為c，則對(duì)于光由它的一端射入經(jīng)多次全反射后從另一端射出的過程中，下列判斷中正確的是  (　　)

A．，光通過光纖的時(shí)間等于

B．，光通過光纖的時(shí)間大于

C．，光通過光纖的時(shí)間等于

D．，光通過光纖的時(shí)間大于

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科目：高中物理 來源： 題型：


一足夠大的水池內(nèi)盛有某種透明液體，液體的深度為H，在水池的底部中央放一點(diǎn)光源，其中一條光線以30°入射角射到液體與空氣的界面上，它的反射光線與折射光線的夾角為105°，如圖所示．求：

（1）這種液體的折射率；

（2）液體表面亮斑的面積．

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科目：高中物理 來源： 題型：


傳感器擔(dān)負(fù)著信息采集的任務(wù)，它常常是(　　)

A．將力學(xué)量(如形變量)轉(zhuǎn)變成電學(xué)量

B．將熱學(xué)量轉(zhuǎn)變成電學(xué)量

C．將光學(xué)量轉(zhuǎn)變成電學(xué)量

D．將電學(xué)量轉(zhuǎn)變成力學(xué)量

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科目：高中物理 來源： 題型：


一定量的理想氣體從狀態(tài)a開始，經(jīng)歷三個(gè)過程ab、 bc、 ca回到原狀態(tài)，其p-T圖像如圖所示。下列判斷正確的是      . (填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得3分，選對(duì)2個(gè)得4分，選對(duì)3個(gè)得6分。每選錯(cuò)1個(gè)扣3分，最低得分為0分)

A.過程ab中氣體一定吸熱

B.過程bc中氣體既不吸熱也不放熱

C.過程ca中外界對(duì)氣體所做的功等于氣體所放的熱

D. a、 b和c三個(gè)狀態(tài)中，狀態(tài)a分子的平均動(dòng)能最小

E. b和c兩個(gè)狀態(tài)中，容器壁單位面積單位時(shí)間內(nèi)受到氣體分子撞擊的次數(shù)不同

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