A. | 水面上的油膜在陽光照射下會(huì)呈現(xiàn)彩色,這是由光的衍射造成的 | |
B. | 根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論可知,變化的電場周圍一定可以產(chǎn)生變化的磁場 | |
C. | 狹義相對(duì)論認(rèn)為:光在真空中的傳播速度都是一個(gè)常數(shù),不隨光源和觀察者所在參考系的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而改變 | |
D. | 波長越短的電磁波,反射性能越強(qiáng) | |
E. | 在“探究單擺周期與擺長的關(guān)系”的實(shí)驗(yàn)中,測(cè)量單擺周期應(yīng)該從小球速度為零的最高處開始計(jì)時(shí),以減小實(shí)驗(yàn)誤差 |
分析 太陽光的薄膜干涉出現(xiàn)彩色條紋;根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論,在變化的電場周圍一定產(chǎn)生磁場,在變化的磁場周圍一定產(chǎn)生電場.光速不變?cè)硎仟M義相對(duì)論的兩個(gè)基本假設(shè)之一,真空中的光速在不同慣性參照系中都是相同的.在“探究單擺周期與擺長的關(guān)系”實(shí)驗(yàn)中,測(cè)量單擺周期應(yīng)該從小球經(jīng)過平衡處開始計(jì)時(shí),以減小實(shí)驗(yàn)誤差.
解答 解:A、水面上的油膜在陽光照射下會(huì)呈現(xiàn)彩色,這是由于油膜的上下表面的反射光的干涉造成的薄膜現(xiàn)象.故A錯(cuò)誤;
B、根據(jù)麥克斯韋的電磁場理論,在變化的電場周圍一定產(chǎn)生磁場,只有非均勻變化的電場周圍才產(chǎn)生變化的磁場;在變化的磁場周圍一定產(chǎn)生電場,只有非均勻變化的磁場周圍才產(chǎn)生變化的電場.故B錯(cuò)誤.
C、狹義相對(duì)論認(rèn)為:不論光源與觀察者做怎樣的相對(duì)運(yùn)動(dòng),光速都是一樣的,故C正確;
D、波長越短的電磁波,其能量越大,粒子性越明顯,反射性能越強(qiáng).故D正確;
E、在“探究單擺周期與擺長的關(guān)系”實(shí)驗(yàn)中,測(cè)量單擺周期應(yīng)該從小球經(jīng)過平衡處開始計(jì)時(shí),以減小實(shí)驗(yàn)誤差.故E錯(cuò)誤
故選:CD.
點(diǎn)評(píng) 光有干涉色散與折射色散之分;麥克斯韋的電磁場理論要理解記牢:變化的電場產(chǎn)生磁場,變化的磁場產(chǎn)生電場.狹義相對(duì)論的兩個(gè)原理和基本結(jié)論,熟記并理解它.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | a點(diǎn)的電勢(shì)低于b點(diǎn)的電勢(shì) | |
B. | 若將一正試探電荷由a點(diǎn)移到b點(diǎn),電場力做正功 | |
C. | c點(diǎn)的電場強(qiáng)度與d點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小無法判斷 | |
D. | 若將一正試探電荷從d點(diǎn)由靜止釋放,電荷將沿著電場線由d到c |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 盧瑟福通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了質(zhì)子的核反應(yīng)方程為${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{7}^{14}$N→${\;}_{8}^{17}$O${+}_{1}^{1}$H | |
B. | 鈾核裂變的核反應(yīng)是${\;}_{92}^{235}$U→${\;}_{55}^{141}$Ba${+}_{36}^{92}$O${+}_{0}^{1}$n | |
C. | 質(zhì)子、中子、α粒子的質(zhì)量分別為m1、m2、m3.兩個(gè)質(zhì)子和兩個(gè)中子結(jié)合成一個(gè)α粒子,釋放的能量是:(m1+m2-m3)c2 | |
D. | 原子從a、b兩個(gè)能級(jí)的能量分別為Ea、Eb;且.Ea>Eb;當(dāng)原子從a能級(jí)狀態(tài)躍遷到b能級(jí)狀態(tài)時(shí).發(fā)射光子波長λ=$\frac{hc}{{E}_{a}-{E}_}$,(其中c為真空中的光速,h為普朗克常量) | |
E. | 密立根通過油滴實(shí)驗(yàn)測(cè)出了元電荷的數(shù)值 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 三個(gè)質(zhì)點(diǎn)的位移相等 | B. | 三個(gè)質(zhì)點(diǎn)的平均速度相等 | ||
C. | 沿路徑3運(yùn)動(dòng)的質(zhì)點(diǎn)的位移最大 | D. | 10 s是時(shí)刻 |
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