分析 根據(jù)切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)公式求出電動(dòng)勢(shì)的大小,結(jié)合歐姆定律和安培力公式求出安培力的大小,從而得出外力F的大小,根據(jù)右手定則判斷出感應(yīng)電流的方向,結(jié)合左手定則判斷出安培力的方向,從而確定外力F的方向.
解答 解:在0~$\frac{L}{v}$內(nèi),只有一條邊切割,產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)E=BLv,線框所受的安培力${F}_{A}=BIL=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,則外力F=${F}_{A}=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
在$\frac{L}{v}-\frac{3L}{v}$內(nèi),有兩條邊切割,產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E=2BLv,線框所受的安培力${F}_{A}=2BIL=\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,則外力F=${F}_{A}=\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
在$\frac{3L}{v}-\frac{4L}{v}$內(nèi),只有一條邊切割,產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)E=BLv,線框所受的安培力${F}_{A}=BIL=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,則外力F=${F}_{A}=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
F隨t的時(shí)間變化規(guī)律如圖所示.
答:外力F隨時(shí)間變化規(guī)律的圖象如圖所示.
點(diǎn)評(píng) 此題電磁感應(yīng)中圖象的問題,近幾年高考中出現(xiàn)的較為頻繁,解答本題關(guān)鍵要掌握法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律、楞次定律、安培力公式等等知識(shí),要知道當(dāng)線框左右兩邊都切割磁感線時(shí),兩個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)方向相同,是串聯(lián)關(guān)系.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 理想氣體的壓強(qiáng)是由氣體分子間斥力產(chǎn)生的 | |
B. | 只要?dú)怏w壓強(qiáng)不是很大就可視為理想氣體 | |
C. | 容積不變的密閉容器內(nèi)的理想氣體隨著溫度的升高,其壓強(qiáng)增大,內(nèi)能增大 | |
D. | 一定質(zhì)量的理想氣體對(duì)外界做功時(shí),它的內(nèi)能有可能增大 | |
E. | 理想氣體實(shí)際上并不存在,只是一種理想模型 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 木板獲得的動(dòng)能為2J | B. | 系統(tǒng)損失的機(jī)械能為6J | ||
C. | 木板A的最小長度為2m | D. | A、B間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | $\frac{mR{v}_{0}}{{B}^{2}ffac9j4^{2}}$ | B. | $\frac{mR{v}_{0}}{2{B}^{2}m7giomu^{2}}$ | C. | $\frac{2mR{v}_{0}}{{B}^{2}qaczvyz^{2}}$ | D. | $\frac{mR{v}_{0}}{4{B}^{2}yypvxeh^{2}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a、b兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度相同 | |
B. | c點(diǎn)的電勢(shì)比d點(diǎn)的電勢(shì)低 | |
C. | 將電子從a點(diǎn)移到c點(diǎn)的過程中,電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功 | |
D. | 將電子從a點(diǎn)移到b點(diǎn)時(shí)其電勢(shì)能減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 圖中1、2為${\;}_{90}^{234}$Th衰變產(chǎn)生的${\;}_{91}^{234}$Pa和${\;}_{-1}^{0}$e的軌跡,其中1是電子${\;}_{-1}^{0}$e的軌跡 | |
B. | 圖中1、2為${\;}_{15}^{30}$P衰變產(chǎn)生的${\;}_{14}^{30}$Si和${\;}_{1}^{0}$e的軌跡,其中2是正電子${\;}_{1}^{0}$e的軌跡 | |
C. | 圖中3、4是${\;}_{15}^{30}$P衰變產(chǎn)生的${\;}_{14}^{30}$Si和${\;}_{1}^{0}$e的軌跡,其中3是正電子${\;}_{1}^{0}$e的軌跡 | |
D. | 圖中3、4軌跡中兩粒子在磁場(chǎng)中旋轉(zhuǎn)方向相反 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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