(2008?東莞模擬)未來(lái)人類(lèi)要通過(guò)可控?zé)岷朔磻?yīng)取得能源,要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)必須把溫度高達(dá)幾百萬(wàn)攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi),約束的辦法有多種,其中技術(shù)上相對(duì)成熟的是用磁場(chǎng)約束,稱(chēng)為“托卡馬克”裝置,如圖為這種裝置的模型圖:垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(b區(qū)域)圍著磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的圓形a區(qū)域,a區(qū)域內(nèi)的離子向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng),離子的速度只要不超過(guò)某值,就不能穿過(guò)環(huán)形磁場(chǎng)的外邊界而逃逸,從而被約束,設(shè)環(huán)形磁場(chǎng)的內(nèi)半徑R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,若磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度B0=1.0T,被約束的離子比荷q/m=4.0×107C/kg.(1)若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場(chǎng)的離子不能穿過(guò)磁場(chǎng),粒子的速度不能超過(guò)多大?(2)若要使從a區(qū)域沿任何方向射入磁場(chǎng)的速率為2.0×107m/s的離子都不能越出磁場(chǎng)的外邊界,則b區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少要有多大?
分析:(1)離子進(jìn)入磁場(chǎng)由洛倫茲力提供向心力,半徑r=
mv
qB
,離子速度越大,半徑越大.若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場(chǎng)的離子不能穿過(guò)磁場(chǎng),軌跡半徑最大時(shí),軌跡與磁場(chǎng)外邊界圓相切,由幾何知識(shí)求出軌跡圓的半徑,再由半徑公式求速度的最大值.
(2)粒子沿環(huán)狀域的內(nèi)邊界圓的切線方向射入磁場(chǎng)時(shí),此時(shí)的軌道半徑為最小的軌道半徑,此時(shí)粒子若不能出磁場(chǎng),則所以粒子都不會(huì)出磁場(chǎng),根據(jù)幾何關(guān)系求出軌道半徑,再通過(guò)軌道半徑公式求出最大的速度.
解答:解:(1)粒子的速度越大軌跡圓半徑越大,要使OM方向運(yùn)動(dòng)的離子不能穿越磁場(chǎng),則其在環(huán)形磁場(chǎng)內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡圓中最大者與磁場(chǎng)外邊界圓相切.
設(shè)軌跡圓的半徑為r1,則
r
2
1
+
R
2
1
=(R2-r1)2

代入數(shù)據(jù)解得r1=0.375m
設(shè)該圓運(yùn)動(dòng)的離子速度為v1,qv1B=m
v
2
1
r1

即 v1=
Bqr1
m
=1.5×107m/s

(2)設(shè)離子以v2的速度沿與內(nèi)邊界圓相切的方向射入磁場(chǎng),且軌道與磁場(chǎng)外圓相切時(shí),則以該速度沿各個(gè)方向射入磁場(chǎng)區(qū)的離子都不能穿出磁場(chǎng)邊界.
設(shè)軌跡圓的半徑為r2,則得 r2=
R2-R1
2
=0.25m

由 B=
mv2
qr2
=2.0T

答:
(1)若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場(chǎng)的離子不能穿過(guò)磁場(chǎng),粒子的速度不能超過(guò)1.5×107m/s.
(2)b區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少要有2T.
點(diǎn)評(píng):本題對(duì)數(shù)學(xué)幾何的能若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場(chǎng)的離子不能穿過(guò)磁場(chǎng),粒子的速度不能超過(guò)力要求較高,關(guān)鍵找出臨界的半徑,再通過(guò)帶電粒子在磁場(chǎng)中的半徑公式求出臨界的速度.
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(2)A環(huán)到達(dá)最低點(diǎn)時(shí),兩環(huán)速度大。
(3)若將桿換成長(zhǎng)2
2
R,A環(huán)仍從離開(kāi)底部2R處?kù)o止釋放,經(jīng)過(guò)半圓型底部再次上升后離開(kāi)底部的最大高度.

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