如圖甲,兩光滑的平行導(dǎo)軌MONPO/Q,其中ON、O/Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點(diǎn)間連電阻R,導(dǎo)軌間距為L. 水平導(dǎo)軌處有兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區(qū)),磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強(qiáng)度的恒定的磁場(chǎng),Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的寬度為x0,磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化。一質(zhì)量為m,電阻為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置在磁場(chǎng)區(qū)中央位置,t=0時(shí)刻Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度從1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)力的作用下運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖丙所示。

(1)求出t=0時(shí)刻導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)加速度a

(2)求導(dǎo)體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)邊界過程安培力所做的功和將要穿出時(shí)刻電阻R的電功率。

(3)根據(jù)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)圖象,求棒的最終位置和在0-t2時(shí)間內(nèi)通過棒的電量。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 (1)t=0時(shí)刻             (2分)

ab棒受到向左的安培力           (1分)

ab棒向左的加速度                    (1分) 

(2)t0/2時(shí)刻導(dǎo)體棒穿出磁場(chǎng)速度為v0,由動(dòng)能定理,安培力的功為

                                        (2分)  

將要穿出磁場(chǎng)Ⅰ區(qū)時(shí)電動(dòng)勢(shì)為

                     (2分)

                    (1分)

           

(3)設(shè)磁場(chǎng)Ⅱ區(qū)寬度為x1,棒在Ⅱ區(qū)任一時(shí)刻速度為v, E=BLv              

棒受到向右安培力        加速度大小 (1分)

   (1分)

穿過磁場(chǎng)Ⅱ區(qū)全程      (1分)

                              

棒從斜面返回磁場(chǎng)Ⅱ初速度v0/2,同理可知,經(jīng)過x1位移速度減為零,所以停在Ⅱ區(qū)右端

(2分)

又                    

0-t2時(shí)間內(nèi)               

                            (3分)

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲,兩光滑的平行導(dǎo)軌MON與PO’Q,其中ON、O’Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點(diǎn)間連電阻R,導(dǎo)軌間距為L.水平導(dǎo)軌處有兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和ghjk虛線包圍區(qū)),磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強(qiáng)度B0的恒定磁場(chǎng),Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的寬度為x0,磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化.一質(zhì)量為m,電阻為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置在磁場(chǎng)區(qū)中央位置,t=0時(shí)刻Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)力的作用下運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時(shí)刻導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)的加速度a;
(2)求導(dǎo)體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的過程中安培力所做的功和ab棒離開Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)后直到最終停止的過程中電阻R上產(chǎn)生的熱量.
(3)根據(jù)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)圖象,求棒的最終位置和在0-t2時(shí)間內(nèi)通過棒的電量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2010?南京模擬)如圖甲,兩光滑的平行導(dǎo)軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點(diǎn)間連電阻R,導(dǎo)軌間距為L.水平導(dǎo)軌處有兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區(qū)),磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強(qiáng)度B0的恒定的磁場(chǎng),Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的寬度為x0,磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化.一質(zhì)量為m,電阻為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置在磁場(chǎng)區(qū)中央位置,t=0時(shí)刻Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)力的作用下運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時(shí)刻導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)加速度a.
( 2)求導(dǎo)體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)邊界過程安培力所做的功和將要穿出時(shí)刻電阻R的電功率.
(3)根據(jù)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)圖象,求棒的最終位置和在0-t2時(shí)間內(nèi)通過棒的電量.

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科目:高中物理 來源:2010年江蘇省南京市三校聯(lián)考高三(下)調(diào)研物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲,兩光滑的平行導(dǎo)軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點(diǎn)間連電阻R,導(dǎo)軌間距為L.水平導(dǎo)軌處有兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區(qū)),磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強(qiáng)度B的恒定的磁場(chǎng),Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的寬度為x,磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化.一質(zhì)量為m,電阻為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置在磁場(chǎng)區(qū)中央位置,t=0時(shí)刻Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)力的作用下運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時(shí)刻導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)加速度a.
( 2)求導(dǎo)體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)邊界過程安培力所做的功和將要穿出時(shí)刻電阻R的電功率.
(3)根據(jù)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)圖象,求棒的最終位置和在0-t2時(shí)間內(nèi)通過棒的電量.

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如圖甲,兩光滑的平行導(dǎo)軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點(diǎn)間連電阻R,導(dǎo)軌間距為L.水平導(dǎo)軌處有兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區(qū)),磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強(qiáng)度B的恒定的磁場(chǎng),Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的寬度為x,磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化.一質(zhì)量為m,電阻為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置在磁場(chǎng)區(qū)中央位置,t=0時(shí)刻Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導(dǎo)體棒在磁場(chǎng)力的作用下運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時(shí)刻導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)加速度a.
( 2)求導(dǎo)體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場(chǎng)邊界過程安培力所做的功和將要穿出時(shí)刻電阻R的電功率.
(3)根據(jù)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)圖象,求棒的最終位置和在0-t2時(shí)間內(nèi)通過棒的電量.

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