(2010?南京模擬)如圖甲,兩光滑的平行導軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L.水平導軌處有兩個勻強磁場區(qū)域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區(qū)),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區(qū)是磁感強度B0的恒定的磁場,Ⅰ區(qū)磁場的寬度為x0,磁感應強度隨時間變化.一質(zhì)量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區(qū)中央位置,t=0時刻Ⅰ區(qū)磁場的磁感強度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時刻導體棒運動加速度a.
( 2)求導體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場邊界過程安培力所做的功和將要穿出時刻電阻R的電功率.
(3)根據(jù)導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內(nèi)通過棒的電量.
分析:(1)根據(jù)法拉第電磁感應定律求解出感應電動勢;根據(jù)歐姆定律求解出電流;計算出安培力后根據(jù)牛頓第二定律求解出加速度;
(2)根據(jù)動能定理列式求解安培力的功,根據(jù)動生電動勢和感生電動勢合成得到電動勢,求出電流和電功率;
(3)結合圖象并運用微元法,得到Ⅱ區(qū)寬度,然后根據(jù)法拉第電磁感應定律、歐姆定律、安培力公式、切割公式等列式分析計算.
解答:解:(1)t=0時刻 E=
△Φ
△t
=
B1
t0
?
Lx0
2
,I=
E
2R
ab棒受到向左的安培力 F=B1IL=
B
2
1
L2x0
4Rt0

ab棒向左的加速度 a=
F
m
=
B
2
1
L2x0
4mRt0

(2)
1
2
t0時刻導體棒穿出磁場速度為v0,由動能定理,安培力的功為W=
1
2
m
v
2
0

將要穿出磁場Ⅰ區(qū)時電動勢為E=
△Φ
△t
-BLv=
B1Lx0
t0
-
B1Lv0
2

I=
E
2R
,P=I2R=
1
4R
(
B1Lx0
t0
-
B1Lv0
2
)2

(3)設磁場Ⅱ區(qū)寬度為x1,棒在Ⅱ區(qū)任一時刻速度為v,E=BLv,I=
B0Lv
2R

棒受到向右安培力 F=B0IL=
B02L2v
2R

加速度大小a=
B02L2v
2mR

△v=-a△t=
-B02L2v
2mR
△t
穿過磁場Ⅱ區(qū)全程
∑△v=
1
2
v0-v0
=
B02L2
2mR
∑△x=
-B02L2
2mR
x1

x1=
mRv0
B
2
0
L2

棒從斜面返回磁場Ⅱ初速度
1
2
v0,同理可知,經(jīng)過x1位移速度減為零,所以停在Ⅱ區(qū)右端
又 E=
△Φ 
△t
,I=
E
2R

△Q=I△t=
△Φ 
2R

0-t2時間內(nèi) △Φ 1=-
B1Lx0
2
,△Φ 2=B0Lx1=
mRv0
B0L

△Q=
mv0
2B0L
-
B1Lx0
4R

答:(1)開始時刻導體棒運動加速度a為
B
2
1
L2x0
4mRt0

( 2)導體棒穿過Ⅰ區(qū)磁場邊界過程安培力所做的功為
1
2
m
v
2
0
,將要穿出時刻電阻R的電功率為
1
4R
(
B1Lx0
t0
-
B1Lv0
2
)
2
;
(3)棒的最終位置在Ⅱ區(qū)右端,在0-t2時間內(nèi)通過棒的電量為
mv0
2B0L
-
B1Lx0
4R
點評:本題關鍵結合圖象得到導體棒的運動規(guī)律;對于第二問,要注意同時存在感生和動生電動勢;第三問要結合微元法求解.
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D.電壓表(量程15.0V,內(nèi)阻約為15kΩ)
E.滑動變阻器(最大阻值為200Ω,額定電流100mA)
F.滑動變阻器(最大阻值為10Ω,額定電流1.0A)
G.電源(電動勢為3.0V,內(nèi)阻約為0.2Ω)
(1)實驗中所用的電流表應選
A
A
;電壓表應選
C
C
;滑動變阻器應選
F
F
.(填器材前面的字母)
(2)為使實驗誤差盡可能小,請你設計實驗電路圖,并畫在方框中.

(3)實驗過程中,電壓U和電流I的關系可用圖線表示,下列給出的四個圖線中,符合實際的是
C
C

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