(2011?上海模擬)如圖所示為某門(mén)電路構(gòu)成的一簡(jiǎn)單控制電路,其中R’與R中一個(gè)為光敏電阻(光敏電阻在光照時(shí)電阻很。,另一個(gè)為變阻器,L為小燈泡.其工作情況是:當(dāng)光敏電阻受到光照時(shí),小燈L不亮,不受光照時(shí),小燈L亮.請(qǐng)指出在電路中R’為
滑動(dòng)變阻器
滑動(dòng)變阻器
(填“光敏電阻”或“變阻器”).為了有較弱光照時(shí)燈就不亮,變阻器的阻值應(yīng)取
大些
大些
(填“大些”或“小些”).
分析:根據(jù)圖可知,當(dāng)非門(mén)電路的輸出端為低電勢(shì)時(shí),燈亮,此時(shí)天黑,R阻值較大,輸入端為高電勢(shì),故R為光敏電阻,R′為滑動(dòng)變阻器;根據(jù)串聯(lián)電路分壓,R′越大,R分的電壓越小,當(dāng)天越黑,R越大,分的電壓越大,當(dāng)達(dá)到高電勢(shì)時(shí),即輸入為高電勢(shì),輸出為低電勢(shì),燈亮,故R′調(diào)大些.
解答:答:由電路圖可知,當(dāng)天黑時(shí)非門(mén)電路的輸入端為高電勢(shì),輸出端為低電勢(shì),燈亮,根據(jù)串聯(lián)電路分壓,此時(shí)R阻值較大分壓較大,故R為光敏電阻,R’為滑動(dòng)變阻器;當(dāng)天越黑時(shí),R阻值越大,分的電壓越大,當(dāng)達(dá)到高電勢(shì)時(shí),即輸入為高電勢(shì),輸出為低電勢(shì),燈亮,故R′調(diào)大些.
故答案為:滑動(dòng)變阻器       大些
點(diǎn)評(píng):考查了非門(mén)電路構(gòu)成的控制電路,會(huì)分析邏輯關(guān)系.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?上海模擬)運(yùn)動(dòng)會(huì)上4×100m接力賽是最為激烈的比賽項(xiàng)目,有甲乙兩運(yùn)動(dòng)員在訓(xùn)練交接棒的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),甲短距離加速后能保持9m/s的速度跑完全程.為了確定乙起跑的時(shí)機(jī),甲在接力區(qū)前s0處作了標(biāo)記,當(dāng)甲跑到此標(biāo)記時(shí)向乙發(fā)出起跑口令,乙在接力區(qū)的前端聽(tīng)到口令時(shí)立即起跑(忽略聲音傳播的時(shí)間及人的反應(yīng)時(shí)間),先做勻加速運(yùn)動(dòng),速度達(dá)到最大后,保持這個(gè)速度跑完全程.已知接力區(qū)的長(zhǎng)度為L(zhǎng)=20m,試求:
(1)若s0=13.5m,且乙恰好在速度達(dá)到與甲相同時(shí)被甲追上,完成交接棒,則在完成交接棒時(shí)乙離接力區(qū)末端的距離為多大?
(2)若s0=16m,乙的最大速度為8m/s,要使甲乙能在接力區(qū)內(nèi)完成交接棒,且比賽成績(jī)最好,則乙在加速階段的加速度應(yīng)為多少?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?上海模擬)下列說(shuō)法中正確的是( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?上海模擬)如圖所示,均勻光滑直棒一端鉸于地面,另一端擱在一個(gè)立方體上,桿與水平面間的夾角α為30°左右.現(xiàn)將立方體緩慢向左移動(dòng),則棒對(duì)立方體的壓力大小將( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?上海模擬)如圖所示,兩根足夠長(zhǎng)且平行的光滑金屬導(dǎo)軌與水平面成53°固定放置,導(dǎo)軌間連接一阻值為4Ω的電阻R,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì).在兩平行虛線(xiàn)L1、L2間有一與導(dǎo)軌所在平面垂直、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d=0.5m.導(dǎo)體棒a的質(zhì)量為ma=0.6kg,電阻Ra=4Ω;導(dǎo)體棒b的質(zhì)量為mb=0.2kg,電阻Rb=12Ω;它們分別垂直導(dǎo)軌放置并始終與導(dǎo)軌接觸良好.現(xiàn)從圖中的M、N處同時(shí)將它們由靜止開(kāi)始釋放,運(yùn)動(dòng)過(guò)程中它們都能勻速穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域,當(dāng)b剛穿出磁場(chǎng)時(shí),a正好進(jìn)入磁場(chǎng)(g取10m/s2,sin53°=0.8,且不計(jì)a、b之間電流的相互作用).求:
(1)在整個(gè)過(guò)程中,a、b兩導(dǎo)體棒分別克服安培力做的功;
(2)在a穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中,a、b兩導(dǎo)體棒上產(chǎn)生的焦耳熱之比;
(3)在穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中,a、b兩導(dǎo)體棒勻速運(yùn)動(dòng)的速度大小之比;
(4)M點(diǎn)和N點(diǎn)之間的距離.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2011?上海模擬)用同種材料制成傾角37°的斜面和長(zhǎng)水平面,斜面長(zhǎng)3.15m且固定,一小物塊從斜面頂端以沿斜面向下的初速度v0開(kāi)始自由下滑,當(dāng)v0=2.4m/s時(shí),經(jīng)過(guò)2.0s后小物塊停在斜面上.多次改變v0的大小,記錄下小物塊從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到最終停下的時(shí)間t,作出v0-t圖象,如圖所示,求:
(1)小物塊與該種材料間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ為多少?
(2)若小物塊初速度為3m/s,小物塊從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到最終停下的時(shí)間t為多少?

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