BLv |
R |
1 |
4 |
1 |
4 |
2B2L3v |
R |
1 |
4 |
3 |
4 |
1 |
4 |
2B2L3v |
R |
科目:高中物理 來源: 題型:
1 | 4 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度為B,方向垂直紙面向外.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:
(1)cd邊剛進入磁場時,ab兩端的電勢差,并指明哪端電勢高;
(2)線框穿過磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)在乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象,其中U0=BLv.
甲
乙
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2013屆山東省煙臺市萊州一中高三第三次質(zhì)量檢測物理試卷(帶解析) 題型:計算題
如圖甲所示,空間有一寬為0.2m的勻強磁場區(qū)域,磁感應強2T,方向垂直紙面向外,abcd是由均勻電阻絲做成的邊長0.1m的正方形線框,總電阻為1Ω,線框以垂直磁場邊界的速度10m/s勻速通過磁場區(qū)域,在運動過程中,線框ab 、cd兩邊始終與磁場邊界平行,設(shè)線框剛進入磁場的位置t=0求:
(1)線框穿過磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(2)畫出線框穿過磁場過程中,cd兩端電勢差Ucd隨時間t變化的圖象(不需要分析說明)
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com