(12分)如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度l=1m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強(qiáng)磁場與U形框架的平面垂直。勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度 B=0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5kg,有效電阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求
(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率。(g=10m/s2)。
解析:
(1)導(dǎo)體ab受G和框架的支持力N,而做加速運(yùn)動由牛頓第二定律
mgsin30°=ma
a=gsin30°=5(m/s2)
但是導(dǎo)體從靜止開始運(yùn)動后,就會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,回路中就會有感應(yīng)電流,感應(yīng)電流使得導(dǎo)體受到磁場的安培力的作用。設(shè)安培力為FA
隨著速度v的增加,加速度a逐漸減小。當(dāng)a=0時,速度v有最大值
(2)在導(dǎo)體ab的速度達(dá)到最大值時,電阻上釋放的電功率
常見錯解:
錯解一:
(1)ab導(dǎo)體下滑過程中受到重力G和框架的支持力N,如圖。
根據(jù)牛頓第二定律ΣF=ma
mgsinα=ma
a=gslnα
導(dǎo)體的初速度為V0=0,導(dǎo)體做勻加速直線運(yùn)動,由運(yùn)動學(xué)公式
v=v0c+at=5t
隨著t的增大,導(dǎo)體的速度v增大vm→∞
由ε=Blv可知
當(dāng)vm→∞,電功率P→∞
錯解二:
當(dāng)導(dǎo)體所受合力為零時,導(dǎo)體速度達(dá)到最大值。
(1)導(dǎo)體ab受G和框架的支持力 N,而做加速運(yùn)動
由牛頓第二定律
mgsin30°=ma
a=gsin30°
但是導(dǎo)體從靜止開始運(yùn)動后,就會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,回路中就會有感應(yīng)電流,感應(yīng)電流使得導(dǎo)體受到磁場的安培力的作用。設(shè)安培力為FA。
隨著速度v的增加,加速度a逐漸減小。當(dāng)a=0時,速度v有最大值
錯解原因:
分析導(dǎo)體ab下滑過程中物理量變化的因果關(guān)系是求ab導(dǎo)體下滑最大速度的關(guān)鍵。
錯解一:正是由于對電磁現(xiàn)象規(guī)律和力與運(yùn)動的關(guān)系理解不夠,錯誤地分析出ab導(dǎo)體在下滑過程中做勻加速運(yùn)動。實際上,導(dǎo)體ab只要有速度,就會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,感應(yīng)電流在磁場中受到安培力的作用。安培力隨速度的增加而增大,且安培力的方向與速度方向相反,導(dǎo)體做加速度逐漸減小的變加速直線運(yùn)動。
錯解二:的分析過程是正確的,但是把導(dǎo)體下滑時產(chǎn)生的電動勢寫錯了公式,ε=Blvsin30°中30°是錯誤的。ε=Blvsinθ中的θ角應(yīng)為磁感強(qiáng)度B與速度v的夾角。本題中θ=90°。
科目:高中物理 來源:2009年復(fù)習(xí)高考物理易錯題集錦 題型:038
如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度L=1 m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°.其電阻可忽略不計.設(shè)勻強(qiáng)磁場與U形框架的平面垂直.勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度B=0.2 T.今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5 kg,有效電阻R=0.1 Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求:
(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率.(g=10 m/s2).
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科目:高中物理 來源: 題型:
(14分)如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度L=1m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強(qiáng)磁場與U形框架的平面垂直。勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度B=0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5kg,有效電阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求:
(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率。(g=10m/s2)。
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年龍海二中高二下學(xué)期第一次月考考試物理卷 題型:計算題
(14分)如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度L=1m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強(qiáng)磁場與U形框架的平面垂直。勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度B=0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5kg,有效電阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求:
(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率。(g=10m/s2)。
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科目:高中物理 來源:2013屆龍海二中高二下學(xué)期第一次月考考試物理卷 題型:選擇題
(14分)如圖所示,一個U形導(dǎo)體框架,其寬度L=1m,框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強(qiáng)磁場與U形框架的平面垂直。勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度B=0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab,其質(zhì)量為m=0.5kg,有效電阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能無摩擦地滑動,求:
(1)由靜止釋放導(dǎo)體,導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度vm時,在ab上釋放的電功率。(g=10m/s2)。
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