【題目】下圖是某家族的一種遺傳病的系譜圖A表示顯性基因,a表示隱性基因,請分析回答

1該病屬于 性遺傳病,致病基因位于 染色體上。

28的基因型 。

310是雜合子的幾率是

4如果8與10違法婚配,他們生出患病孩子的幾率為 。

【答案】

1

2EE或Ee

32/3

41/9

【解析】

1由以上分析可知,該病屬于隱性遺傳病

27可知34的基因型均為Aa,則8的基因型是AA或Aa

39可知56的基因型均為Aa,則10的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa,可見其是雜合子的幾率為2/3

48的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa,,10的基因型及概率也 1/3 AA、2/3 Aa,他們婚配,生出患病孩子的概率為2/3*2/3*1/4= 1/9

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】美國物理學家密立根通過如圖所示的實驗裝置最先測出了電子的電荷量,被稱為密立根油滴實驗。兩塊水平放置的金屬板AB分別與電源的正負極相連接,板間產(chǎn)生勻強電場,方向豎直向下,圖中油滴由于帶負電懸浮在兩板間保持靜止。(已知重力加速度為g

(1)若要測出該油滴的電荷量,需要測出的物理量有__________

A.油滴質(zhì)量m

B.兩板間的電壓U

C.兩板間的距離d

D.兩板的長度L

(2)用所選擇的物理量表示出該油滴的電荷量q=________

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,電流表G的內(nèi)阻不可忽略不計,R1R2是兩個可變電阻,當ab間的電壓為4 V時,電流表的指針剛好滿偏(指針指在刻度盤的最大值處),當a、b間的電壓為3 V時,如果仍要使電流表G的指針滿偏,下列方法中可行的是(  )

①保持R2不變,增大R1、谠龃R1,減小R2 

③保持R2不變,減小R1、茉龃R2,減小R1

A. ①④ B. ①② C. ②③ D. ③④

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】某同學用彈簧OC和彈簧秤ab探究求合力的方法實驗.如圖1所示,在保持彈簧伸長量不變的條件下:

(1)若彈簧秤a、b間夾角為90°,彈簧秤a的讀數(shù)是________N(2中所示)

(2)若彈簧秤ab間夾角大于90°,保持彈簧秤a與彈簧OC的夾角不變,減小彈簧秤b與彈簧OC的夾角,則彈簧秤a的讀數(shù)________、彈簧秤b的讀數(shù)________(變大”“變小不變”)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示, 、、為一粗糙絕緣水平面上的四個點,一電荷量為的負點電荷固定在點,現(xiàn)有一質(zhì)量為、電荷量為的帶負電小金屬塊(可視為質(zhì)點),從點靜止沿它們的連線向右運動,到點時速度最大,其大小為,小金屬塊最后停止在點.已知小金屬塊與水平面間的動摩擦因數(shù)為間的距離為,靜電力常量為,不計空氣阻力,則(

A. 在點電荷一形成的電場中, 、兩點間的電勢差為

B. 在小金屬塊由運動的過程中,電勢能先增大后減小

C. 的過程中,小金屬塊的動能全部轉(zhuǎn)化為電勢能

D. 間的距離為

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,用絕緣細線拴一帶負電小球,在豎直平面內(nèi)做圓周運動,勻強電場方向豎直向下,則(   )

A. 小球一定做變速圓周運動

B. 小球在運動過程中機械能一定不守恒

C. 當小球運動到最低點b時,小球的速度一定最大

D. 當小球運動到最高點a時,小球的電勢能最小

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】關于質(zhì)點的概念正確的是 ( )

A.只有體積很小的物體才可以看成質(zhì)點

B.若物體運動得很快,就一定不可以把物體看成質(zhì)點

C.旋轉(zhuǎn)的物體,肯定不能看成質(zhì)點

D.質(zhì)點是把物體抽象成有質(zhì)量而沒有大小的點,是一個理想化模型

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,ab、cd分別是一個菱形的四個頂點,∠abc=120°.現(xiàn)將三個等量的正點電荷+Q固定在a、bc三個頂點上,將一個電量為+q的點電荷依次放在菱形中心點O點和另一個頂點d點處,兩點相比(  )

A. qd點所受的電場力較大

B. qd點所具有的電勢能較大

C. d點的電勢低于O點的電勢

D. d點的電場強度大于O點的電場強度

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】硅光電池已廣泛應用于人造衛(wèi)星和燈塔、高速公路“電子眼”等設施.其原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個電極,P、N是兩塊硅半導體,P、N可在E區(qū)形成勻強電場.P的上表面鍍有一層膜,當光照射時,P內(nèi)產(chǎn)生的自由電子經(jīng)E區(qū)電場加速后到達半導體N,從而產(chǎn)生電動勢.以下說法中正確的是 ( )

A. a電極為電池的正極

B. 電源內(nèi)部的電流方向由N指向P

C. E區(qū)勻強電場的方向由N指向P

D. 硅光電池是一種把化學能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

查看答案和解析>>

同步練習冊答案