20.如圖所示,在豎直平面內(nèi)有一個(gè)“日“字形線框,線框總質(zhì)量為m,每條短邊長(zhǎng)度均為l.線框橫邊的電阻為r,豎直邊的電阻不計(jì).在線框的下部有一個(gè)垂直豎直平面、方向遠(yuǎn)離讀者、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的高度也為l.讓線框自空中一定高處自由落下,當(dāng)線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng).重力加速度為g.求:
(1)“日”字形線框作勻速運(yùn)動(dòng)的速度v的大。
(2)“日”字形線框從開始下落起,至線框上邊離開磁場(chǎng)的下邊界為止的過程中所經(jīng)歷的時(shí)間t.

分析 (1)根據(jù)安培阻力等于重力,結(jié)合安培力綜合表達(dá)式,即可求解;
(2)根據(jù)線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),依據(jù)切割感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與閉合電路歐姆定律,及安培力表達(dá)式,即可判定線框一直勻速運(yùn)動(dòng),進(jìn)而由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,即可求解.

解答 解:(1)根據(jù)線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),此時(shí)下邊切割磁場(chǎng),則電路的總電阻為:
R=r+$\frac{r}{2}$
由平衡條件,則有:mg=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{\frac{3}{2}r}$
解得:v=$\frac{3mgr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$;
(2)線框進(jìn)入磁場(chǎng)前做自由落體運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,
則下落的時(shí)間t1=$\frac{v}{g}$=$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$
因線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),當(dāng)中間邊切割磁場(chǎng)時(shí),感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不變,則電阻也不變,
因此安培阻力仍等于重力,那么一直做勻速直線運(yùn)動(dòng),則經(jīng)歷的時(shí)間為:
t2=$\frac{3l}{v}$=$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$;
因此從開始下落起,至線框上邊離開磁場(chǎng)的下邊界為止的過程中所經(jīng)歷的時(shí)間t=t1+t2=$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$+$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$
答:(1)“日”字形線框作勻速運(yùn)動(dòng)的速度v的大小$\frac{3mgr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$;
(2)“日”字形線框從開始下落起,至線框上邊離開磁場(chǎng)的下邊界為止的過程中所經(jīng)歷的時(shí)間$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$+$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$.

點(diǎn)評(píng) 考查平衡條件的內(nèi)容,掌握安培力的綜合表達(dá)式,理解切割感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)影響因素,注意電路中的等效電阻的求解.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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B.在玻璃中單色光a的傳播速率小于單色光b的傳播速率
C.增大光束與玻璃磚下表面間的夾角θ,上表面會(huì)有兩束平行單色光線射出
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