分析 (1)根據(jù)安培阻力等于重力,結(jié)合安培力綜合表達(dá)式,即可求解;
(2)根據(jù)線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),依據(jù)切割感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與閉合電路歐姆定律,及安培力表達(dá)式,即可判定線框一直勻速運(yùn)動(dòng),進(jìn)而由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,即可求解.
解答 解:(1)根據(jù)線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),此時(shí)下邊切割磁場(chǎng),則電路的總電阻為:
R=r+$\frac{r}{2}$
由平衡條件,則有:mg=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{\frac{3}{2}r}$
解得:v=$\frac{3mgr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$;
(2)線框進(jìn)入磁場(chǎng)前做自由落體運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,
則下落的時(shí)間t1=$\frac{v}{g}$=$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$
因線框下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)立即作勻速運(yùn)動(dòng),當(dāng)中間邊切割磁場(chǎng)時(shí),感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不變,則電阻也不變,
因此安培阻力仍等于重力,那么一直做勻速直線運(yùn)動(dòng),則經(jīng)歷的時(shí)間為:
t2=$\frac{3l}{v}$=$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$;
因此從開始下落起,至線框上邊離開磁場(chǎng)的下邊界為止的過程中所經(jīng)歷的時(shí)間t=t1+t2=$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$+$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$
答:(1)“日”字形線框作勻速運(yùn)動(dòng)的速度v的大小$\frac{3mgr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$;
(2)“日”字形線框從開始下落起,至線框上邊離開磁場(chǎng)的下邊界為止的過程中所經(jīng)歷的時(shí)間$\frac{3mr}{2{B}^{2}{L}^{2}}$+$\frac{2{B}^{2}{l}^{3}}{mgr}$.
點(diǎn)評(píng) 考查平衡條件的內(nèi)容,掌握安培力的綜合表達(dá)式,理解切割感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)影響因素,注意電路中的等效電阻的求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 其中有一束單色光在玻璃磚的上表面發(fā)生了全反射 | |
B. | 在玻璃中單色光a的傳播速率小于單色光b的傳播速率 | |
C. | 增大光束與玻璃磚下表面間的夾角θ,上表面會(huì)有兩束平行單色光線射出 | |
D. | 改變玻璃磚的厚度,a光可能會(huì)從b光的右側(cè)射出 | |
E. | a光的頻率大于b光的頻率 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 沿光滑豎直圓軌道運(yùn)動(dòng)的小球 | B. | 沿豎直方向自由下落的物體 | ||
C. | 起重機(jī)將重物勻速吊起 | D. | 做斜拋運(yùn)動(dòng)的手榴彈 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該衰變方程${\;}_{88}^{228}$Ra→${\;}_{86}^{224}$Rn+${\;}_{2}^{4}$He | |
B. | 若該元素的半衰期為T,則經(jīng)過3T的時(shí)間,2kg的${\;}_{88}^{228}$Ra中仍有0.25kg沒發(fā)生衰變 | |
C. | 由方程可知反應(yīng)${\;}_{88}^{228}$Ra的質(zhì)量等于反應(yīng)后的新核Rn與${\;}_{2}^{4}$He的質(zhì)量之和 | |
D. | 若只改變?cè)撛厮幍奈锢頎顟B(tài),則其半衰期不變 | |
E. | 該元素的半衰期會(huì)隨它所處的化學(xué)環(huán)境的變化而變化 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 第1s內(nèi)的位移是3m | B. | 前2s內(nèi)的平均速度是14m/s | ||
C. | 任意相鄰1s內(nèi)的位移差都是4m | D. | 任意1s內(nèi)的速度增量都是3m/s |
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