如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度分別為E;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)電場中。求:

(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑
(2)O、M間的距離
(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間

(1)(2)(3)

解析試題分析:(1)粒子在勻強(qiáng)電場中做類平拋運(yùn)動,設(shè)粒子過A點(diǎn)時(shí)速度為v,
由類平拋規(guī)律知            ①2分
粒子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動,由牛頓第二定律得    ②1分
所以               ③1分

(2)設(shè)粒子在電場中運(yùn)動時(shí)間為t1,加速度為a。則有   ④1分
          ⑤1分
       ⑥2分
O、M兩點(diǎn)間的距離為………⑦2分
(3)設(shè)粒子在Ⅱ區(qū)域磁場中運(yùn)動時(shí)間為t2
則由幾何關(guān)系知     ⑧2分
設(shè)粒子在Ⅲ區(qū)域電場中運(yùn)行時(shí)間為t3,
      ⑨1分
          ⑩2分
粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所用時(shí)間為
         2分
考點(diǎn):考查了帶電粒子在磁場中的偏轉(zhuǎn)
點(diǎn)評:帶電粒子在磁場中的轉(zhuǎn)動,要注意確定圓心和半徑,找出正確的幾何關(guān)系;必要時(shí)要注意討論,找出所有的可能情況再做出結(jié)論.

練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?河北模擬)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度分別為E和
E2
;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)電場中.求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑
(2)O、M間的距離
(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012年2月濟(jì)南檢測)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度分別為E;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)電場中。求:

(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑。

(2)O、M間的距離。

(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間。

 

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省高三12月月考物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度分別為E;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)電場中。求:

(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑

(2)O、M間的距離

(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間

 

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科目:高中物理 來源:2012年2月高考模擬優(yōu)化重組專題卷(八)物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題

(2012年2月濟(jì)南檢測)如圖所示裝置中,區(qū)域Ⅰ和Ⅲ中分別有豎直向上和水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度分別為E;Ⅱ區(qū)域內(nèi)有垂直向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、帶電量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度v0水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成60°角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)電場中。求:

(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑。

(2)OM間的距離。

(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間。

 

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