在透明均勻介質(zhì)內(nèi)有一球狀空氣泡,一束包含a、b兩種單色光的細(xì)光束從介質(zhì)射入氣泡,A為入射點,之后a、b光分別從C、D點射向介質(zhì),如圖所示.已知A點的入射角為30°,介質(zhì)對a光的折射率na =.下列判斷正確的是
A.a光射出空氣泡后相對于射入空氣泡前的偏向角為30°
B.在該介質(zhì)中,光傳播速度va >vb
C.光從該介質(zhì)射向空氣發(fā)生全反射時,臨界角Ca >Cb
D.a、b光分別通過同一雙縫干涉裝置時,屏上相鄰兩干涉條紋的間距xa >xb
科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年四川省瀘州市高三第二次診斷性考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,理想電表與定值電阻R1、R2、R3連接在電路中,當(dāng)開關(guān)S閉合時,電流表的讀數(shù),電壓表的讀數(shù)為.由于其中一個電阻發(fā)生了斷路或短路,使電路中的兩只表的讀數(shù)均增大。則根據(jù)此現(xiàn)象,可以判斷
A. R1斷路 B. R2短路 C. R3短路 D. R3斷路
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年四川省成都市高三第三次診斷性考試物理試卷(解析版) 題型:計算題
我國已于2012年11月完成艦載機阻攔著艦(見圖)試驗!與岸基飛機著陸時可減速平飛不同,艦載機著艦時,一旦飛機尾鉤未能掛住阻攔索,則必須快速拉升逃逸.
假設(shè)航母靜止,“殲–15”著艦速度為30 m/s,鉤住阻攔索后能勻減速滑行45 m停下,若沒有鉤住阻攔索,必須加速到50 m/s才能安全飛離航母,航母甲板上用于戰(zhàn)機加速的長度僅有200m.
(1)求“殲–15”在鉤住阻攔索后的減速過程中的加速度大小及滑行時間.
(2)若沒有鉤住阻攔索,戰(zhàn)機要安全飛離航母,則“殲–15”在甲板上做勻加速運動的加速度至少多大?
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年四川省高三零診模擬物理試卷(解析版) 題型:計算題
(14分)如圖所示,在同一平面內(nèi)邊長均為l的正方形區(qū)域abcd和cdef中.分別存在平行于ab方向的勻強電場和垂直紙面向里的勻強磁場.質(zhì)量為m電荷量為q的帶電粒子,以速度υ0沿ad方向從a點射入電場,并從dc邊的中點O射出,不計重力.
(1)求電場強度的大小;
(2)若粒子垂直于ef邊界射出磁場,求它在電、磁場中運動的總時間;
(3)磁場的磁感應(yīng)強度大小在什么范圍內(nèi)時,粒子才能從de邊界射出磁場?
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年四川省高三零診模擬物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖甲所示,電阻不計且間距為L=1m的光滑平行金屬導(dǎo)軌豎直放置,上端連接阻值為R=1Ω的電阻,虛線OO′下方有垂直于導(dǎo)軌平面向里的勻強磁場.現(xiàn)將質(zhì)量為m=0.3kg、電阻Rab=1Ω的金屬桿ab從OO′上方某處以一定初速釋放,下落過程中與導(dǎo)軌保持良好接觸且始終水平.在金屬桿ab下落0.3m的過程中,其加速度a與下落距離h的關(guān)系圖象如圖乙所示.已知ab進入磁場時的速度v0=3.0m/s,取g=10m/s2.則下列說法正確的是( )
A.進入磁場后,金屬桿ab中電流的方向由b到a
B.勻強磁場的磁感應(yīng)強度為2.0T
C.金屬桿ab下落0.3 m的過程中,通過R的電荷量0.24C
D.金屬桿ab下落0.3 m的過程中,R上產(chǎn)生的熱量為0.45J
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年四川省德陽市高三“二診“物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,在坐標(biāo)系xoy中,有邊長為L的正方形金屬線框abcd,其一條對角線ac和y軸重合、頂點a位于坐標(biāo)原點O處,在y軸右側(cè)的Ⅰ、Ⅳ象限內(nèi)有一垂直紙面向里的勻強磁場,磁場的上邊界與線框的ab邊剛好完全重合,左邊界與y軸重合,右邊界與y軸平行.t=0時刻,線框以恒定的速度v沿垂直于磁場上邊界的方向穿過磁場區(qū)域.取沿abcd方向的感應(yīng)電流為正方向,則在線框穿過磁場區(qū)域的過程中,感應(yīng)電流i、ab間的電勢差Uab隨時間t變化的圖線是下圖中的
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年吉林省吉林市高三第三次模擬考試?yán)砭C物理試卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法正確的是
A.一定質(zhì)量的氣體,在體積不變時,分子每秒與器壁平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小
B.晶體熔化時吸收熱量,分子平均動能一定增大
C.空調(diào)既能制熱又能制冷,說明在不自發(fā)地條件下熱傳遞方向性可以逆向
D.外界對氣體做功時,其內(nèi)能一定會增大
E.生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時,需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻人其他元素,可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.時鐘A走得最慢 | B.時鐘B走得最慢 |
C.時鐘C走得最慢 | D.時鐘C走得最快 |
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