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下列儀器①燒杯②蒸發(fā)皿③平底燒瓶④試管⑤坩堝⑥錐形瓶,其中可以用酒精燈直接加熱的儀器是( 。

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下列實驗操作正確的是( 。

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在下列變化中,需要加入合適的氧化劑才能實現(xiàn)的是(  )

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下列物質中屬于電解質的是( 。
①氫氧化鈉②硫酸鋇③銅④蔗糖⑤二氧化硫.

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氧化還原反應的本質是(  )

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(2013?長沙模擬)硫酸工業(yè)尾氣中二氧化硫的含量超過0.05%(體積分數(shù))時需經(jīng)處理后才能排放.某;瘜W興趣小組欲測定某硫酸工廠排放尾氣中二氧化硫的含量,分別采用以下方案:
【甲方案】如圖所示,圖中氣體流量計B用于準確測量通過的尾氣體積.將尾氣通入一定體積已知濃度的碘水中測定SO2的含量.當洗氣瓶C中溶液藍色消失時,立即關閉活塞A.

(1)洗氣瓶C中導管末端連接一個多孔球泡D,可以提高實驗的準確度,其理由是
增大SO2與碘水的接觸面積,使SO2和碘水充分反應
增大SO2與碘水的接觸面積,使SO2和碘水充分反應

(2)洗氣瓶C中溶液藍色消失后,沒有及時關閉活塞A,測得的SO2含量
偏低
偏低
(填“偏高”、“偏低”或“無影響”).
【乙方案】實驗步驟如下面流程圖所示:
(3)步驟①中過量H2O2的作用是
將SO2完全轉化為SO42-
將SO2完全轉化為SO42-
;
(4)寫出步驟②中反應的化學方程式
H2SO4+Ba(OH)2=BaSO4↓+2H2O
H2SO4+Ba(OH)2=BaSO4↓+2H2O

(5)步驟②中Ba(OH)2是否足量的判斷方法是
靜置分層后,向上層清液中繼續(xù)滴加Ba(OH)2溶液,若無渾濁現(xiàn)象產(chǎn)生說明Ba(OH)2足量,否則不足
靜置分層后,向上層清液中繼續(xù)滴加Ba(OH)2溶液,若無渾濁現(xiàn)象產(chǎn)生說明Ba(OH)2足量,否則不足

(6)通過的尾氣體積為V L(已換算成標準狀況)時,該尾氣中二氧化硫的含量(體積分數(shù))為
22.4m
233V
22.4m
233V
(用含有V、m的代數(shù)式表示).

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(2008?江蘇)根據(jù)下列框圖回答問題(答題時,方程式中的M、E用所對應的元素符號表示):

(1)寫出M溶于稀H2SO4和H2O2混合液的化學方程式:
Cu+H2O2+H2SO4═CuSO4+2H2O
Cu+H2O2+H2SO4═CuSO4+2H2O

(2)某同學取X的溶液,酸化后加入KI、淀粉溶液,變?yōu)樗{色.寫出與上述變化過程相關的離子方程式:
4Fe2++O2+4H+═4Fe3++2H2O
4Fe2++O2+4H+═4Fe3++2H2O
、
2Fe3++2I-═2Fe2++I2
2Fe3++2I-═2Fe2++I2

(3)寫出Cl2將Z氧化為K2EO4的化學方程式:
10KOH+3Cl2+2Fe(OH)3═2K2FeO4+6KCl+8H2O
10KOH+3Cl2+2Fe(OH)3═2K2FeO4+6KCl+8H2O

(4)由E制備的E(C5H52的結構如圖,其中氫原子的化學環(huán)境完全相同.但早期人們卻錯誤地認為它的結構為:.核磁共振法能夠區(qū)分這兩種結構.在核磁共振氫譜中,正確的結構有
1
1
種峰(即有幾種化學環(huán)境完全相同H原子),錯誤的結構有
3
3
種峰.

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甲、乙、丙、丁四種物質均為下列離子組成的可溶性化合物,組成這四種物質的離子(離子不能重復組合)有:
陽離子 Ag+、Mg2+、Al3+、Ba2+
陰離子 Cl-
SO
2-
4
、NO3-、OH-
現(xiàn)進行以下實驗,
①將乙的溶液分別加到足量甲、丁兩溶液中時均產(chǎn)生穩(wěn)定的白色沉淀;
②將少量丙溶液滴入丁溶液時產(chǎn)生白色沉淀,當丙過量時沉淀完全溶解;
③甲、丙兩溶液混合時產(chǎn)生的白色沉淀,經(jīng)分析其中含有兩種成份.
據(jù)此回答下列問題:
(1)寫出下列物質的化學式:甲
MgSO4
MgSO4
 乙
AgNO3
AgNO3

(2)丙的陰離子的電子式是
,丁的陽離子的結構示意圖是

(3)寫出相應離子方程式:
①甲溶液與丙溶液混合:
Mg2++SO42-+Ba2++2OH-═Mg(OH)2↓+BaSO4
Mg2++SO42-+Ba2++2OH-═Mg(OH)2↓+BaSO4

②乙溶液與丁溶液混合:
Ag++Cl-═AgCl↓
Ag++Cl-═AgCl↓

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獲取知識和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質,信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開材料科學的推動.
(1)光導纖維是一種能高質量傳導光的玻璃纖維,利用光纜通訊,能同時傳輸大量信息.制造光纖電纜的主要原材料的化學式是
SiO2
SiO2

(2)信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅,高純度的單晶硅生產(chǎn)方法之一:
SiO2
C
Si(粗硅)
HCl、Cl2
SiHCl3(沸點31.5℃)
H2
Si
氣相沉積法
超純硅(多晶硅)單晶硅
近代用得較多的另一種方法(之二)是:用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷,再熱分解硅烷可得高純硅.根據(jù)上述信息回答以下問題:從方法一生產(chǎn)單晶硅的過程看,由碳還原得到的硅為何還要進一步處理?
由C還原SiO2得到的單質硅不純
由C還原SiO2得到的單質硅不純

(3)寫出方法二中,生產(chǎn)高純硅的兩個化學反應方程式:
4HCl+Mg2Si═2MgCl2+SiH4
4HCl+Mg2Si═2MgCl2+SiH4

SiH4
 高溫 
.
 
Si+2H2
SiH4
 高溫 
.
 
Si+2H2

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閱讀下表中部分短周期主族元素的相關信息,請回答:
元素代號 相關信息
X X的原子最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的三倍
Y 在第三周期的所有金屬離子中,Y的離子半徑最小
Z Z與Y同周期,是所在周期中原子半徑最小的元素
T T的單質能與冷水劇烈反應,生成的強堿電離出兩種電子數(shù)相等的陰、陽離子
(1)元素T與X按原子個數(shù)比1:1形成的化合物B的電子式為
,該化合物中所含的化學鍵有
離子鍵、共價鍵
離子鍵、共價鍵
(填化學鍵名稱).
(2)單質T與冷水反應的化學方程式為
2Na+2H2O═2NaOH+H2
2Na+2H2O═2NaOH+H2

(3)將Y與Z形成的化合物的水溶液,逐滴加入到T的最高價氧化物對應水化物的溶液中直至過量(邊滴加邊振蕩),寫出此過程中發(fā)生反應的離子方程式
Al3++4OH-═AlO2-+2H2O
Al3++4OH-═AlO2-+2H2O
Al3++3AlO2-+6H2O═4Al(OH)3
Al3++3AlO2-+6H2O═4Al(OH)3

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