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科目: 來(lái)源: 題型:


2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。已知鎵是鋁同族且在鋁的下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答:

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是________。

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為_(kāi)_______,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_(kāi)_______。

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是________。(用氫化物分子式表示)

(4)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為_(kāi)_______。

(5)比較二者的第一電離能:As________Ga(填“<”、“>”或“=”)。

(6)下列說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B.GaP與GaAs互為等電子體

C.電負(fù)性:As>Ga

D.砷化鎵晶體中含有配位鍵

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科目: 來(lái)源: 題型:


下表為周期表的一部分,其中的編號(hào)代表對(duì)應(yīng)不同的元素。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)表中屬于d區(qū)的元素是________(填編號(hào));元素⑧的原子價(jià)電子排布式是____________。

(2)③和⑦形成的常見(jiàn)化合物的晶體類型是________;②③④的電負(fù)性:________>________>________(用元素符號(hào)表示)。判斷依據(jù)是_________________________________________________________________。

(3)某元素的特征電子排布式(價(jià)電子排布式)為nsnnpn+1,該元素為周期表中的________(填編號(hào));該元素與元素①形成的化合物X極易溶于水的原因是__________________________________________________________________

_________________________________________________________________。

(4)②③形成一種超硬、耐磨、耐高溫的新型無(wú)機(jī)非金屬材料,則其化學(xué)式為_(kāi)_______,其熔點(diǎn)比金剛石的________(填“高”或“低”)。

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科目: 來(lái)源: 題型:


化合物YX2、ZX2中X、Y、Z都是前三周期元素,X與Y同周期,Y與Z同主族,Y元素原子最外層的p軌道中的電子數(shù)等于前一電子層的電子總數(shù),X原子最外層的p軌道中有一個(gè)軌道填充了2個(gè)電子。則

(1)X原子的電子排布式是____________,Y原子的價(jià)層電子排布圖是________________。

(2)YX2的分子構(gòu)型是________,YX2的熔、沸點(diǎn)比ZX2________(填“高”或“低”),理由是_____________________________________________________。

(3)YX2分子中,Y原子的雜化類型是________,YX2分子中含________個(gè)π

鍵。

(4)下圖表示一些晶體的結(jié)構(gòu)(晶胞),其中代表YX2的是________,代表ZX2

的是________(填序號(hào),下同)。

(5)元素X的某價(jià)態(tài)離子X(jué)n中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層,它與N3形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。

①該晶體的陽(yáng)離子與陰離子個(gè)數(shù)比為

________。

②該晶體中Xn離子中n=________。

③X元素的原子序數(shù)是________。

④晶體中每個(gè)N3被________個(gè)等距離的Xn離子包圍。

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科目: 來(lái)源: 題型:


X、Y、Z三種常見(jiàn)的短周期元素,可形成XY2、Z2Y、XY3、Z2Y2、Z2X等化合物,已知Y的離子和Z的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),X離子比Y離子多一個(gè)電子層,試回答:

(1)X、Y、Z的單質(zhì)的晶體分別屬于________晶體、________晶體、________

晶體。

(2)Z2Y2的電子式為_(kāi)_______,Z2Y2溶于水的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________。

(3)XY3在標(biāo)準(zhǔn)狀況下是針狀晶體,它屬于________晶體,XY3的水溶液與Z2Y2反應(yīng)可生成一種具有漂白性的氧化劑H2Y2,其化學(xué)方程式為_(kāi)________________________________________________________________。

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科目: 來(lái)源: 題型:


根據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中,錯(cuò)誤的是(  )。

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/℃

810

710

190

-68

2 300

沸點(diǎn)/℃

1 465

1 418

182.7

57

2 500

注:AlCl3熔點(diǎn)在2.02×105 Pa條件下測(cè)定。

A.SiCl4是分子晶體

B.單質(zhì)B是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華

D.MgCl2所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大

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科目: 來(lái)源: 題型:


下面有關(guān)晶體的敘述中,不正確的是                                (  )

A.金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中,最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子

B.氯化鈉晶體中,每個(gè)Na周圍距離相等的Na共有6個(gè)

C.氯化銫晶體中,每個(gè)Cs周圍緊鄰8個(gè)Cl

D.干冰晶體中,每個(gè)CO2分子周圍緊鄰12個(gè)CO2分子

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科目: 來(lái)源: 題型:


下圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖,試判斷屬于NaCl晶體結(jié)構(gòu)圖的是                                                       (  )。

   A.圖(1)和圖(3)                       B.圖(2)和圖(3)

   C.圖(1)和圖(4)                       D.只有圖(4)

  

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科目: 來(lái)源: 題型:


在冰晶石(Na3[AlF6])晶胞中,[AlF6]3占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl晶胞中Cl占據(jù)

的位置,則冰晶石晶胞中含有的原子數(shù)與NaCl晶胞中含有的原子數(shù)之比為    (  )

A.2∶1          B.3∶2         C.5∶2             D.5∶1

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科目: 來(lái)源: 題型:


下列關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的排列順序,不正確的是                         (  )!                 

A.HI>HBr>HCl>HF              B.CI4>CBr4>CCl4>CF4

C.NaCl>NaBr>KBr               D.金剛石>碳化硅>晶體硅

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科目: 來(lái)源: 題型:


如下圖,鐵有δ、γ、α三種同素異形體,三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉(zhuǎn)化。下列說(shuō)法正確的是                                             (  )。

A.γ­Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有6個(gè)

B.α­Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有6個(gè)

C.將鐵加熱到1 500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻,得到的晶體類型相同

D.三種同素異形體的性質(zhì)相同

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