X、Y、Z是3種短周期元素，其中X、Y位于同一族，Y、Z處于同一周期。X原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍。Z原子的核外電子數(shù)比Y原子少1。下列說法正確的是（   ）

A．元素非金屬性由弱到強的順序為Z＜Y＜X

B．Y元素最高價氧化物對應(yīng)水化物的化學式可表示為H3YO4

C．3種元素的氣態(tài)氫化物中Z的氣態(tài)氫化物最穩(wěn)定

D．原子半徑由大到小的順序為Z＜Y＜X

X、Y、Z、M、G五種元素分屬三個短周期，且原子序數(shù)依次增大。X是元素周期表中原子半徑最小的元素，X、Z同主族，可形成離子化合物ZX；Y、M同主族，可形成MY₂、MY₃兩種分子。 請回答下列問題：
（1）Y在元素周期表中的位置為               ，ZX的電子式為          。
（2）上述元素的最高價氧化物對應(yīng)的水化物酸性最強的是              （寫化學式），非金屬氣態(tài)氫化物還原性最強的是                 （寫化學式）。
（3）Y、G的單質(zhì)或兩元素之間形成的化合物可作消毒劑的有       、       （寫出其中兩種物質(zhì)的化學式）。
（4）X₂M的標準燃燒熱ΔH＝－a kJ·mol^－1，寫出表示X₂M標準燃燒熱的熱化學方程式：               。

短周期元素R、T、Q、W、G在元素周期表中的相對位置如下圖所示，其中Q是無機非金屬材料的主角。下列判斷正確的是

		R
T	Q		W	G

 
A．離子半徑：T＜ W＜ G 
B．最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：Q ＜ R
C．最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性：Q ＞W(wǎng)＞G
D．T和G組成的化合物甲溶于水，其水溶液呈中性

A～E五種元素中，除E外均為短周期元素，且原子序數(shù)依次增大。它們的原子
結(jié)構(gòu)或性質(zhì)如下表所示：

元素	A	B	C	D	E
結(jié)構(gòu)或性質(zhì)	原子半徑最小的元素	地殼中含量最多的元素	可與B形成陰陽離子個數(shù)比為1:2的兩種化合物	與B同主族	單質(zhì)是生活中最常見的金屬，可被磁鐵吸引

 
（1）元素D在周期表中的位置為       。
（2）C與B形成原子個數(shù)比為1∶1的化合物中，含有的化學鍵類型為       。
（3）化合物甲、乙是由A、B、C、D四種元素中的三種組成的強電解質(zhì)，且兩種物質(zhì)水溶液均顯堿性。若甲能抑制水的電離，乙能促進水的電離，則化合物甲的電子式為       ；乙的化學式是       。
（4）以E構(gòu)成的單質(zhì)為Y極，碳棒為X極，在6 mol/L的NaOH溶液中進行電解，制取高效凈水劑Na₂YO₄（溶液呈紫紅色）。其裝置如圖。電解過程中，兩極均有氣體產(chǎn)生，Y極區(qū)溶液逐漸變成紫紅色，且Y電極變細；電解液澄清。Y極發(fā)生的電極反應(yīng)為：4OH^－－4e^－2H₂O＋O₂↑和       。若在X極收集氣體672 mL，在Y極收集氣體168 mL（均已折算為標況下體積），則Y電極質(zhì)量減少       g。

（5）Se是人體必備的微量元素，與B、D同一主族。Se的原子序數(shù)為34，且B、D、Se元素氣態(tài)單質(zhì)分別與H₂反應(yīng)生成1 mol氣態(tài)氫化物的反應(yīng)熱如下：
a．+ 29．7 kJ/mol     b．－20．6 kJ/mol     c．－241．8 kJ/mol
表示生成1 mol H₂Se的反應(yīng)熱是       （填序號）；依據(jù)是：       。

已知₁₆S、₃₄Se位于同一主族，下列關(guān)系正確的是

A．熱穩(wěn)定性：H2Se＞ H2S＞ HCl	B．原子半徑：Se＞P＞Si
C．酸性：H3PO4＞H2SO4＞H2SeO4	D．還原性：Se2-＞Br-＞Cl-

W、X、Y、Z是短周期元素，其部分性質(zhì)如下表

W	單質(zhì)是淡黃色固體
X	在地殼中的含量居第二位
Y	原子最外層電子數(shù)是電子總數(shù)的2/3
Z	第三周期原子半徑最小的金屬

 
下列說法正確的是
A．氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：X＞W(wǎng)
B．最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性：Y＞X
C．離子半徑：Z＞W(wǎng)
D．Z的氧化物中含有非極性共價鍵

氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
（1）Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為                                    。
（2）下列實驗?zāi)鼙容^鎂和鋁的金屬性強弱的是           （填序號）。
a．測定鎂和鋁的導電性強弱
b．測定等物質(zhì)的量濃度的Al₂(SO₄)₃和MgSO₄溶液的pH
c．向0.1 mol/LAlCl₃和0.1 mol/L MgCl₂中加過量NaOH溶液
（3）鋁熱法是常用的金屬冶煉方法之一。
已知：4Al (s)+3O₂(g) =2Al₂O₃(s)   ΔH₁ =" -3352" kJ/mol
Mn(s)+ O₂(g) =MnO₂ (s)    ΔH₂ =" -521" kJ/mol
Al與MnO₂反應(yīng)冶煉金屬Mn的熱化學方程式是                            。
（4）氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為                                          。
（5）工業(yè)上用化學氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：3SiCl₄(g) + 2N₂(g) + 6H₂(g)Si₃N₄(s) + 12HCl(g)  △H＜0  
某溫度和壓強條件下，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5min達到平衡狀態(tài)，所得Si₃N₄(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H₂的平均反應(yīng)速率是         mol／(L·min)。
②若按n(SiCl₄) : n(N₂) : n(H₂) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴大加料，SiCl₄(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)     （填“增大”、“減小”或“不變”）。
（6）298K時，K_sp[Ce(OH)₄]＝1×10^—29。Ce(OH)₄的溶度積表達式為K_sp＝              。
為了使溶液中Ce^4＋沉淀完全，即殘留在溶液中的c(Ce⁴⁺)小于1×10^－5mol·L^－1，需調(diào)節(jié)pH為     以上。

短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增，最外層電子數(shù)之和為14，A、C同主族，B、D也同主族，A、B在不同周期，X、Y均是由A、B、C、D四種元素組成的鹽，X與Y相互作用，產(chǎn)生氣體Z。下列說法正確的是
A．四種元素形成的簡單離子半徑按照D、C、B、A的順序逐漸減小
B．A與其它元素形成的二元化合物的晶體類型相同
C．Z氣體通入BaCl₂溶液中無現(xiàn)象，再滴入FeCl₃溶液則可看到有沉淀產(chǎn)生
D．將Z通入紫色石蕊試液中，試液先變紅后褪色

A是有機羧酸鹽，B、C、D是常見化合物； A、B、C、D焰色反應(yīng)呈黃色，水溶液均呈堿性，其中B的堿性最強。X、Y是最常見的氧化物且與人體、生命息息相關(guān)，它們的晶體類型相同。A與B等物質(zhì)的量反應(yīng)生成D和一種氣體單質(zhì)；C受熱分解得到Y(jié)、D和X；B與C反應(yīng)生成D和X。E由兩種元素組成，式量為83，將E投入X中得到B和氣體Z，Z在標準狀況下的密度為0.76g·L^-1。
（1）A的化學式是              。Y的電子式是               。
（2）X的沸點比同主族同類型物質(zhì)要高，原因是                。
（3）寫出E與足量鹽酸反應(yīng)的化學方程式           
（4）寫出在D的飽和溶液中不斷通Y析出C的離子方程式                    。
（5）A的一個重要應(yīng)用是根據(jù)2A →P +H₂↑得到P，P溶液中的陰離子通常用CaCl₂使之沉淀，當它完全沉淀時，溶液中Ca²⁺的物質(zhì)的量濃度至少為         。
（沉淀K_sp=2.3×10^-9，當溶液中離子濃度≤10^-5mol·L^-1，即可認為完全沉淀）
（6）實驗室常用P與足量HCl反應(yīng)所得的有機物在濃硫酸條件下共熱分解制某還原性氣體，設(shè)計實驗證明分解產(chǎn)物中還原性氣體的存在                          。

短周期元素X、Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如右圖所示，其中Z的核電荷數(shù)是Y的2倍。下列判斷不正確的是

A．最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：Y>Z

B．最高價氧化物的水化物的酸性：X<W

C．X元素的氫化物與其最高價氧化物的水化物能形成離子化合物

D．Y的氫化物沸點遠高于Z的氫化物，是因為H-Y鍵的鍵能高于H-Z鍵的鍵能